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基于PD70288理想二極管橋評估板的技術(shù)解析與應(yīng)用指南

科技觀察員 ? 2025-09-29 15:12 ? 次閱讀
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Microchip Technology EV65N25A評估板基于Microchip的PD70288理想二極管橋 (IDB) 開發(fā)。PD70288器件是第三代IEEE? 802.3bt兼容以太網(wǎng)供電 (POE) 用電設(shè)備 (PD) 系列的一部分。PD70288是一款雙有源電橋,帶內(nèi)部MOSFET,總路徑電阻為140mΩ(典型值),采用38引腳、8mm x 8mm QFN封裝。Microchip EV65N25A演示單個簽名供電設(shè)備 (SSPD) 應(yīng)用。該板使用PD70210AILQ PD前端設(shè)備支持2/4對上的檢測、分類和供電相位。連接到4對PoE輸入時,該板支持高達(dá)90W輸出功率。連接到2對PoE輸入時,輸出電流應(yīng)限制在1.5A。

數(shù)據(jù)手冊:*附件:Microchip Technology EV65N25A 評估板數(shù)據(jù)手冊.pdf

特性

  • PD70288 IEEE 802.3bt 95W理想二極管橋
  • 輸入RJ45連接器電源+數(shù)據(jù))
  • 用于數(shù)據(jù)的輸出RJ45連接器
  • IDB輸出連接器
  • POE PD輸出連接器
  • 綠色狀態(tài)指示LED
  • 墻式適配器連接
  • 隔離變壓器,用于將數(shù)據(jù)發(fā)送到PD應(yīng)用,以實現(xiàn)完整的PD評估
  • 浪涌合規(guī)性,高達(dá)2kV共模,符合IEC61000-4-5:2014標(biāo)準(zhǔn)
  • 工作溫度范圍:0 °C至+40 °C
  • 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)

框圖

1.png

測試設(shè)置

2.png

?基于PD70288理想二極管橋評估板的技術(shù)解析與應(yīng)用指南?


?一、評估板核心架構(gòu)解析?

?1. PD70288芯片特性?

  • ?雙主動橋設(shè)計?:集成內(nèi)部MOSFET,總路徑電阻典型值140mΩ,支持IEEE 802.3bt標(biāo)準(zhǔn)(90W PoE供電)
  • ?封裝與兼容性?:38引腳8mm×8mm QFN封裝,支持單簽名供電設(shè)備(SSPD)應(yīng)用場景

?2. 評估板功能模塊?

  • ?輸入接口?:RJ45連接器(P1)支持2/4對PoE輸入,最大輸出功率90W(4對)或1.5A限流(2對)
  • ?輸出配置?:通過跳線J1/J2切換輸出至P4(IDB獨(dú)立測試)或P5(完整PD應(yīng)用)
  • ?保護(hù)機(jī)制?:內(nèi)置過溫警告(OTW)信號,觸發(fā)時主動斷開負(fù)載并需重啟PSE恢復(fù)

?二、關(guān)鍵電路設(shè)計要點?

?1. 電源路徑管理?

  • ?延遲電路?:滿足IEEE802.3標(biāo)準(zhǔn)要求的80ms浪涌延遲,采用MOSFET實現(xiàn)
  • ?隔離設(shè)計?:可選光耦(U4)隔離OTW信號,支持外部電路聯(lián)動保護(hù)

?2. 測試與診斷接口?

  • ?測試點布局?:
    • IN1A/IN1B、IN2A/IN2B:監(jiān)測IDB輸入電壓
    • IDB_VPP/VPN_IN:測量IDB輸出電壓
    • 浪涌驗證電容:360μF/100V(±20%)容值限制

?三、典型應(yīng)用場景與配置步驟?

?1. 快速啟動流程?

  1. ?跳線設(shè)置?:短接J1.2-J1.3、J2.2-J2.3連接PD70210A前端電路(默認(rèn))
  2. ?負(fù)載連接?:根據(jù)需求選擇P4(獨(dú)立測試)或P5(完整PD評估)
  3. ?電源輸入?:通過P1(PoE)或P3(墻式適配器42-57V)供電
  4. ?數(shù)據(jù)測試?:P2接口連接PD主機(jī)驗證以太網(wǎng)通斷

?2. 性能優(yōu)化建議?

  • ?散熱管理?:工作溫度范圍0°C~40°C,需避免封閉環(huán)境長時間滿負(fù)荷運(yùn)行
  • ?安全警示?:禁止超過1.5A負(fù)載電流(2對PoE輸入)

?四、設(shè)計參考與擴(kuò)展應(yīng)用?

  • ?BOM選型?:關(guān)鍵器件如PD70288(QFN-38)、PD70210A(DFN-16)需嚴(yán)格按手冊規(guī)格采購
  • ?布局建議?:4層PCB設(shè)計,內(nèi)層1/2為電源與地平面,參考圖7-1至7-5的層疊結(jié)構(gòu)
  • ?定制開發(fā)?:通過J3跳線禁用內(nèi)部MOSFET,可對比傳統(tǒng)二極管橋的功率損耗差異

?附錄:核心參數(shù)速查?

參數(shù)最小值最大值單位
輸入電壓范圍057V
輸出電流(2對PoE)1.5A
工作溫度040°C

(注:本文內(nèi)容均基于Microchip EV65N25A評估板用戶手冊DS50003732A版本整理)

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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