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基于JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的閂鎖效應(yīng)測(cè)試方法

SGS半導(dǎo)體服務(wù) ? 來源:SGS半導(dǎo)體服務(wù) ? 2025-10-22 16:58 ? 次閱讀
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作為半導(dǎo)體器件的潛在致命隱患,Latch Up(閂鎖效應(yīng))一直是電子行業(yè)可靠性測(cè)試的重點(diǎn)。今天,SGS帶你深入揭秘這個(gè)“隱形殺手”,并詳解國(guó)際權(quán)威標(biāo)準(zhǔn)JEDEC JESD78F.02如何通過科學(xué)的測(cè)試方法,為芯片安全筑起堅(jiān)固防線。

閂鎖效應(yīng)(Latch Up):芯片內(nèi)部的“雪崩”

Latch Up是指集成電路在異常電壓或電流觸發(fā)下,內(nèi)部寄生結(jié)構(gòu)(如晶閘管PNPN、雙極晶體管BJT或ESD保護(hù)元件)被激活,形成持續(xù)低阻抗路徑,導(dǎo)致異常大電流(可達(dá)數(shù)百毫安)從電源流向地。即使觸發(fā)條件移除,電流仍持續(xù),直至器件過熱或物理?yè)p壞。

典型觸發(fā)場(chǎng)景:

信號(hào)引腳注入過流/過壓(如靜電放電、電源浪涌);

電源引腳電壓瞬變超過器件耐受極限;

高溫環(huán)境下寄生結(jié)構(gòu)閾值降低(如結(jié)溫接近最大工作溫度Tjmax)。

危害有多嚴(yán)重?

物理?yè)p壞:硅片熔融、金屬互連熔斷、封裝材料熱損傷(EIPD,電誘導(dǎo)物理?yè)p壞);

系統(tǒng)級(jí)故障:引發(fā)設(shè)備死機(jī)、數(shù)據(jù)丟失,甚至引發(fā)汽車電子、醫(yī)療設(shè)備等關(guān)鍵領(lǐng)域的安全事故;

可靠性風(fēng)險(xiǎn):導(dǎo)致 “無故障發(fā)現(xiàn)(NTF)” 問題,增加售后維修成本和品牌聲譽(yù)損失。

破解之道——

JEDEC JESD78F.02標(biāo)準(zhǔn)的兩大核心測(cè)試

為了有效評(píng)估芯片抗Latch Up的能力,JEDEC制定了全球通用的測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)JESD78F.02。該標(biāo)準(zhǔn)定義了兩種核心測(cè)試方法,覆蓋芯片所有引腳類型,模擬真實(shí)應(yīng)用中的極端應(yīng)力場(chǎng)景。

01信號(hào)引腳測(cè)試(Signal Pin Test)

目標(biāo):驗(yàn)證信號(hào)引腳(輸入/輸出/雙向引腳)對(duì)過流 / 過壓的免疫能力。

I-Test(電流注入法):

強(qiáng)制注入正/負(fù)電流脈沖 (如±100mA),同時(shí)限制電壓在1.5×VmaxOP和MSV(最大應(yīng)力電壓)中的較小值以下,避免非閂鎖損傷。

E-Test(電壓注入法):

施加正/負(fù)電壓脈沖 (如1.5×VmaxOP),限制電流在預(yù)設(shè)閾值(如100mA),適用于高阻抗輸入或低電壓器件。

測(cè)試流程:

1.引腳分組(輸入/輸出),預(yù)處理至邏輯高/低狀態(tài)(VmaxOP/VminOP);

2.施加脈沖;

3.監(jiān)測(cè)電源電流,達(dá)到以下條件則判定閂鎖觸發(fā):

a.測(cè)試后電流值超出測(cè)試前電流值10mA;

b.測(cè)試后電流值超過測(cè)試前電流值的1.4倍。

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信號(hào)引腳測(cè)試流程圖

02電源引腳測(cè)試(Supply Test)

目標(biāo):評(píng)估電源引腳對(duì)過電壓的耐受能力。

方法:

對(duì)電源引腳施加1.5×VmaxSUP或MSV的電壓脈沖(哪個(gè)更低),同時(shí)限流設(shè)置為Ilimit=100mA+Inom(Inom為標(biāo)稱電流)或1.5倍Inom(哪個(gè)更高)。

關(guān)鍵參數(shù):

避免電源因過流崩潰,需設(shè)置合理電流限制,確保測(cè)試有效性。

測(cè)試流程:

1.上電:按照指定的上電順序給設(shè)備上電;

2.測(cè)量標(biāo)稱供電電流:在最大供電電壓VmaxSUP下測(cè)量每個(gè)供電引腳(或供電引腳組)的Isupply;

3.施加觸發(fā)電壓,并在此期間量測(cè)應(yīng)力電源(Stress Supply)的電流、電壓,以及相關(guān)電源引腳的電壓(Vsupply(s));

4.監(jiān)測(cè)電源電流,達(dá)到以下條件則判定閂鎖觸發(fā):

a.測(cè)試后電流值超出測(cè)試前電流值10mA;

b.測(cè)試后電流值超過測(cè)試前電流值的1.4倍。

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電源引腳測(cè)試流程圖

為什么Latch Up測(cè)試是非做不可的 “防線”?

進(jìn)行符合JEDEC JESD78F.02標(biāo)準(zhǔn)的Latch Up測(cè)試,絕非可有可無,而是貫穿芯片研發(fā)、量產(chǎn)到市場(chǎng)準(zhǔn)入的核心環(huán)節(jié)。

01可靠性認(rèn)證的 “準(zhǔn)入門檻”

等級(jí)劃分:

根據(jù)測(cè)試結(jié)果,器件可劃分為免疫等級(jí)A(高可靠性)或B(基礎(chǔ)等級(jí)),并標(biāo)注溫度分類(Class I/II,Class II需在Tjmax下測(cè)試)。

行業(yè)合規(guī):

滿足汽車電子(如AEC-Q100)、工業(yè)控制等領(lǐng)域?qū)ζ骷垢蓴_能力的強(qiáng)制要求。

Latch Up免疫等級(jí)劃分

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點(diǎn)擊查看大圖

注:如有特殊需求,可以采取更嚴(yán)苛條件執(zhí)行測(cè)試。

02研發(fā)與量產(chǎn)的 “質(zhì)量防線”

設(shè)計(jì)優(yōu)化:

在芯片研發(fā)階段定位寄生結(jié)構(gòu)缺陷,指導(dǎo)版圖優(yōu)化(如增加保護(hù)環(huán)、調(diào)整阱結(jié)構(gòu));

量產(chǎn)管控:

通過抽樣測(cè)試(最小3件樣品)篩查工藝波動(dòng)導(dǎo)致的閂鎖風(fēng)險(xiǎn),避免批量缺陷;

失效分析:

結(jié)合脈沖源驗(yàn)證和熱成像技術(shù),精準(zhǔn)定位失效引腳或結(jié)構(gòu)。

03成本與風(fēng)險(xiǎn)的 “平衡點(diǎn)”

早期測(cè)試成本僅為現(xiàn)場(chǎng)失效維修成本的1/100,尤其對(duì)復(fù)雜SoC、功率器件等高價(jià)值產(chǎn)品至關(guān)重要;

符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的測(cè)試報(bào)告可直接用于客戶審核,縮短產(chǎn)品上市周期。

SGS專業(yè)服務(wù):從標(biāo)準(zhǔn)到落地的全流程支持

作為國(guó)際公認(rèn)的測(cè)試、檢驗(yàn)和認(rèn)證機(jī)構(gòu),SGS依據(jù)JEDEC JESD78F.02標(biāo)準(zhǔn),可為你提供:

定制化測(cè)試方案

針對(duì)特殊引腳設(shè)計(jì)專屬測(cè)試流程,規(guī)避誤判風(fēng)險(xiǎn);

高精度測(cè)試設(shè)備

配備帶溫度控制的閂鎖測(cè)試儀,支持寬溫域測(cè)試,滿足Class II嚴(yán)苛要求;

權(quán)威合規(guī)報(bào)告

出具含免疫等級(jí)、溫度分類及失效分析的中英文報(bào)告,助力產(chǎn)品全球市場(chǎng)準(zhǔn)入。

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原文標(biāo)題:干貨分享 | 半導(dǎo)體良率提升關(guān)鍵:基于JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的Latch Up測(cè)試

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