首先想要給燒友們介紹下什么是非易失性內(nèi)存？是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲的數(shù)據(jù)不會消失者的電腦存儲器。

非易失性存儲器中，依存儲器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時隨時改寫為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。

ROM（Read-only memory，只讀內(nèi)存）

PROM（Programmable read-only memory，可編程只讀內(nèi)存）

EAROM（Electrically alterable read only memory，電可改寫只讀內(nèi)存）

EPROM（Erasable programmable read only memory，可擦可編程只讀內(nèi)存）

EEPROM（Electrically erasable programmable read only memory，電可擦可編程只讀內(nèi)存）

Flash memory（閃存)

那么非易失性內(nèi)存的運行環(huán)境又是怎么樣的呢？根據(jù)數(shù)據(jù)統(tǒng)計普通內(nèi)存的運行穩(wěn)定溫度是-30攝氏度左右，而富士通電子元器件（上海）有限公司推出新款 64-Kbit FRAM —— MB85RS64TU。該款內(nèi)存能在 -55℃ 中正常運行，為富士通電子旗下首款能耐受如此低溫的 FRAM 非易失性內(nèi)存，現(xiàn)已量產(chǎn)供貨。

相信燒友們也一樣對這款能在超低溫下運行的內(nèi)存十分感興趣，那我們接下來就走進(jìn)其世界一起去探究下。

MB85RS64TU 支持1.8V至3.6V的極廣范圍電源電壓。其工作溫度更是超越競爭對手，最低達(dá)到 -55℃。由于它能在運行溫度范圍內(nèi)保證10兆次的讀/寫周期，故適合用于在極寒地區(qū)挖掘天然氣與石油的設(shè)備、機(jī)械等產(chǎn)業(yè)機(jī)械。

MB85RS64TU 也適用于例如測量設(shè)備、流量計、及機(jī)器人等的一般工業(yè)應(yīng)用。

20年來，富士通量產(chǎn)各種 FRAM 非易失性內(nèi)存產(chǎn)品，具備高速寫入運行、極高的讀/寫耐用度、及低功耗等特色。值得一提的是，F(xiàn)RAM 產(chǎn)品保證 10兆次的讀/寫周期，約為非易失性內(nèi)存 EEPROM 的1千萬倍。因此許多需要頻繁覆寫數(shù)據(jù)的工業(yè)應(yīng)用，像實時數(shù)據(jù)記錄與3D位置數(shù)據(jù)記錄等，都采用富士通電子的 FRAM 產(chǎn)品。

MB85RS64TU 進(jìn)一步延伸現(xiàn)有產(chǎn)品 -40℃ 的低溫極限。新款產(chǎn)品的開發(fā)目標(biāo)，是為滿足客戶對于產(chǎn)業(yè)機(jī)械搭載的內(nèi)存必須能在極度寒冷的環(huán)境下運行的需求。

FRAM 產(chǎn)品已推出業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的 SOP8 封裝，使其能輕易取代8針腳SOP封裝的EEPROM。此外，還提供擁有2.00 x 3.00 x 0.75 mm極小尺寸的SON8封裝。SON的表面貼裝面積僅為SOP封裝的30%，而貼裝體積更僅為SOP的13%。


SOP與SON封裝的MB85RS64TU

去年，富士通電子推出能在125°C環(huán)境中運作的FRAM產(chǎn)品，擴(kuò)展運行溫度的高溫極限；此次開發(fā)出的 -55°C產(chǎn)品，則擴(kuò)展運行溫度的低溫極限。

富士通電子致力于開發(fā)最適合客戶應(yīng)用的內(nèi)存產(chǎn)品，為此我們將持續(xù)提供產(chǎn)品與解決方案，協(xié)助客戶的各種應(yīng)用發(fā)揮更好的價值與便利性。

產(chǎn)品規(guī)格

組件料號：MB85RS64TU

密度 (組態(tài))：64Kbit (8K x 8 位)

界面：SPI (Serial peripheral interface)

運作頻率：10MHz（Max）

運作電壓：1.8V - 3.6V

運作溫度范圍：-55°C ~ +85°C

讀/寫耐用度：10 兆次 (1013 次)

封裝規(guī)格：SOP8，SON8