Texas Instruments DRV832860V三相柵極驅(qū)動器是一款集成柵極驅(qū)動器,用于三相應用。該器件提供三個半橋柵極驅(qū)動器,每個驅(qū)動器可驅(qū)動高側和低側N溝道功率MOSFET。該器件使用內(nèi)部電荷泵生成正確的柵極驅(qū)動電壓,并通過自舉電路增強高側MOSFET。包括涓流電荷泵,支持100%占空比。該柵極驅(qū)動架構支持高達1A拉電流和2A灌電流的峰值柵極驅(qū)動電流。DRV8328采用單電源供電,支持4.5V至60V寬輸入電源電壓范圍。
數(shù)據(jù)手冊:*附件:Texas Instruments DRV8328 60V三相柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊.pdf
借助6x和3x PWM模式,可輕松連接控制器電路。DRV8328C和DRV8328D型號集成了精確的3.3V LDO,可用于為外部控制器供電,可用作CSA的參考。柵極驅(qū)動器和器件的配置設置可通過硬件 (H/W) 引腳進行配置。
該器件具有低功耗休眠模式,可通過關斷大部分內(nèi)部電路實現(xiàn)低靜態(tài)電流消耗。提供內(nèi)部保護功能,用于欠壓鎖閉、GVDD故障、MOSFET過流、MOSFET短路和過熱保護。nFAULT引腳上顯示Texas Instruments DRV8328的故障情況。
特性
- 65V三相半橋柵極驅(qū)動器
- 驅(qū)動三個高側和三個低側N溝道MOSFET (NMOS)
- 工作電壓范圍:4.5V至60V
- 支持100% PWM占空比,帶涓流電荷泵
- 基于自舉的柵極驅(qū)動器架構
- 最大峰值拉電流:1000mA
- 最大峰值灌電流:2000mA
- 硬件接口提供簡單配置
- 超低功耗休眠模式:<1uA(25°C時)
- 相間傳播延遲匹配:4ns(典型值)
- 獨立驅(qū)動器關斷路徑 (DRVOFF)
- 可耐受65V電壓的喚醒引腳 (nSLEEP)
- 支持SHx上高達-10V負瞬態(tài)電壓
- 6x和3x PWM模式
- 支持3.3V和5V邏輯輸入
- 精確LDO (AVDD),3.3V ±3%,80mA
- 緊湊型QFN封裝和占位尺寸
- 通過VDSLVL引腳可調(diào)VDS過流閾值
- 通過DT引腳可調(diào)死區(qū)時間
- 高效的系統(tǒng)設計,帶電源模塊
- 集成保護特性
- PVDD欠壓閉鎖 (PVDDUV)
- GVDD欠壓 (GVDDUV)
- 自舉欠壓 (BST_UV)
- 過流保護(VDS_OCP、SEN_OCP)
- 熱關斷 (OTSD)
- 故障狀態(tài)指示器 (nFAULT)
簡化示意圖

DRV8328三相BLDC柵極驅(qū)動器技術解析與應用指南
一、產(chǎn)品概述
Texas Instruments的DRV8328是一款高度集成的三相無刷直流(BLDC)和永磁同步(PMSM)電機柵極驅(qū)動器,具有4.5V至60V的寬輸入電壓范圍。該器件采用先進的柵極驅(qū)動架構,集成了三個半橋驅(qū)動器、電荷泵和低壓差線性穩(wěn)壓器(LDO),專為高效率電機驅(qū)動應用而設計。
?關鍵特性?:
- 驅(qū)動3個高邊和3個低邊N溝道MOSFET
- 支持100% PWM占空比(帶涓流充電泵)
- 最大1A源電流和2A灌電流的驅(qū)動能力
- 4ns典型相位間傳播延遲匹配
- 超低功耗睡眠模式(<1μA @25°C)
- 集成3.3V±3%精度LDO(80mA輸出)
二、核心架構與工作原理
DRV8328采用創(chuàng)新的柵極驅(qū)動架構,結合了自舉電路和電荷泵技術:
- ?高邊驅(qū)動?:采用自舉架構,通過BSTx引腳連接的自舉電容為高邊MOSFET提供柵極驅(qū)動電壓。內(nèi)置涓流充電泵確保在100%占空比下持續(xù)工作。
- ?低邊驅(qū)動?:由集成的電荷泵線性穩(wěn)壓器(GVDD)供電,可穩(wěn)定輸出12V驅(qū)動電壓。
- ?集成保護?:器件包含全面的保護功能,如PVDD欠壓鎖定、GVDD故障、MOSFET過流、短路和過熱保護等,故障條件通過nFAULT引腳指示。
三、關鍵性能參數(shù)
電氣特性
- ?工作電壓范圍?:4.5V至60V(絕對最大值65V)
- ?柵極驅(qū)動電流?:
- 峰值源電流:1000mA(典型值)
- 峰值灌電流:2000mA(典型值)
- ?傳播延遲?:
- 高邊:100ns(典型值)
- 低邊:100ns(典型值)
- ?LDO輸出?:3.3V±3%,最大80mA負載能力
熱特性
- 工作結溫范圍:-40°C至150°C
- 熱關斷閾值:170°C(典型值)
- 結至環(huán)境熱阻:36°C/W(典型值)
四、典型應用設計
1. 功率級設計要點
- ?自舉電容選擇?:建議使用4.7μF或更大值的X5R/X7R陶瓷電容
- ?GVDD電容?:≥10μF陶瓷電容,電壓額定值至少為工作電壓的兩倍
- ?死區(qū)時間設置?:通過DT引腳連接10kΩ至390kΩ電阻可調(diào)節(jié)100ns至2000ns死區(qū)時間
2. 布局建議
五、保護功能詳解
DRV8328集成了全面的保護機制:
- ?電壓保護?:
- PVDD欠壓鎖定(UVLO):4.4V(典型上升閾值)
- GVDD欠壓:7.5V(典型上升閾值)
- 自舉欠壓:4.45V(典型上升閾值)
- ?電流保護?:
- VDS過流保護:通過VDSLVL引腳可調(diào)(0.1V至2.5V)
- 敏感過流保護:LSS至GND閾值0.5V(典型值)
- ?熱保護?:
- 熱關斷:170°C(典型值)
- 熱滯:20°C(典型值)
六、應用領域
DRV8328非常適合以下應用場景:
七、選型指南
DRV8328提供四種型號選擇:
| 型號 | LDO輸出 | DT引腳 | VDSLVL引腳 | PWM模式 |
|---|---|---|---|---|
| DRV8328A | 不可用 | 可用 | 可用 | 6x |
| DRV8328B | 3.3V | 可用 | 不可用 | 3x |
| DRV8328C | 不可用 | 不可用 | 可用 | 6x |
| DRV8328D | 3.3V | 不可用 | 不可用 | 3x |
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