DRV8426E/P 器件是雙 H 橋電機驅(qū)動器，適用于各種工業(yè)應(yīng)用。這些器件可用于驅(qū)動兩個直流電機或一個雙極步進電機。

驅(qū)動器的輸出級由配置為兩個全H橋的N溝道功率MOSFET、電荷泵穩(wěn)壓器、電流檢測和調(diào)節(jié)以及保護電路組成。集成電流檢測采用內(nèi)部電流鏡架構(gòu)，無需大型功率分流電阻，節(jié)省電路板面積并降低系統(tǒng)成本。提供低功耗睡眠模式，通過關(guān)閉大部分內(nèi)部電路來實現(xiàn)超低靜態(tài)電流消耗。為電源欠壓鎖定 （UVLO）、電荷泵欠壓 （CPUV）、輸出過流 （OCP） 和器件過熱 （OTSD） 提供內(nèi)部保護功能。
*附件：drv8426e.pdf

DRV8426E/P 能夠驅(qū)動滿量程高達 1.5A 的步進電機或峰值高達 2.5A 的有刷電機（取決于 PCB 設(shè)計）。

特性

• 雙 H 橋電機驅(qū)動器

  • 一個雙極步進電機
  • 雙雙向有刷直流電機
  • 四個單向有刷直流電機

• 集成電流檢測功能

  • 無需檢測電阻
  • ±5% 滿量程電流精度

• 4.5V 至 33V 工作電源電壓范圍

• 多種控制接口選項

  • 相位/使能 （PH/EN）
  • PWM（輸入/輸入）

• 智能調(diào)諧、快速和混合衰減選項

• 低R DS（開） ：900 mΩ HS + LS，24 V，25°C

• 每橋高電流容量

  • 2.5A 峰值（有刷）、1.5A 滿量程（步進）

  引腳對引腳兼容 -

  • DRV8424E/P：33V，330 mΩ HS + LS
  • DRV8436E/P：48V，900 mΩ HS + LS
  • DRV8434E/P：48V，330 mΩ HS + LS

• 可配置的關(guān)斷時間PWM斬波

  • 7、16、24 或 32 μs

• 支持 1.8V、3.3V、5.0V 邏輯輸入

• 低電流睡眠模式 （2 μA）

• 擴頻時鐘，實現(xiàn)低 EMI

• 有刷直流應(yīng)用中的浪涌電流限制

• 小封裝和占地面積

• 保護功能

  • VM 欠壓鎖定 （UVLO）
  • 電荷泵欠壓 （CPUV）
  • 過流保護 （OCP）
  • 熱關(guān)斷 （OTSD）
  • 故障條件輸出 （nFAULT）

參數(shù)

方框圖

?1. 核心特性?

• ?雙H橋架構(gòu)?：支持驅(qū)動1個雙極步進電機、2個雙向有刷直流電機或4個單向有刷直流電機。
• ?集成電流檢測?：無需外部檢測電阻，電流精度±5%，節(jié)省PCB空間和成本。
• ?寬電壓范圍?：4.5V至33V工作電壓，支持2.5A峰值電流（有刷電機）或1.5A全量程電流（步進電機）。
• ?智能調(diào)節(jié)技術(shù)?：
  • ?Smart tune動態(tài)衰減?：自動優(yōu)化衰減模式（慢/混合/快衰減），降低電機噪聲。
  • ?Smart tune紋波控制?：通過可變關(guān)斷時間實現(xiàn)精準電流調(diào)節(jié)。
• ?低導(dǎo)通電阻?：900mΩ（高邊+低邊，24V/25°C）。
• ?多種控制接口?：支持PH/EN（DRV8426E）或PWM（DRV8426P）控制模式。
• ?保護功能?：欠壓鎖定（UVLO）、電荷泵欠壓（CPUV）、過流保護（OCP）、熱關(guān)斷（OTSD）及故障輸出（nFAULT）。

?2. 關(guān)鍵功能?

• ?電流調(diào)節(jié)?：
  • PWM斬波控制，關(guān)斷時間可調(diào)（7/16/24/32μs）。
  • 通過VREF引腳設(shè)置參考電流，公式：IFS(A) = VREF(V)/2.2(V/A)。
• ?衰減模式?：
  • 支持智能動態(tài)衰減、紋波控制、固定慢衰減和混合衰減。
• ?封裝選項?：
  • HTSSOP-28（PWP）：9.7mm×4.4mm，帶PowerPAD散熱。
  • VQFN-24（RGE）：4mm×4mm，超小尺寸。

?3. 應(yīng)用場景?

• ?工業(yè)設(shè)備?：打印機、掃描儀、ATM機、工業(yè)機器人。
• ?消費電子?：家用自動化、玩具機器人。
• ?醫(yī)療設(shè)備?：精密儀器驅(qū)動。

?4. 設(shè)計要點?

• ?電源設(shè)計?：
  • VM引腳需并聯(lián)0.01μF陶瓷電容和電解電容。
  • 電荷泵電容（CPH-CPL）選用0.022μF陶瓷電容。
• ?熱管理?：
  • HTSSOP封裝RθJA=33°C/W，VQFN封裝RθJA=43°C/W。
  • 示例：24V供電下，1.12W總功耗時結(jié)溫約62°C（HTSSOP，TA=25°C）。

?5. 版本更新?

• ? 2022年5月（Rev B） ?：
  • 新增典型特性曲線章節(jié)。
  • 更新HTSSOP和VQFN布局示例。
• ? 2020年11月（Rev A） ?：
  • 將設(shè)備狀態(tài)更改為“生產(chǎn)數(shù)據(jù)”。

?6. 典型應(yīng)用電路?

• ?有刷電機驅(qū)動?：通過PH/EN或PWM接口控制H橋極性及占空比。
• ?步進電機驅(qū)動?：配置微步進級別（全步至1/256步）及衰減模式。