2025國際電力元件、可再生能源管理展覽會（即 PCIM Asia 2025）將于2025年9月24至26日在上海新國際博覽中心舉辦。英飛凌作為全球功率系統(tǒng)的市場領(lǐng)導(dǎo)者將攜帶廣泛的功率器件產(chǎn)品組合參加此次盛會，并帶來一系列的精彩互動。

IPAC直播間也將配合此次展覽會做PCIM論文深度解讀季。在本季第一期，你將看到英飛凌資深“攻城獅”帶來如下話題的精彩分析：

關(guān)于并聯(lián)SiC MOSFET的電流均衡問題

離網(wǎng)場景下SiC MOSFETs應(yīng)用于三相四橋臂變流器的優(yōu)勢

系統(tǒng)寄生參數(shù)對 SiC 器件開關(guān)的影響分析

直播時間：

2025年9月11日 14:00

本期嘉賓：

董潔

對于并聯(lián)SiC MOSFET，存在電流不平衡、熱性能差異、過電壓等諸多技術(shù)難題。本文對不同參數(shù)對并聯(lián)SiC MOSFET電流分擔(dān)的影響進行了理論分析和數(shù)學(xué)計算。提出了基于SPICE模型的Simetrix仿真，研究了不同參數(shù)對電流共享的影響。最后給出了驅(qū)動電路的設(shè)計建議和柵極電阻的設(shè)計方法。

魏作宇

工商業(yè)側(cè)儲能正以其經(jīng)濟性，電網(wǎng)友好性等特點蓬勃發(fā)展，其中離網(wǎng)應(yīng)用場景下，不平衡負載帶載能力，諧波畸變度等都是其PCS的重要指標。三相四橋臂（3P4L）變流器具有最強的不平衡負載能力，但對比三相三線（3P3W）系統(tǒng)，成本增加，諧波畸變度更高。SiC MOSFETs由于其優(yōu)越的材料特性與器件特性，相較IGBT可大幅提升開關(guān)頻率，本文通過理論分析結(jié)合仿真結(jié)果說明SiC MOSFETs更加適用于三相四橋臂變流器，是更具性價比的方案選擇。

吳旗斌

本次解讀的論文分析了系統(tǒng)寄生參數(shù)對 SIC（碳化硅）器件使用的影響，包括電流過充的原因、系統(tǒng)振蕩機理以及對 SIC 器件開關(guān)損耗的影響，主要從各開關(guān)管和續(xù)流二極管的主要影響角度進行分析。強調(diào)在系統(tǒng)設(shè)計過程中，除了寄生電感對功率器件電壓應(yīng)力的影響外，還需要格外注意系統(tǒng)寄生電容的影響。

IPAC直播

PCIM論文深度解讀季第二期預(yù)告

直播時間：

9月24日 1500

直播地點：

2025 PCIM Asia展覽會現(xiàn)場

英飛凌展位

直播話題：

本年度英飛凌論文重點解讀