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PC5502負(fù)載均流控制電路數(shù)據(jù)手冊(cè)
的應(yīng)用。該電路采用主從控制結(jié)構(gòu)來(lái)實(shí)現(xiàn)自動(dòng)均流,且在封裝后修調(diào)得到一個(gè)輸入失調(diào)極低的電流檢測(cè)放大器和一個(gè)高增益負(fù)反饋回路,使?jié)M載時(shí)各并聯(lián)模塊負(fù)載均流
發(fā)表于 12-19 15:48
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請(qǐng)問(wèn)CW32F030上電IO是處于什么狀態(tài)?
請(qǐng)問(wèn)CW32F030上電IO是處于什么狀態(tài)?為了防止MCU上電,對(duì)外圍的電路的誤動(dòng)作,一把很多MCU會(huì)上電瞬間設(shè)置為高阻態(tài),不知道CW32F030 的端口IO什么狀態(tài),謝謝
發(fā)表于 12-09 07:38
EA直流電源并聯(lián)狀態(tài)下突加載均流測(cè)試解決方案
在實(shí)際應(yīng)用中,為了應(yīng)對(duì)各種不同的使用需求,保證測(cè)試的靈活性、節(jié)省成本等種種原因,我們需要對(duì)多臺(tái)直流電源進(jìn)行并聯(lián)達(dá)到擴(kuò)容,以提升輸出電流能力,提高輸出功率。通過(guò)單機(jī)并聯(lián)的組合方式,我們可以獲得更靈活的選型應(yīng)對(duì)方案。
替代UCC29002高性能負(fù)載均流控制器具有高邊或低邊電流檢測(cè)功能
適用于N+1冗余系統(tǒng)或并聯(lián)電源的應(yīng)用。該電路采用主從控制結(jié)構(gòu)來(lái)實(shí)現(xiàn)自動(dòng)均流,且在封裝后修調(diào)得到一個(gè)輸入失調(diào)極低的電流檢測(cè)放大器和一個(gè)高增益負(fù)反饋回路,使?jié)M載時(shí)各并聯(lián)模塊負(fù)載均
發(fā)表于 07-31 10:20
超快恢復(fù)二極管器件串并聯(lián)導(dǎo)致均壓均流問(wèn)題分析
,工程師往往采用器件串聯(lián)或并聯(lián)的方式。然而,若忽視器件之間的特性差異及配套設(shè)計(jì),容易引發(fā)均壓均流問(wèn)題,最終造成電路效率降低甚至器件失效。一、串聯(lián)應(yīng)用中的均壓挑戰(zhàn)
使用SDK 1.3.5內(nèi)置固件進(jìn)行2kv ESD測(cè)試時(shí)USB傳輸失敗了,怎么解決?
我們希望繼續(xù)使用 SDK 1.3.5 中內(nèi)置的固件,但這個(gè)問(wèn)題阻礙了我們進(jìn)一步的進(jìn)行。
我想在這里更詳細(xì)地描述這個(gè)問(wèn)題,
使用基于 SDK 1.3.5 構(gòu)建的固件,在進(jìn)行 -2 kV ESD 測(cè)試
發(fā)表于 07-16 06:58
LTM4644并聯(lián)3,4路,輸出異常問(wèn)題求解
LTM4644第一路輸出1.9V,第二路輸出1.5V,第三和第四路并聯(lián)使用,輸出3.3V,原理圖如圖片所示,實(shí)際測(cè)試發(fā)現(xiàn),3,4路輸出9.3V,斷開(kāi)反饋電阻,F(xiàn)B引腳電壓從0.4V緩慢升到1V
發(fā)表于 07-14 06:22
基于細(xì)胞微流控的阻抗測(cè)試解決方案
對(duì)微流控系統(tǒng)中液體流動(dòng)、界面行為以及細(xì)胞狀態(tài)的實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)和檢測(cè)。本文將從微流控技術(shù)、電阻抗測(cè)試原理、細(xì)胞應(yīng)用以及未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)等方面進(jìn)行討論。一
請(qǐng)問(wèn)CYW20719 LPO 如何驗(yàn)證哪個(gè) LPO 源處于活動(dòng)狀態(tài)?
大家好,
我沒(méi)有找到一個(gè)邪惡的接口來(lái)驗(yàn)證哪個(gè) LPO 源在內(nèi)部處于活動(dòng)狀態(tài)并提供給 LHL、RTC 和 PWM。
我們想驗(yàn)證 OSC32K 是否運(yùn)行且穩(wěn)定。 我們?cè)趺茨苣菢幼觯?有沒(méi)有接口可以讀取 lhl_lpo 使用哪個(gè)時(shí)鐘源
發(fā)表于 07-02 06:19
LTM4640 20VIN,20A降壓直流到直流μ模塊穩(wěn)壓器
并聯(lián)均流,最高支持4×LTM4640s電源良好指示燈過(guò)電壓和過(guò)熱保護(hù)49-引腳,6.25mm×6.25mm×5.07mm,BGA封裝引腳與LTM
發(fā)表于 06-04 08:58
SiC MOSFET模塊并聯(lián)應(yīng)用中的動(dòng)態(tài)均流問(wèn)題
在電力電子領(lǐng)域,當(dāng)多個(gè)SiC MOSFET模塊并聯(lián)時(shí),受器件參數(shù)、寄生參數(shù)等因素影響,會(huì)出現(xiàn)動(dòng)態(tài)電流不均的問(wèn)題,制約系統(tǒng)性能。本章節(jié)帶你探究SiC MOSFET模塊并聯(lián)應(yīng)用中的動(dòng)態(tài)均流問(wèn)題。
實(shí)戰(zhàn)演練:使用相機(jī)氣密性檢測(cè)儀進(jìn)行防水測(cè)試
演練。正式測(cè)試前,要做好充分準(zhǔn)備。確定被測(cè)相機(jī)處于關(guān)閉狀態(tài)且外觀無(wú)明顯損壞和裂縫,準(zhǔn)備好適配該相機(jī)的檢測(cè)治具。同時(shí),要把氣密性檢測(cè)儀放置在平穩(wěn)
整車(chē)測(cè)試:外觀功能測(cè)試篇
產(chǎn)生干擾。此外,準(zhǔn)備好各類(lèi)整車(chē)測(cè)試設(shè)備,并對(duì)其進(jìn)行校準(zhǔn)和調(diào)試,保證設(shè)備處于正常工作狀態(tài),能夠準(zhǔn)確采集數(shù)據(jù)。
CYPD4126 OCP已發(fā)生或仍處于活動(dòng)狀態(tài),是否有寄存器可以讀???
時(shí),端口將切換到正常模式。 當(dāng)向端口/芯片添加更多負(fù)載時(shí),似乎會(huì)進(jìn)入某種 OCP 模式,但不會(huì)關(guān)閉,因此開(kāi)始變得非常熱。
如果 OCP 已發(fā)生或仍處于活動(dòng)狀態(tài),是否有寄存器可以讀?。?另外,是否有任何方法可以在 OCP 仍然存在
發(fā)表于 05-16 08:08
當(dāng) LTM4620 均流平穩(wěn)且處于良好受控狀態(tài)是進(jìn)行測(cè)試
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