IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）作為電力電子系統(tǒng)中的關(guān)鍵器件，其可靠性至關(guān)重要。IGBT 在工作時(shí)會(huì)產(chǎn)生大量熱量，需通過散熱器有效散熱，以維持正常工作溫度。而 IGBT 封裝底部與散熱器貼合面的平整度，對(duì)散熱效果有顯著影響，進(jìn)而可能關(guān)聯(lián)到 IGBT 的短路失效機(jī)理。

IGBT 工作時(shí)，電流通過芯片產(chǎn)生焦耳熱，若熱量不能及時(shí)散發(fā)，將導(dǎo)致芯片溫度升高。良好的散熱可使 IGBT 保持在適宜工作溫度，確保性能穩(wěn)定。IGBT 封裝底部與散熱器貼合面平整度差時(shí)，二者間會(huì)形成空氣間隙?？諝獾臒釋?dǎo)率遠(yuǎn)低于金屬材料，這些間隙如同熱阻，阻礙熱量從 IGBT 傳遞到散熱器，致使 IGBT 局部溫度過高。

當(dāng) IGBT 因貼合面平整度差出現(xiàn)局部過熱，可能引發(fā)一系列問題，與短路失效機(jī)理緊密相關(guān)。一方面，過高溫度會(huì)使 IGBT 內(nèi)部材料特性發(fā)生變化，如半導(dǎo)體材料的載流子遷移率改變，導(dǎo)致芯片內(nèi)部電流分布不均。在極端情況下，可能出現(xiàn)局部電流密度過大，引發(fā)熱斑效應(yīng)。熱斑處溫度持續(xù)升高，進(jìn)一步損壞芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)，增加短路風(fēng)險(xiǎn)。

另一方面，溫度升高還會(huì)影響 IGBT 的電氣參數(shù)。例如，高溫可能使 IGBT 的閾值電壓降低，導(dǎo)致其更容易導(dǎo)通。當(dāng)溫度超過一定閾值，IGBT 內(nèi)部的寄生晶閘管可能被觸發(fā)，產(chǎn)生擎住效應(yīng)。一旦發(fā)生擎住，IGBT 將失去柵極控制能力，集電極與發(fā)射極間電流急劇增大，最終引發(fā)短路失效。

此外，在 IGBT 短路故障發(fā)生時(shí)，本身會(huì)產(chǎn)生極大的瞬態(tài)電流，導(dǎo)致器件溫度迅速上升。若此時(shí) IGBT 封裝底部與散熱器貼合面平整度差，散熱受阻，芯片溫度將更快攀升。過高的溫度會(huì)加速芯片內(nèi)部的物理和化學(xué)變化，如金屬互連層的熔斷、介質(zhì)層的擊穿等，進(jìn)一步惡化短路情況，使 IGBT 更快失效。

激光頻率梳3D光學(xué)輪廓測量系統(tǒng)簡介：

20世紀(jì)80年代，飛秒鎖模激光器取得重要進(jìn)展。2000年左右，美國J.Hall教授團(tuán)隊(duì)?wèi){借自參考f-2f技術(shù)，成功實(shí)現(xiàn)載波包絡(luò)相位穩(wěn)定的鈦寶石鎖模激光器，標(biāo)志著飛秒光學(xué)頻率梳正式誕生。2005年，Theodor.W.H?nsch（德國馬克斯普朗克量子光學(xué)研究所）與John.L.Hall（美國國家標(biāo)準(zhǔn)和技術(shù)研究所）因在該領(lǐng)域的卓越貢獻(xiàn)，共同榮獲諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng)。?

系統(tǒng)基于激光頻率梳原理，采用500kHz高頻激光脈沖飛行測距技術(shù)，打破傳統(tǒng)光學(xué)遮擋限制，專為深孔、凹槽等復(fù)雜大型結(jié)構(gòu)件測量而生。在1m超長工作距離下，仍能保持微米級(jí)精度，革新自動(dòng)化檢測技術(shù)。?

核心技術(shù)優(yōu)勢?

①同軸落射測距：獨(dú)特掃描方式攻克光學(xué)“遮擋”難題，適用于縱橫溝壑的閥體油路板等復(fù)雜結(jié)構(gòu)；?

（以上為新啟航實(shí)測樣品數(shù)據(jù)結(jié)果）

②高精度大縱深：以±2μm精度實(shí)現(xiàn)最大130mm高度/深度掃描成像；?

（以上為新啟航實(shí)測樣品數(shù)據(jù)結(jié)果）

③多鏡頭大視野：支持組合配置，輕松覆蓋數(shù)十米范圍的檢測需求。

（以上為新啟航實(shí)測樣品數(shù)據(jù)結(jié)果）

審核編輯 黃宇