LMC555 器件是行業(yè)標(biāo)準(zhǔn) 555 系列通用定時(shí)器的 CMOS 版本。除了標(biāo)準(zhǔn) SOIC、VSSSOP 和 PDIP 封裝外，LMC555 還采用采用 TI DSBGA 封裝技術(shù)的芯片級(jí) 8 焊球 DSBGA 封裝。LMC555 提供與 LM555 相同的生成精確時(shí)間延遲和頻率的能力，但功耗和電源電流尖峰要低得多。當(dāng)作為一次性作時(shí)，時(shí)間延遲由單個(gè)外部電阻器和電容器精確控制。在非穩(wěn)態(tài)模式下，振蕩頻率和占空比由兩個(gè)外部電阻器和一個(gè)電容器精確設(shè)置。TI 的 LMCMOS 工藝擴(kuò)展了頻率范圍和低電源能力。
*附件：lmc555.pdf

特性

• 3MHz的快速非穩(wěn)態(tài)頻率
• 采用業(yè)界最小的 8 焊球 DSBGA 封裝（1.43mm × 1.41mm）
• 5V電源時(shí)典型功耗小于1mW
• 1.5V 額定電源工作電壓
• 輸出與 5V 電源下的 TTL 和 CMOS 邏輯完全兼容
• 測(cè)試至 ?10mA、50mA 輸出電流水平
• 減少輸出轉(zhuǎn)換期間的電源電流尖峰
• 極低的復(fù)位、觸發(fā)和閾值電流
• 出色的溫度穩(wěn)定性
• 與 555 系列定時(shí)器引腳兼容

參數(shù)

方框圖

?1. 核心特性?

• ?低功耗設(shè)計(jì)?：典型功耗低于1mW（5V供電），支持1.5V低電壓操作。
• ?高頻性能?：最高支持3MHz的快速非穩(wěn)態(tài)頻率，兼容TTL/CMOS邏輯輸出。
• ?封裝多樣性?：提供8引腳SOIC、VSSOP、PDIP及微型1.75mm×1.75mm DSBGA封裝。
• ?兼容性?：引腳與標(biāo)準(zhǔn)555系列定時(shí)器完全兼容，便于替換升級(jí)。

?2. 關(guān)鍵應(yīng)用場(chǎng)景?

• ?定時(shí)控制?：精確延時(shí)生成、脈沖寬度/位置調(diào)制。
• ?波形生成?：線性斜坡發(fā)生器、占空比可調(diào)的振蕩器。
• ?工業(yè)用途?：時(shí)序控制、電源管理電路。

?3. 功能模式詳解?

• ?單穩(wěn)態(tài)模式?：通過(guò)外部RC網(wǎng)絡(luò)控制脈沖寬度（公式：t=1.1×R×C），適用于單次觸發(fā)場(chǎng)景。
• ?非穩(wěn)態(tài)模式?：通過(guò)雙電阻和電容設(shè)置頻率與占空比，適用于連續(xù)振蕩輸出。

?4. 電氣參數(shù)亮點(diǎn)?

• ?工作電壓范圍?：1.5V至15V，ESD防護(hù)達(dá)±1500V（HBM）。
• ?溫度穩(wěn)定性?：時(shí)序誤差僅75ppm/°C（5V供電）。
• ?輸出驅(qū)動(dòng)能力?：支持-10mA至50mA電流負(fù)載。

?5. 典型設(shè)計(jì)參考?

• ?單穩(wěn)態(tài)電路?：觸發(fā)后輸出高電平持續(xù)5秒（示例：R=100kΩ，C=47μF）。
• ?非穩(wěn)態(tài)電路?：占空比通過(guò)RB/(RA+2RB)調(diào)節(jié)，頻率由RC網(wǎng)絡(luò)決定。
• ?布局建議?：電源旁路電容需靠近芯片，接地層優(yōu)化抗噪性能。

?6. 文檔結(jié)構(gòu)?
包含引腳定義、絕對(duì)最大額定值、熱性能參數(shù)、應(yīng)用電路圖及封裝尺寸等完整設(shè)計(jì)支持信息。