日前，寧暢發(fā)布最新單相冷板技術(shù)，成功將單芯片散熱功耗提升至4500W，該數(shù)值達(dá)到當(dāng)前主流芯片功耗的三倍以上，顯著超越行業(yè)對單相液冷技術(shù)的性能預(yù)期。此舉將為未來數(shù)據(jù)中心的建設(shè)與升級提供更為高效、經(jīng)濟(jì)的散熱解決方案。

隨著全球算力需求持續(xù)高速增長，芯片功耗不斷攀升。業(yè)界普遍預(yù)測，高端芯片功耗將快速跨過2000W大關(guān)，對數(shù)據(jù)中心的能耗管理與散熱性能提出更為嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)。在液冷技術(shù)已成為主流散熱方向的背景下，進(jìn)一步提升散熱效率、控制運(yùn)營成本，已成為支撐算力產(chǎn)業(yè)可持續(xù)發(fā)展的關(guān)鍵。

在多種液冷路徑中，單相液冷技術(shù)因結(jié)構(gòu)成熟、部署靈活、易于適配現(xiàn)有數(shù)據(jù)中心環(huán)境，而被廣泛采用。然而，其散熱能力長期存在瓶頸，制約了其在超高功率芯片場景下的應(yīng)用。盡管兩相冷板與浸沒式液冷等技術(shù)具備更高散熱潛力，但其成本及技術(shù)復(fù)雜性也為用戶決策帶來額外壓力。

寧暢研發(fā)團(tuán)隊(duì)致力于打破這一僵局，通過系統(tǒng)性的結(jié)構(gòu)創(chuàng)新與材料突破，實(shí)現(xiàn)了單相冷板技術(shù)的重大躍升。依托特殊的專利結(jié)構(gòu)及涂層強(qiáng)化技術(shù)，利用微通道及宏觀尺度下流動分配和散熱強(qiáng)化機(jī)理，最終實(shí)現(xiàn)單芯片4500W散熱能力及超過300W/cm2的熱流密度，徹底重塑了單相液冷的散熱極限。

這意味著，用戶可在延續(xù)單相液冷經(jīng)濟(jì)性與便捷部署優(yōu)勢的同時(shí)，獲得接近甚至超越兩相/浸沒液冷的散熱性能，從而為高功耗芯片的數(shù)據(jù)中心應(yīng)用提供更為平滑的演進(jìn)路徑。

該技術(shù)歷經(jīng)多輪實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證與優(yōu)化迭代。其采用的全并聯(lián)微通道架構(gòu)，集成0.1mm級高密度散熱片，賦予冷卻液并行通過數(shù)百條流道的能力，在提升散熱效率的同時(shí)顯著降低流阻。在實(shí)際部署中，用戶無需對服務(wù)器架構(gòu)或機(jī)房基礎(chǔ)設(shè)施做重大改動，即可快速集成該冷板方案，大幅節(jié)約建設(shè)與改造成本，并降低運(yùn)維復(fù)雜度。

該項(xiàng)技術(shù)屬于寧暢“全棧全液”AI基礎(chǔ)設(shè)施戰(zhàn)略的重要組成部分。從早前提出“原生全液冷”模塊化理念，到如今實(shí)現(xiàn)單相冷板技術(shù)的極限突破，寧暢持續(xù)推動液冷技術(shù)邁向更優(yōu)性能、更高可靠與更佳經(jīng)濟(jì)性的新階段。

在當(dāng)前算力作為核心創(chuàng)新基礎(chǔ)設(shè)施的背景下，如何在性能與能效之間取得平衡，已成為產(chǎn)業(yè)關(guān)鍵議題。寧暢此次推出的高性能單相冷板技術(shù)，不僅提供了一流散熱解決方案，更以顯著的技術(shù)差異化優(yōu)勢，助力數(shù)據(jù)中心實(shí)現(xiàn)更靈活、可持續(xù)的迭代升級。