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LM74910H-Q1系列汽車?yán)硐攵O管控制器技術(shù)文檔總結(jié)

科技綠洲 ? 2025-09-25 09:19 ? 次閱讀
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LM749x0-Q1 理想二極管控制器驅(qū)動和控制外部背對背 N 溝道 MOSFET,以模擬具有電源路徑開/關(guān)控制的理想二極管整流器,并具有過流和過壓保護。3V 至 65V 的寬輸入電源允許保護和控制 12V 和 24V 汽車電池供電的 ECU。該器件可以承受并保護負(fù)載免受低至–65V的負(fù)電源電壓的影響。集成理想二極管控制器 (DGATE) 驅(qū)動第一個 MOSFET,以取代肖特基二極管,以實現(xiàn)反向輸入保護和輸出電壓保持。由于電源路徑中存在第二個 MOSFET,該器件允許在使用 HGATE 控制的過流和過壓事件時進行負(fù)載斷開(ON/OFF 控制)。該器件集成了電流檢測放大器,可提供精確的電流監(jiān)測,并具有可調(diào)節(jié)的過流和短路閾值。該器件具有可調(diào)節(jié)的過壓切斷保護功能。該器件具有睡眠模式,可實現(xiàn)超低靜態(tài)電流消耗 (6μA),同時在車輛處于停車狀態(tài)時為始終開啟的負(fù)載提供刷新電流。LM749x0-Q1 的最大額定電壓為 65V。
*附件:lm74910h-q1.pdf

特性

  • 符合 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn),適用于汽車應(yīng)用
    • 器件溫度等級 1:–40°C 至 +125°C 環(huán)境工作溫度范圍
  • 功能安全功能
  • 3V 至 65V 輸入范圍
  • LM74910H-Q1 的 74V 絕對最大額定值
  • 低至 –65V 的反向輸入保護
  • 驅(qū)動采用公共漏極配置的外部背對背 N 溝道 MOSFET
  • 理想二極管工作,具有 10.5mV A 至 C 正向壓降調(diào)節(jié)
  • 低反向檢測閾值 (–10.5mV),具有快速關(guān)斷響應(yīng) (0.5μs)
  • 20mA 峰值柵極 (DGATE) 導(dǎo)通電流
  • 2.6A 峰值 DGATE 關(guān)斷電流
  • 可調(diào)的過流和短路保護
  • 模擬電流監(jiān)測器輸出,精度為 2%,適用于 LM74910H-Q1
  • 可調(diào)節(jié)的過壓和欠壓保護
  • LM74910H-Q1 中的 SLEEP 模式 OCP 重試
  • 2.5μA低關(guān)斷電流(EN=低)
  • 電流為6μA的SLEEP模式(EN=高,SLEEP=低)
  • 通過合適的 TVS 二極管滿足汽車ISO7637瞬態(tài)要求
  • 采用節(jié)省空間的 24 引腳 VQFN 封裝

參數(shù)
image.png

方框圖

image.png
?1. 產(chǎn)品概述?
LM749x0-Q1是德州儀器(TI)推出的汽車級理想二極管控制器系列,包括LM74900-Q1、LM74910-Q1和LM74910H-Q1三款型號。該系列專為3V至65V寬輸入范圍的汽車電子控制單元(ECU)設(shè)計,支持反向輸入保護(低至-65V),集成過壓/欠壓保護、可調(diào)過流保護及故障輸出功能,適用于12V/24V電池系統(tǒng)。

?2. 核心特性?

  • ?保護功能?:
    • 反向電池保護(-65V耐受)
    • 可調(diào)過壓(OVP)和欠壓(UVLO)保護閾值
    • 兩級過流保護(OCP/SCP),支持自動重試(Auto-Retry)或鎖存(Latch-Off)模式
  • ?低功耗模式?:
    • ?睡眠模式?(6μA靜態(tài)電流):保持負(fù)載供電但關(guān)閉柵極驅(qū)動
    • ?關(guān)斷模式?(2.5μA):完全切斷負(fù)載
  • ?高精度監(jiān)測?:
    • 電流監(jiān)測輸出(IMON)精度±2%(LM74910H-Q1)
    • 模擬電流監(jiān)測比例輸出(支持外部電阻轉(zhuǎn)換)

?3. 典型應(yīng)用?

  • 汽車電池保護(ADAS域控制器、信息娛樂系統(tǒng)、音頻放大器)
  • 冗余電源的主動ORing架構(gòu)
  • 符合ISO7637汽車瞬態(tài)要求(需搭配TVS二極管)

?4. 關(guān)鍵參數(shù)對比?

參數(shù)LM74900-Q1LM74910-Q1LM74910H-Q1
輸入絕對最大電壓70V70V74V
電流監(jiān)測精度±12.5% (20mV)±12.5% (20mV)±2% (30mV)
睡眠模式OCP響應(yīng)鎖存鎖存自動重試

?5. 封裝與引腳?

  • ?封裝?:24引腳VQFN(4mm×4mm)
  • ?核心引腳功能?:
    • ?DGATE?:驅(qū)動外部MOSFET柵極,模擬理想二極管行為
    • ?HGATE?:控制負(fù)載通斷MOSFET,實現(xiàn)過壓/欠壓保護
    • ?FLT?:開漏故障輸出(低電平觸發(fā))

?6. 設(shè)計要點?

  • ?電荷泵?:需外接0.1μF電容(CAP-VS),提供柵極驅(qū)動電壓(典型12.2V~13.2V)
  • ?布局建議?:優(yōu)化VS和GND走線以降低噪聲,確保電流檢測電阻(RSENSE)靠近CS+/CS-引腳

?7. 安全與認(rèn)證?

  • AEC-Q100 Grade 1認(rèn)證(-40°C至125°C環(huán)境溫度)
  • 功能安全文檔支持(ISO 26262)

?8. 典型電路?

  • 反向電池保護拓?fù)洌和ㄟ^外部背靠背N-MOSFET實現(xiàn),支持共漏極配置
  • 電流檢測:50~100mΩ檢測電阻,配合內(nèi)部放大器實現(xiàn)高精度監(jiān)測
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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