Texas Instruments TMUX741xF SPST四通道開關(guān)是互補金屬氧化物半導體 (CMOS) 模擬開關(guān)，可提供4通道 1:1 (SPST) 配置。這些器件在雙電源（±5V至±22V）、單電源（8V至44V）或非對稱電源（例如V DD =12V、V SS =–5V）供電情況下運行良好。TMUX741xF器件在通電和斷電情況下均提供過壓保護，適用于無法精確控制電源時序的應(yīng)用。

數(shù)據(jù)手冊：*附件：Texas Instruments TMUX741xF SPST四通道開關(guān)數(shù)據(jù)手冊.pdf

在通電和斷電條件下，該器件可阻斷最高+60V或?60V的對地故障電壓。在沒有電源的情況下，無論開關(guān)輸入條件如何，開關(guān)通道都將保持關(guān)斷狀態(tài)，并且邏輯引腳上的任何控制信號都會被忽略。如果任何Sx引腳上的信號路徑輸入電壓超過電源電壓（VDD或V SS ）一個閾值電壓 (V T )，那么通道將會關(guān)閉，并且Sx引腳將變?yōu)楦咦钁B(tài)。在故障情況下，所選通道的漏極引腳 (Dx) 為懸空狀態(tài)。Texas Instruments TMUX741xF器件提供低電平有效中斷標志 (FF)，以指示是否有任何源輸入出現(xiàn)故障，從而幫助系統(tǒng)診斷。

特性

• 寬電源電壓范圍
  • 8V至44V單電源
  • ±5V至±22V雙電源
• 集成故障保護
  • 過壓保護（從源極到電源或到漏極）：±85V
  • ±60V過壓保護
  • ±60V斷電保護
  • 指示故障狀態(tài)的中斷標志
  • 故障期間的輸出開路
• 器件構(gòu)造可實現(xiàn)閂鎖效應(yīng)抑制
• 6kV人體放電模型 (HBM) ESD等級
• 低導通電阻：8.3Ω（典型值）
• 10mΩ典型平坦導通電阻
• 支持1.8V邏輯電平
• 失效防護邏輯：高達44V（與電源無關(guān)）
• 業(yè)界通用的TSSOP封裝和較小的WQFN封裝

功能框圖

TMUX741xF系列SPST四通道開關(guān)技術(shù)解析與應(yīng)用指南

產(chǎn)品概述

Texas Instruments推出的TMUX741xF系列是高性能的±60V故障保護型SPST（單刀單擲）四通道模擬開關(guān)，具有抗閂鎖特性和1.8V邏輯兼容性。該系列包括TMUX7411F、TMUX7412F和TMUX7413F三個型號，采用行業(yè)標準的TSSOP和更小尺寸的WQFN封裝。

關(guān)鍵特性

1. ?寬工作電壓范圍?：
   • 單電源供電：8V至44V
   • 雙電源供電：±5V至±22V
   • 支持不對稱供電（如VDD=12V，VSS=-5V）
2. ?集成故障保護機制?：
   • 電源至源極或源極至漏極過壓保護：±85V
   • 過壓保護：±60V
   • 斷電保護：±60V
   • 故障狀態(tài)中斷標志輸出
   • 故障發(fā)生時輸出開路
3. ?卓越的電氣性能?：
   • 典型導通電阻：8.3Ω
   • 導通電阻平坦度：10mΩ（典型值）
   • 6kV人體模型(HBM)ESD等級
   • 1.8V邏輯兼容，支持高達44V的故障安全邏輯

應(yīng)用領(lǐng)域

TMUX741xF系列開關(guān)非常適合以下應(yīng)用場景：

• 工廠自動化與控制系統(tǒng)
• 可編程邏輯控制器(PLC)
• 模擬輸入模塊
• 半導體測試設(shè)備
• 電池測試設(shè)備
• 伺服驅(qū)動控制模塊
• 數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)(DAQ)

技術(shù)細節(jié)

故障保護機制

TMUX741xF系列采用創(chuàng)新的保護架構(gòu)：

• 在供電和斷電條件下均可阻斷高達±60V（相對于地）的故障電壓
• 無電源時，開關(guān)通道保持關(guān)閉狀態(tài)，忽略所有邏輯引腳上的控制信號
• 當任何Sx引腳上的信號路徑輸入電壓超過電源電壓(VDD或VSS)一個閾值電壓(VT)時，通道關(guān)閉，Sx引腳變?yōu)楦咦杩?/li>
• 提供低電平有效的中斷標志(FF)指示源輸入是否處于故障狀態(tài)

封裝選項

該系列提供兩種封裝選擇：

• PW (TSSOP, 16引腳)：5.00mm × 4.40mm
• RRP (WQFN, 16引腳)：4.00mm × 4.00mm

更小的WQFN封裝特別適合空間受限的應(yīng)用場景。

電氣特性

在不同供電條件下的典型性能：

1. ?**±15V雙電源供電**?：
   • 導通電阻：8.3Ω（典型值）
   • 輸入泄漏電流：±0.7nA（最大值）
   • 開關(guān)時間：導通480ns（典型值），關(guān)斷50ns（典型值）
2. ?**±20V雙電源供電**?：
   • 導通電阻：8.3Ω（典型值）
   • 輸入泄漏電流：±0.7nA（最大值）
   • 開關(guān)時間：導通510ns（典型值），關(guān)斷50ns（典型值）
3. ?12V單電源供電?：
   • 導通電阻：8.3Ω（典型值）
   • 輸入泄漏電流：±0.7nA（最大值）
   • 開關(guān)時間：導通410ns（典型值），關(guān)斷85ns（典型值）
4. ?36V單電源供電?：
   • 導通電阻：8.3Ω（典型值）
   • 輸入泄漏電流：±0.7nA（最大值）
   • 開關(guān)時間：數(shù)據(jù)手冊未提供具體值

設(shè)計建議

1. ?電源設(shè)計?：
   • 在VDD和GND之間連接0.1μF至10μF的去耦電容
   • 在VSS和GND之間同樣連接去耦電容（雙電源應(yīng)用時）
   • 建議將熱焊盤連接到GND或VSS以獲得最佳性能
2. ?故障標志處理?：
   • FF引腳為開漏輸出，應(yīng)通過1kΩ上拉電阻連接至外部電源(1.8V至5.5V)
   • 可用于系統(tǒng)診斷和故障處理
3. ?布局考慮?：
   • 保持模擬信號路徑遠離數(shù)字控制線
   • 采用適當?shù)慕拥仄矫嬖O(shè)計以減少噪聲
   • 對于高頻應(yīng)用，注意阻抗匹配和寄生參數(shù)控制