BD95831MUV是可在輸入電壓范圍（7.5V～15V）內(nèi)通過(guò)大電流輸出實(shí)現(xiàn)輸出電壓（0.8V～5.5V）的1ch降壓開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器。通過(guò)內(nèi)置開(kāi)關(guān)晶體管用的N-MOSFET，可實(shí)現(xiàn)省空間的高效同步整流開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器。采用H3Reg?羅姆的ONTIME固定控制模式，無(wú)需相位補(bǔ)償部件，即可實(shí)現(xiàn)高速瞬態(tài)響應(yīng)特性。具有軟啟動(dòng)功能、PowerGood功能、帶計(jì)時(shí)鎖存的短路輸出 / 過(guò)電壓保護(hù)電路功能，適用于數(shù)字AV設(shè)備用電源。

*附件：BD95831MUV.pdf

主要規(guī)格

型號(hào) | BD95831MUV-E2

封裝 | VQFN016V3030

包裝形態(tài) | Taping

包裝數(shù)量 | 3000

最小獨(dú)立包裝數(shù)量 | 3000

RoHS | Yes

尺寸圖

特點(diǎn)：

• 因 H3Reg 控制實(shí)現(xiàn)快速瞬態(tài)響應(yīng)
• 逐周期過(guò)流保護(hù)（OCP）
• 熱關(guān)斷（TSD）
• 欠壓鎖定（UVLO）
• 短路保護(hù)（SCP）
• 過(guò)壓保護(hù)（OVP）
• 固定軟啟動(dòng)（典型 1 毫秒）
• 電源正常指示功能

PCB 設(shè)計(jì)與使用注意事項(xiàng)

1. PCB 布局要點(diǎn)

• 電流環(huán)路優(yōu)化 ：最小化兩個(gè)關(guān)鍵電流環(huán)路面積 ——①高端 MOSFET 導(dǎo)通時(shí)：輸入電容→VIN→SW→電感→輸出電容→PGND→輸入電容；②低端 MOSFET 導(dǎo)通時(shí)：低端 MOSFET→電感→輸出電容→PGND→低端 MOSFET。
• 接地設(shè)計(jì) ：PGND（功率地）與 GND（信號(hào)地）分開(kāi)布線(xiàn)，最終單點(diǎn)連接；輸入電容、輸出電容需盡可能靠近 VIN/VOUT 引腳與 PGND，減少寄生電感。
• 散熱設(shè)計(jì) ：熱焊盤(pán)需連接至大面積 GND 平面，建議在熱焊盤(pán)下方布置多個(gè)熱過(guò)孔（如 0.3mm 孔徑），將熱量傳導(dǎo)至多層板地平面；參考熱降額曲線(xiàn)，不同 PCB 層數(shù)散熱能力不同（4 層板全銅鋪地時(shí) Pd 最大 2.66W，1 層板僅 0.62W）。

2. 使用限制與注意事項(xiàng)

• 抗輻射性 ：產(chǎn)品非抗輻射設(shè)計(jì)，不可用于有輻射環(huán)境的設(shè)備。
• 高危應(yīng)用限制 ：不可用于醫(yī)療設(shè)備（如 Class Ⅲ/Ⅳ）、交通設(shè)備、航空航天設(shè)備等可能因故障導(dǎo)致人員傷亡或重大財(cái)產(chǎn)損失的場(chǎng)景，除非提前與 ROHM 確認(rèn)。
• 靜電防護(hù) ：屬于靜電敏感元件，生產(chǎn)、存儲(chǔ)、使用時(shí)需接地（人體、設(shè)備、電烙鐵），使用離子風(fēng)扇，控制溫濕度。
• 引腳電壓限制 ：避免輸入引腳電壓低于 GND，防止內(nèi)部寄生二極管 / 晶體管導(dǎo)通導(dǎo)致電路干擾或損壞。