TPS65296器件以最低的總成本和最小的空間為 LPDDR4/LPDDR4X 存儲(chǔ)器系統(tǒng)提供完整的電源解決方案。它符合 LPDDR4/LPDDR4X 上電和斷電序列要求的 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)。該TPS65296集成了兩個(gè)同步降壓轉(zhuǎn)換器（VDD1和VDD2）和一個(gè)1.5A LDO（VDDQ）。

該TPS65296采用開(kāi)關(guān)頻率為600kHz的D-CAP3?模式，可實(shí)現(xiàn)快速瞬態(tài)、良好的負(fù)載/線路調(diào)節(jié)，并支持無(wú)需外部補(bǔ)償電路的陶瓷輸出電容器。
*附件：tps65296.pdf

該TPS65296通過(guò)內(nèi)部低 Rdson 功率 MOSFET 提供豐富的功能和良好的效率。它支持靈活的電源狀態(tài)控制，在S3中將VDDQ置于高阻值，在S4/S5狀態(tài)下放電VDD1、VDD2和VDDQ。完整的保護(hù)功能包括 OVP、UVP、OCP、UVLO 和熱關(guān)斷保護(hù)。該器件采用耐熱增強(qiáng)型 18 引腳 HotRod? VQFN 封裝，設(shè)計(jì)用于在 –40°C 至 125°C 結(jié)溫范圍內(nèi)工作。

特性

• 同步降壓轉(zhuǎn)換器 （VDD2）
  • 輸入電壓范圍：4.5 V 至 18 V
  • 輸出電壓固定在 1.1 V
  • D-CAP3? 模式控制，實(shí)現(xiàn)快速瞬態(tài)響應(yīng)
  • 連續(xù)輸出電流：8 A
  • 高級(jí) Eco 模式?脈沖跳躍
  • 集成 22mΩ / 8.6mΩ R DS（開(kāi)） 內(nèi)部電源開(kāi)關(guān)
  • 600 kHz 開(kāi)關(guān)頻率
  • 內(nèi)部軟啟動(dòng)：1.6 ms
  • 逐周期過(guò)流保護(hù)
  • 鎖存輸出 OV/UV 保護(hù)
• 同步降壓轉(zhuǎn)換器 （VDD1）
  • 輸入電壓范圍：3 V 至 5.5 V
  • 輸出電壓固定為 1.8 V
  • D-CAP3? 模式控制，實(shí)現(xiàn)快速瞬態(tài)響應(yīng)
  • 連續(xù)輸出電流：1 A
  • 高級(jí) Eco 模式?脈沖跳躍
  • 集成 150mΩ /120mΩ R DS（開(kāi)） 內(nèi)部電源開(kāi)關(guān)
  • 580kHz 開(kāi)關(guān)頻率
  • 內(nèi)部軟啟動(dòng)：1 ms
  • 逐周期過(guò)流保護(hù)
  • 鎖存輸出 OV/UV 保護(hù)
• 1.5A LDO（VDDQ）
  • 1.5A 連續(xù)輸出電流
  • 僅需要 10 μF 的陶瓷輸出電容器
  • 在 S3 中支持高阻
  • ±30mV VDDQ輸出精度（DC+AC）
• 低靜態(tài)電流：150 μA
• 電源良好指示燈
• 輸出放電功能
• 上電和斷電排序控制
• 用于 OT 和 UVLO 保護(hù)的非鎖存
• 18引腳3.0mm×3.0mm HotRod? VQFN封裝

參數(shù)

方框圖

?1. 核心特性?

• ?集成電源管理?：包含兩路同步降壓轉(zhuǎn)換器（VDD1: 1.8V/1A，VDD2: 1.1V/8A）和一路1.5A LDO（VDDQ），滿足JEDEC LPDDR4/LPDDR4X標(biāo)準(zhǔn)的上電/斷電時(shí)序要求。
• ?高效控制技術(shù)?：
  • ?D-CAP3?模式?：支持快速瞬態(tài)響應(yīng)，無(wú)需外部補(bǔ)償電路，兼容陶瓷輸出電容。
  • ? Advanced Eco-mode? ?：輕載時(shí)自動(dòng)切換至脈沖跳躍模式，提升效率。
• ?保護(hù)功能?：過(guò)壓（OVP）、欠壓（UVP）、過(guò)流（OCP）、熱關(guān)斷（TSD）及電源正常（PGOOD）指示。

?2. 關(guān)鍵參數(shù)?

• ?輸入范圍?：
  • VDD2：4.5V-18V（PVIN），VDD1：3V-5.5V（PVIN_VDD1）。
• ?開(kāi)關(guān)頻率?：VDD2為600kHz，VDD1為580kHz。
• ?封裝?：18引腳3mm×3mm HotRod? VQFN，工作溫度-40°C至125°C。

?3. 應(yīng)用場(chǎng)景?

• 筆記本電腦、平板電腦、工業(yè)PC及服務(wù)器內(nèi)存供電。
• 支持LPDDR4（需禁用VDDQ）和LPDDR4X（啟用VDDQ）兩種配置。

?4. 設(shè)計(jì)要點(diǎn)?

• ?布局建議?：優(yōu)先四層PCB，縮短高頻路徑（如SW節(jié)點(diǎn)），確保輸入/輸出電容貼近引腳。
• ?典型電路?：需配置電感（VDD2: 0.68μH，VDD1: 4.7μH）、輸出電容（VDD2: 88-142μF）及自舉電容（0.1μF串聯(lián)5.1Ω）。

?5. 功能模式?

• ?狀態(tài)控制?：通過(guò)VDD_EN/VDDQ_EN引腳實(shí)現(xiàn)S0（全開(kāi)）、S3（VDDQ高阻）、S4/S5（全關(guān)放電）模式切換。
• ?時(shí)序要求?：VDD1需始終高于VDD2電壓，VDDQ上電需在35μs內(nèi)穩(wěn)定。