01
組織機(jī)構(gòu)
主辦單位:中國電源學(xué)會
承辦單位:英飛凌-上海海事大學(xué)功率器件應(yīng)用培訓(xùn)和實驗中心、上海臨港電力電子研究院、中國電源學(xué)會教育與培訓(xùn)工作委員會
02
培訓(xùn)時間地點
2025年10月17-19日
中國(上海)自由貿(mào)易試驗區(qū)臨港新片區(qū)
03
培訓(xùn)安排
本次課程由兩部分組成:
1
10月17日
國際功率半導(dǎo)體技術(shù)與應(yīng)用
臨港高峰論壇(免費)
特邀出席嘉賓:
上海臨港管委會相關(guān)領(lǐng)導(dǎo);
劉進(jìn)軍 教授
西安交通大學(xué)、中國電源學(xué)會理事長、IEEE PELS副主席;
Leo Lorenz 博士
德國科學(xué)院院士,IEEE Fellow,歐洲電力電子中心主席;
李永東 教授
清華大學(xué)新概念技術(shù)汽車研究院副院長,中國電源學(xué)會交通電氣化專委會主任;
湯天浩 教授
IEEE PELS上海分部主席,中國電源學(xué)會副監(jiān)事長;
孫耀杰 教授
復(fù)旦大學(xué)上海綜合系統(tǒng)能源人工智能工程技術(shù)研究中心主任,中國電源學(xué)會科普工委會主任,IEEE PELS上海分部副主席;
以及國內(nèi)外一流功率半導(dǎo)體器件與應(yīng)用公司的高管與技術(shù)專家。
2
10月18日和19日
第三代半導(dǎo)體器件技術(shù)與應(yīng)用高級研修班
課程內(nèi)容:
本課程旨在全面系統(tǒng)深入地介紹第三代功率半導(dǎo)體新技術(shù)的發(fā)展,重點講授碳化硅和氮化鎵器件的器件原理、結(jié)構(gòu)、封裝、驅(qū)動與保護(hù),深入分析新型功率器件的可靠性與測試等核心技術(shù)。
今年特邀國際著名電力電子專家Leo Lorenz博士擔(dān)任主講,邀請英飛凌等世界一流企業(yè)的專家共同授課。課程設(shè)置緊密貼近產(chǎn)業(yè)實際需求,從基礎(chǔ)知識切入,著重破解工程應(yīng)用的難題。為電子電子領(lǐng)域的工程師、研究人員、高校的青年教師和研究生提供堅實的技術(shù)基礎(chǔ)和系統(tǒng)的應(yīng)用指導(dǎo)。
具體安排:
(可上下滑動查看詳細(xì)課程安排)
10月18日(星期六)
0900
第一講:What is the best Switch:IGBT….SiC…..Hybrid
Leo Lorenz 博士
德國科學(xué)院院士、歐洲電力電子中心主任、IEEE Fellow
1100
第二講:碳化硅技術(shù),應(yīng)用和可靠性
郝欣 博士
英飛凌科技(中國)有限公司
12:00 -13:30
午餐&午休
1330
第三講:碳化硅的動態(tài)特性測量,波形解讀和改進(jìn)
鄭姿清 高級主任工程師
英飛凌科技(中國)有限公司
1430
第四講:功率半導(dǎo)體熱特性和散熱設(shè)計
陳子穎 原高級市場顧問
英飛凌科技(中國)有限公司
1745
晚餐
10月19日(星期日)
930
第五講:Power Die Ruggedness and Reliability
Leo Lorenz 博士
德國科學(xué)院院士、歐洲電力電子中心主任、IEEE Fellow
1230
午餐&午休
1300
第六講:GaN器件的應(yīng)用設(shè)計與驅(qū)動
宋清亮 技術(shù)總監(jiān)
英飛凌科技(中國)有限公司
1500
第七講:Power semiconductors for hydrogen fuel cell electric vehicles.
Didier TRICHET 教授
法國南特大學(xué)IREENA實驗室主任
1630
第八講:碳化硅器件建模與系統(tǒng)仿真
張浩 主任工程師
英飛凌科技(中國)有限公司
04
特邀講師

Leo Lorenz 博士
德國科學(xué)院院士
歐洲電力電子中心主任
IEEE Fellow
Lorenz博士是ECPE(歐洲電力電子中心)的重要創(chuàng)始人之一,自2003年成立以來擔(dān)任總裁。他是幾個會議的創(chuàng)始人/聯(lián)合創(chuàng)始人,如CIPS(集成電力系統(tǒng)會議),PCIM亞洲,EPE等。Lorenz博士2006年成為IEEE-Fellowship,2005年被評為德國科學(xué)院院士。他還獲得了幾項高水平IEEE獎項,如2010年(日本)IEEE-ISPSD杰出貢獻(xiàn)獎,2011年IEEE-Gerald Kliman創(chuàng)新獎,美國2012年IEEE-William E. Newell電力電子獎,德國Ernst Blickle獎。2016年臺灣國立清華大學(xué)Sun Yun-Suan榮譽(yù)教授,2017年西班牙瓦倫西亞大學(xué)榮譽(yù)教授,2018年西安交通大學(xué)榮譽(yù)教授,IEEE 2018美國國際名人堂成員。

英飛凌
應(yīng)用工程師團(tuán)隊
英飛凌科技是國際頂級的功率半導(dǎo)體器件制造商。英飛凌應(yīng)用工程師團(tuán)隊大多數(shù)來自于工業(yè)與基礎(chǔ)設(shè)施業(yè)務(wù)部,長期在系統(tǒng)設(shè)計領(lǐng)域積累了豐富的功率半導(dǎo)體應(yīng)用經(jīng)驗,碳化硅和氮化鎵器件是近幾年最重要的研究方向,英飛凌也是處于全球領(lǐng)先地位,成果累累。本次將應(yīng)邀重點講授碳化硅器件應(yīng)用,包括動態(tài)特性測試、仿真、驅(qū)動和可靠性問題等。

上海臨港
電力電子研究院
上海臨港電力電子研究院是臨港新片區(qū)“重點產(chǎn)業(yè)共性技術(shù)”研究平臺之一,主要從事功率半導(dǎo)體、汽車驅(qū)動功率模塊的研發(fā)與測試,擁有一流的測試設(shè)備。
(可左右滑動查看)
05
培訓(xùn)證書
培訓(xùn)結(jié)束后,中國電源學(xué)會將頒發(fā)“第三代半導(dǎo)體器件技術(shù)與應(yīng)用高級研修班”培訓(xùn)證書。
06
培訓(xùn)費用
3200元(含講課費、資料費、餐費)
以下條件享受費用優(yōu)惠(優(yōu)惠不疊加)。
優(yōu)惠條件:
1.中國電源學(xué)會團(tuán)體會員享受7.5折優(yōu)惠;
2.中國電源學(xué)會個人會員享受8.5折優(yōu)惠;
3.5人以上(含5人)團(tuán)體報名享受8折優(yōu)惠;
4.學(xué)生會員(憑中國電源學(xué)會個人會員證及學(xué)生證)5折優(yōu)惠;
-
電源
+關(guān)注
關(guān)注
185文章
18842瀏覽量
263594 -
功率器件
+關(guān)注
關(guān)注
43文章
2122瀏覽量
95136 -
半導(dǎo)體器件
+關(guān)注
關(guān)注
12文章
807瀏覽量
34136
發(fā)布評論請先 登錄
深圳市薩科微slkor半導(dǎo)體有限公司是宋仕強(qiáng)于2015年在深圳市華強(qiáng)北成立,當(dāng)時掌握了行業(yè)領(lǐng)先的第三代半導(dǎo)體
龍騰半導(dǎo)體推出全新第三代超結(jié)MOSFET技術(shù)平臺
行業(yè)快訊:第三代半導(dǎo)體駛?cè)肟燔嚨?,碳化?b class='flag-5'>器件成本有望三年內(nèi)接近硅基
意法半導(dǎo)體斬獲2025行家極光獎兩項大獎
意法半導(dǎo)體亮相2025電源網(wǎng)工程師技術(shù)高峰論壇
光莆股份亮相2025中國國際半導(dǎo)體照明論壇
普源精電亮相2025碳化硅功率器件測試和應(yīng)用高級研修班
基本半導(dǎo)體B3M平臺深度解析:第三代SiC碳化硅MOSFET技術(shù)與應(yīng)用
芯干線亮相2025新型功率半導(dǎo)體與新能源應(yīng)用高峰論壇
電鏡技術(shù)在第三代半導(dǎo)體中的關(guān)鍵應(yīng)用
第三代半導(dǎo)體的優(yōu)勢和應(yīng)用領(lǐng)域
瑞能半導(dǎo)體第三代超結(jié)MOSFET技術(shù)解析(1)
會展動態(tài)|TMC2025車規(guī)級功率半導(dǎo)體論壇「初步日程+展覽」首發(fā)
第十三屆第三代半導(dǎo)體器件技術(shù)與應(yīng)用高級研修班暨國際功率半導(dǎo)體技術(shù)與應(yīng)用臨港高峰論壇報名(論壇免費
評論