Texas Instruments UCC27624/UCC27624-Q1雙通道柵極驅(qū)動器是高速低側(cè)柵極驅(qū)動器，可有效驅(qū)動MOSFET、IGBT、SiC和GaN功率開關(guān)。此系列驅(qū)動器的典型峰值驅(qū)動強度為5A，可縮短功率開關(guān)的上升和下降時間、降低開關(guān)損耗并提高效率。該器件具有快速傳播延遲（典型值為17ns），可改善系統(tǒng)的死區(qū)時間優(yōu)化、控制環(huán)路響應(yīng)，提高脈寬利用率和瞬態(tài)性能，從而提高功率級效率。UCC27624-Q1符合汽車應(yīng)用類AEC-Q100標準。此系列驅(qū)動器可用于汽車直流-直流轉(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動器、太陽能電源和脈沖變壓器驅(qū)動器。

數(shù)據(jù)手冊：

UCC27624/UCC27624-Q1可在輸入端處理–10V的電壓，通過平緩的接地反彈提高系統(tǒng)穩(wěn)健性。該輸入與電源電壓無關(guān)，可連接大多數(shù)控制器輸出，從而獲得最大控制靈活性。獨立使能信號支持獨立于主控制邏輯控制功率級。發(fā)生系統(tǒng)故障時，柵極驅(qū)動器可通過下拉使能快速關(guān)閉。許多高頻開關(guān)電源在功率器件的柵極處有噪聲，其會注入柵極驅(qū)動器的輸出引腳，導(dǎo)致驅(qū)動器發(fā)生故障。憑借其瞬態(tài)反向電流和反向電壓能力，該器件能夠耐受功率器件或脈沖變壓器的柵極噪聲，并避免驅(qū)動器故障。

UCC27624/UCC27624-Q1具有欠壓鎖定（UVLO）功能，可提高系統(tǒng)穩(wěn)健性。當沒有足夠的偏置電壓來全面增強功率器件時，強大的內(nèi)部下拉MOSFET可使柵極驅(qū)動器輸出保持在低電平。

特性

每個通道的拉電流和灌電流均為5A（典型值）
輸入和使能引腳能夠處理–10V電壓
輸出能夠處理-2V瞬態(tài)電壓
絕對最大VDD 電壓：30V
寬VDD 工作電壓范圍：4.5V至26V，帶UVLO
兩個獨立的柵極驅(qū)動通道
各輸出有獨立的使能功能
磁滯邏輯閾值，實現(xiàn)高抗噪性
VDD 獨立輸入閾值（兼容TTL）
快速傳播延遲（17 ns典型值）
快速上升和下降時間（3.5ns和6ns典型值）
兩個通道間典型延遲匹配：1ns
兩個通道可通過并聯(lián)獲得更大輸出電流。
SOIC-8和VSSOP-8 PowerPAD?封裝選項
工作結(jié)溫范圍：–40°C至150°C
符合汽車應(yīng)用標準 (UCC27624-Q1)
- 符合AEC-Q100標準
  - 器件溫度1級
  - 器件HBM ESD分類等級H1C
  - 器件CDM ESD分類等級C6

功能框圖

UCC27624雙通道低側(cè)柵極驅(qū)動器技術(shù)解析

產(chǎn)品概述

Texas Instruments的UCC27624是一款高性能雙通道低側(cè)柵極驅(qū)動器，具有5A峰值驅(qū)動能力和-10V輸入耐壓特性。該器件專為驅(qū)動MOSFET、IGBT、SiC和GaN功率開關(guān)而優(yōu)化，工作電壓范圍為4.5V至26V，采用SOIC-8、VSSOP-8和WSON-8封裝選項。

關(guān)鍵特性

驅(qū)動性能

?5A峰值? 源電流和灌電流能力
?17ns典型? 傳播延遲
?1ns通道間延遲匹配?
支持-10V至30V的輸入電壓范圍

保護功能

?4.1V UVLO開啟閾值? (3.8V關(guān)閉閾值)
輸出可承受-2V瞬態(tài)電壓
集成使能功能(ENx引腳)
工作結(jié)溫范圍：-40°C至+150°C

引腳功能解析

引腳	名稱	類型	描述
1	ENA	輸入	通道A使能(內(nèi)部200kΩ上拉)
2	INA	輸入	通道A輸入(內(nèi)部120kΩ下拉)
3	GND	-	接地參考
4	INB	輸入	通道B輸入
5	OUTB	輸出	通道B輸出
6	VDD	電源	偏置電源(4.5-26V)
7	OUTA	輸出	通道A輸出
8	ENB	輸入	通道B使能

電氣參數(shù)詳解

靜態(tài)特性

?靜態(tài)電源電流?：0.6mA典型值(EN=高電平)
?輸入高閾值?：2V典型值(1.8-2.3V范圍)
?輸入低閾值?：1V典型值(0.8-1.2V范圍)

動態(tài)特性(CLOAD=1.8nF)

?上升時間?：6ns典型值(10ns最大值)
?下降時間?：10ns典型值(14ns最大值)
?最小輸入脈寬?：15ns

典型應(yīng)用設(shè)計

電源設(shè)計建議

?VDD旁路電容?：
- 1μF陶瓷電容(靠近器件)
- 0.1μF陶瓷電容(最近距離<1mm)
?柵極電阻選擇?：
- 根據(jù)開關(guān)速度和EMI需求調(diào)整
- 典型值范圍：0-10Ω

PCB布局要點

?功率回路最小化?：減少源極電感
?星型接地?：單點連接驅(qū)動器和功率器件
?熱設(shè)計?：
- VSSOP封裝需利用散熱焊盤
- 推薦使用4層板設(shè)計

應(yīng)用場景

? 開關(guān)電源(SMPS) ?：
- 提供快速開關(guān)以減少開關(guān)損耗
- 適用于高頻DC/DC轉(zhuǎn)換器設(shè)計
?電機驅(qū)動?：
- 雙通道可驅(qū)動H橋上下管
- 高驅(qū)動能力支持大電流IGBT
?太陽能逆變器?：
- 寬工作電壓適應(yīng)不同母線電壓
- 高抗噪能力適合光伏環(huán)境
?PFC電路?：
- 快速傳播延遲優(yōu)化控制環(huán)路
- 通道并聯(lián)可提供10A驅(qū)動能力

設(shè)計注意事項

?熱管理計算?：
- 功率損耗P = Qg×VDD×fsw
- 示例：Qg=60nC，VDD=12V，fsw=300kHz時P=0.432W
?并聯(lián)使用?：
- 連接INA與INB
- 連接OUTA與OUTB
- 實現(xiàn)10A峰值驅(qū)動能力
?使能功能?：
- 輕載時可關(guān)閉驅(qū)動以提升效率
- 故障時快速關(guān)斷功率管

封裝信息

封裝類型	尺寸(mm)	熱阻(°C/W)
SOIC-8	4.9×3.91	126.4(JA)
VSSOP-8	3.0×3.0	54.7(JA)
WSON-8	3.0×3.0	48.9(JA)

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