該TPIC6A595是一款單片、高壓、大電流電源邏輯8位移位寄存器,設(shè)計(jì)用于需要相對(duì)高負(fù)載功率的系統(tǒng)。該器件在輸出端包含一個(gè)內(nèi)置電壓鉗位,用于電感瞬態(tài)保護(hù)。功率驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用包括繼電器、螺線管和其他中電流或高壓負(fù)載。每個(gè)漏極開(kāi)路DMOS晶體管都具有獨(dú)立的斬波限流電路,以防止短路時(shí)損壞。
*附件:tpic6a595.pdf
該器件包含一個(gè) 8 位串行輸入并行輸出移位寄存器,該寄存器為 8 位 D 型存儲(chǔ)寄存器供電。數(shù)據(jù)分別通過(guò)移位寄存器時(shí)鐘 (SRCK) 和寄存器時(shí)鐘 (RCK) 上升沿的移位寄存器和存儲(chǔ)寄存器傳輸。當(dāng)移位寄存器清除 (SRCLR) 為高電平時(shí),存儲(chǔ)寄存器將數(shù)據(jù)傳輸?shù)捷敵鼍彌_器。寫入數(shù)據(jù)和讀取數(shù)據(jù)僅在 RCK 較低時(shí)有效。當(dāng)SRCLR為低電平時(shí),輸入移位寄存器被清除。當(dāng)輸出使能(G)保持為高電平時(shí),輸出緩沖器中的所有數(shù)據(jù)都保持為低電平,并且所有漏極輸出都關(guān)斷。當(dāng)G保持低電平時(shí),來(lái)自存儲(chǔ)寄存器的數(shù)據(jù)對(duì)輸出緩沖器是透明的。串行輸出 (SER OUT) 允許將數(shù)據(jù)從移位寄存器級(jí)聯(lián)到其他器件。
輸出為低側(cè)開(kāi)漏 DMOS 晶體管,輸出額定值為 50V,連續(xù)灌電流能力為 350mA。當(dāng)輸出緩沖器中的數(shù)據(jù)為低電平時(shí),DMOS晶體管輸出關(guān)斷。當(dāng)數(shù)據(jù)為高電平時(shí),DMOS晶體管輸出具有灌電流能力。
提供單獨(dú)的電源接地 (PGND) 和邏輯接地 (LGND) 端子,以促進(jìn)最大的系統(tǒng)靈活性。所有 PGND 端子均內(nèi)部連接,每個(gè) PGND 端子必須外部連接到電源系統(tǒng)接地,以最大限度地減少寄生阻抗。LGND 和 PGND 之間的單點(diǎn)連接必須以減少邏輯和負(fù)載電路之間串?dāng)_的方式從外部進(jìn)行。
該TPIC6A595采用熱增強(qiáng)型正直插式 (NE) 封裝和寬體表面貼裝 (DW) 封裝。該TPIC6A595的特點(diǎn)是在 -40 至 125°C 的工作箱溫度范圍內(nèi)運(yùn)行。
特性
- 低 rDS(on):1Ω(典型值)
- 輸出短路保護(hù)
- 雪崩能量:75mJ
- 8個(gè)350mA DMOS輸出
- 50V 開(kāi)關(guān)能力
- 設(shè)備是可級(jí)聯(lián)的
- 低功耗
參數(shù)

?1. 核心特性?
- ?高性能輸出?:8路開(kāi)漏DMOS晶體管輸出,每路支持50V耐壓及350mA連續(xù)灌電流能力,內(nèi)置短路保護(hù)和75mJ雪崩能量吸收。
- ?低功耗設(shè)計(jì)?:典型導(dǎo)通電阻1Ω,邏輯與功率地分離設(shè)計(jì)降低干擾。
- ?級(jí)聯(lián)功能?:通過(guò)SER OUT引腳支持多設(shè)備串聯(lián)擴(kuò)展。
?2. 關(guān)鍵功能?
- ?數(shù)據(jù)控制?:
- 串行輸入(SER IN)通過(guò)上升沿時(shí)鐘(SRCK)移位至8位寄存器。
- 存儲(chǔ)寄存器在RCK上升沿鎖存數(shù)據(jù),SRCLR低電平清零寄存器。
- 輸出使能(G)控制DMOS開(kāi)關(guān),支持全局PWM調(diào)光。
- ?保護(hù)機(jī)制?:獨(dú)立電流斬波限流電路,防止輸出短路損壞。
?3. 電氣參數(shù)?
- ?工作條件?:邏輯電壓4.5V
5.5V(超壓至7V可能影響可靠性),溫度范圍-40°C125°C。 - ?開(kāi)關(guān)特性?:傳播延遲典型值30ns(高→低)、125ns(低→高),輸出上升/下降時(shí)間60ns/30ns。
?4. 封裝與型號(hào)?
- ?封裝選項(xiàng)?:
- PDIP-20(NE):24.0mm×6.86mm,適合通孔安裝。
- SOIC-24(DW):15.4mm×7.5mm,表貼封裝。
- ?型號(hào)標(biāo)識(shí)?:如TPIC6A595DW(SOIC)、TPIC6A595NE(PDIP)。
?5. 應(yīng)用場(chǎng)景?
?6. 設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)?
- ?布局建議?:功率地(PGND)與邏輯地(LGND)單點(diǎn)連接以降低噪聲。
- ?熱管理?:PDIP封裝最大功耗2.5W(25°C時(shí)),需根據(jù)工況降額使用。
?7. 文檔支持?
- 提供詳細(xì)時(shí)序圖、熱阻曲線及測(cè)試電路,涵蓋雪崩能量、反向恢復(fù)電流等參數(shù)測(cè)量方法。
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