這款 25 位 1：1 或 14 位 1：2 可配置寄存器緩沖器設(shè)計(jì)用于 1.425V 至 1.9V VCC 工作。在 1：1 引腳配置中，每個(gè) DIMM 只需要一個(gè)器件即可驅(qū)動(dòng) 9 個(gè) SDRAM 負(fù)載。在 1：2 引腳配置中，每個(gè) DIMM 需要兩個(gè)器件來驅(qū)動(dòng) 18 個(gè) SDRAM 負(fù)載。
*附件：sn74ssteb32866.pdf

所有輸入均SSTL_18，但復(fù)位 （RESET） 和控制 （Cn） 輸入除外，它們是 LVCMOS。所有輸出都是 邊沿控制電路針對(duì)未端接的 DIMM 負(fù)載進(jìn)行了優(yōu)化，并符合 SSTL_18 和 SSTL_15 規(guī)格（取決于電源電壓電平），但 漏極開路誤差 （QERR） 輸出。

SN74SSTEB32866采用差分時(shí)鐘（CLK和CLK）工作。數(shù)據(jù)在十字路口登記 CLK 走高，CLK 走低。

SN74SSTEB32866在奇偶校驗(yàn)位 （PAR_IN） 輸入上接受來自內(nèi)存控制器的奇偶校驗(yàn)位，并將其與獨(dú)立于 DIMM 的 D 輸入（D2-D3、D5-D6、D8-D25，當(dāng) C0 = 0 時(shí)）接收到的數(shù)據(jù)進(jìn)行比較 和 C1 = 0;當(dāng) C0 = 0 且 C1 = 1 時(shí)，D2-D3、D5-D6、D8-D14;或 D1-D6、D8-D13 當(dāng) C0 = 1 時(shí)），并指示漏極開路 QERR 引腳上是否發(fā)生奇偶校驗(yàn)錯(cuò)誤（低電平有效）。公約是平等的;即，有效奇偶校驗(yàn)定義為與DIMM無關(guān)的數(shù)據(jù)輸入中的偶數(shù)個(gè)奇偶校驗(yàn)， 與奇偶校驗(yàn)輸入位結(jié)合。要計(jì)算奇偶校驗(yàn)，所有與 DIMM 無關(guān)的數(shù)據(jù)輸入都必須與已知的邏輯狀態(tài)相關(guān)聯(lián)。

當(dāng)用作單個(gè)器件時(shí)，C0 和 C1 輸入連接為低電平。在此配置中，對(duì)PAR_IN輸入信號(hào)進(jìn)行奇偶校驗(yàn)，該信號(hào)在應(yīng)用的輸入數(shù)據(jù)后一個(gè)周期到達(dá)。在數(shù)據(jù)注冊(cè)后兩個(gè)時(shí)鐘周期，生成相應(yīng)的部分奇偶校驗(yàn)輸出 （PPO） 和 QERR 信號(hào)。

成對(duì)使用時(shí)，第一個(gè)寄存器的C0輸入為低電平，第二個(gè)寄存器的C0輸入為高電平。兩個(gè)寄存器的C1輸入都連接為高電平。奇偶校驗(yàn)在它所應(yīng)用的數(shù)據(jù)輸入后一個(gè)周期到達(dá)，在第一個(gè)器件的PAR_IN輸入信號(hào)上進(jìn)行檢查。在數(shù)據(jù)注冊(cè)后兩個(gè)時(shí)鐘周期，在第二個(gè)設(shè)備上生成相應(yīng)的 PPO 和 QERR 信號(hào)。第一個(gè)寄存器的PPO輸出級(jí)聯(lián)到第二個(gè)寄存器的PAR_IN SN74SSTEB32866。第一個(gè)SN74SSTEB32866的 QERR 輸出保持浮動(dòng)狀態(tài)，有效錯(cuò)誤信息鎖存在第二個(gè) QERR 輸出上 SN74SSTEB32866。

如果發(fā)生錯(cuò)誤并且 QERR 輸出被驅(qū)動(dòng)為低電平，則它將保持低電平鎖存至少兩個(gè)時(shí)鐘周期或 直到RESET被驅(qū)動(dòng)為低電平。如果發(fā)生兩個(gè)或多個(gè)連續(xù)的奇偶校驗(yàn)錯(cuò)誤，則 QERR 輸出被驅(qū)動(dòng)為低電平，并且 鎖存低電平時(shí)鐘持續(xù)時(shí)間等于奇偶校驗(yàn)錯(cuò)誤持續(xù)時(shí)間，或直到RESET被驅(qū)動(dòng)為低電平。與DIMM相關(guān)的信號(hào)（DCKE、DCS、DODT和CSR）不包括在奇偶校驗(yàn)計(jì)算中。

C0輸入控制1：2引腳排列的引腳配置，從寄存器A配置（低電平時(shí)）到寄存器B配置（高電平時(shí)）。C1輸入控制引腳配置，從25位1：1（低電平時(shí)）到14位1：2（高電平時(shí)）。正常運(yùn)行期間不應(yīng)切換 C0 和 C1。它們應(yīng)硬連線到有效的低電平或高電平，以將寄存器配置為所需模式。在 25 位 1：1 引腳配置中，A6、D6 和 H6 端子被驅(qū)動(dòng)為低電平，并且是不使用（DNU）引腳。

在DDR2 RDIMM應(yīng)用中，RESET被指定為相對(duì)于CLK和CLK完全異步。因此，無法保證兩者之間的時(shí)間關(guān)系。進(jìn)入復(fù)位時(shí)，寄存器被清除，數(shù)據(jù)輸出相對(duì)于禁用差分輸入接收器所需的時(shí)間快速驅(qū)動(dòng)為低電平。然而，當(dāng)復(fù)位結(jié)束時(shí)，寄存器相對(duì)于使能差分輸入接收器所需的時(shí)間迅速變?yōu)榛顒?dòng)狀態(tài)。只要數(shù)據(jù)輸入為低電平，并且時(shí)鐘在RESET從低到高轉(zhuǎn)換到輸入接收器完全使能期間保持穩(wěn)定，SN74SSTEB32866的設(shè)計(jì)就可以確保輸出保持低電平，從而確保輸出上不會(huì)出現(xiàn)毛刺。

為確保在提供穩(wěn)定時(shí)鐘之前從寄存器獲得定義的輸出，在上電期間必須將RESET保持在低電平狀態(tài)。

該器件支持低功耗待機(jī)作。當(dāng)RESET為低電平時(shí)，差分輸入接收器被禁用，未驅(qū)動(dòng)（浮動(dòng)）數(shù)據(jù)、時(shí)鐘和基準(zhǔn)電壓（V 裁判 ） 輸入。此外，當(dāng)RESET為低電平時(shí)，所有寄存器都被復(fù)位，所有輸出都強(qiáng)制為低電平，QERR除外。LVCMOS RESET和Cn輸入必須始終保持在有效的邏輯高電平或低電平。

該器件還通過監(jiān)控系統(tǒng)芯片選擇（DCS 和 CSR）來支持低功耗有源作 當(dāng)DCS和CSR輸入均為高電平時(shí)，輸入和門控Qn和PPO輸出的狀態(tài)變化。如果 DCS或CSR輸入為低電平，Qn和PPO輸出工作正常。此外，如果內(nèi)部低功耗信號(hào) （LPS1） 為高電平（DCS 和 CSR 變?yōu)楦唠娖胶笠粋€(gè)周期），則器件會(huì)將 QERR 輸出門控到狀態(tài)變化。如果 LPS1 為低電平，則 QERR 輸出工作正常。RESET輸入優(yōu)先于DCS和CSR控制，當(dāng)驅(qū)動(dòng)低電平時(shí)，強(qiáng)制Qn和PPO輸出為低電平，并強(qiáng)制QERR輸出為高電平。如果不需要DCS控制功能，則可以將CSR輸入硬接線到地，在這種情況下，DCS的建立時(shí)間要求與其他D數(shù)據(jù)輸入相同。要僅使用DCS控制低功耗模式，應(yīng)將CSR輸入上拉至VCC通過上拉電阻器。

兩個(gè)V裁判引腳（A3 和 T3）在內(nèi)部連接在一起大約 150 個(gè)。然而，它確實(shí)是 只需連接兩個(gè) V 中的一個(gè)裁判引腳連接到外部V裁判電源。未使用的 V裁判引腳應(yīng)以 V 結(jié)尾裁判耦合電容器。

特性

• 德州儀器 （TI） Widebus+ ? 系列成員
• 引腳排列優(yōu)化了 DDR2 DIMM PCB 布局
• 可配置為 25 位 1：1 或 14 位 1：2 寄存器緩沖器
• 芯片選擇輸入可控制數(shù)據(jù)輸出的狀態(tài)變化，并最大限度地降低系統(tǒng)功耗
• 輸出邊沿控制電路可最大限度地降低未端接線路中的開關(guān)噪聲
• 支持 1.5V 和 1.8V 電源電壓范圍
• 差分時(shí)鐘（CLK和CLK）輸入
• 支持控制和RESET輸入上的LVCMOS開關(guān)電平
• 檢查與 DIMM 無關(guān)的數(shù)據(jù)輸入上的奇偶校驗(yàn)
• 能夠與第二個(gè)SN74SSTEB32866級(jí)聯(lián)
• 支持工業(yè)溫度范圍（-40°C 至 85°C）

參數(shù)