全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆（總部位于日本京都市）宣布，與英飛凌科技股份公司（總部位于德國諾伊比貝格，以下簡稱“英飛凌”）就建立SiC功率器件封裝合作機(jī)制簽署了備忘錄。雙方旨在對應(yīng)用于車載充電器、太陽能發(fā)電、儲能系統(tǒng)及AI數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域的SiC功率器件封裝展開合作，推動彼此成為SiC功率器件特定封裝的第二供應(yīng)商。未來，用戶可同時從羅姆與英飛凌采購兼容封裝的產(chǎn)品，既能靈活滿足客戶的各類應(yīng)用需求，亦可輕松實現(xiàn)產(chǎn)品切換。此次合作將顯著提升用戶在設(shè)計與采購環(huán)節(jié)的便利性。

英飛凌科技零碳工業(yè)功率事業(yè)部總裁 Peter Wawer表示：“我們很高興能夠通過與羅姆的合作進(jìn)一步加速碳化硅功率器件的普及。此次合作將為客戶在設(shè)計和采購流程中提供更豐富的選擇與更大的靈活性，同時還有助于開發(fā)出能夠推動低碳進(jìn)程的高能效應(yīng)用方案?！?/p>

羅姆董事兼常務(wù)執(zhí)行官 功率器件事業(yè)部負(fù)責(zé)人伊野和英表示：“羅姆的使命是為客戶提供最佳解決方案。與英飛凌的合作將有助于拓展我們的解決方案組合，同時也是實現(xiàn)這一目標(biāo)的重要一步。我們期待通過此次合作，能夠在推進(jìn)協(xié)同創(chuàng)新的同時降低復(fù)雜性，進(jìn)一步提升客戶滿意度，共同開拓功率電子行業(yè)的未來?！?/p>

作為此次合作的一部分，羅姆將采用英飛凌創(chuàng)新的SiC頂部散熱平臺（包括TOLT、D-DPAK、Q-DPAK、Q-DPAK Dual和H-DPAK封裝）。該平臺將所有封裝統(tǒng)一為2.3mm的標(biāo)準(zhǔn)化高度，不僅簡化設(shè)計流程、降低散熱系統(tǒng)成本，更能有效利用基板空間，功率密度提升幅度最高可達(dá)兩倍。

同時，英飛凌將采用羅姆的半橋結(jié)構(gòu)SiC模塊“DOT-247”，并開發(fā)兼容封裝。這將使英飛凌新發(fā)布的Double TO-247 IGBT產(chǎn)品組合新增SiC半橋解決方案。羅姆先進(jìn)的DOT-247封裝相比傳統(tǒng)分立器件封裝，可實現(xiàn)更高功率密度與設(shè)計自由度。其采用將兩個TO-247封裝連接的獨特結(jié)構(gòu)，較TO-247封裝降低約15%的熱阻和50%的電感。憑借這些特性，該封裝的功率密度達(dá)到TO-247封裝的2.3倍。

羅姆與英飛凌計劃今后將不僅在硅基封裝，還將在SiC、GaN等各類封裝領(lǐng)域進(jìn)一步擴(kuò)大合作。此舉也將進(jìn)一步深化雙方的合作關(guān)系，為用戶提供更廣泛的解決方案與采購選擇。

SiC功率器件通過更高效的電力轉(zhuǎn)換，不僅增強(qiáng)了高功率應(yīng)用的性能表現(xiàn)，在嚴(yán)苛環(huán)境下展現(xiàn)出卓越的可靠性與堅固性，同時還使更加小型化的設(shè)計成為可能。借助羅姆與英飛凌的SiC功率器件，用戶可為電動汽車充電、可再生能源系統(tǒng)、AI數(shù)據(jù)中心等應(yīng)用開發(fā)高能效解決方案，實現(xiàn)更高功率密度。

審核編輯 黃宇