91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

AMD全面邁入7nm制程時(shí)代,或?qū)⒃?019年推第三代Zen處理器

454398 ? 作者:工程師吳畏 ? 2018-08-13 14:06 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

上周才剛宣布第一代 7nm 制程技術(shù)進(jìn)入量產(chǎn)的臺(tái)積電,今天就已經(jīng)有客戶宣布將推出相關(guān)產(chǎn)品的消息了。AMD CEO 蘇姿豐博士向投資者表示,下一代不僅是「Zen 2」處理器,連機(jī)器學(xué)習(xí)用的 Instinct 系列顯卡都將邁入 7nm 的時(shí)代。

臺(tái)積電的第一代 7nm 制程名為 CLN7FF,和用途甚廣的 16nm FinFET 制程相比,同樣晶體管數(shù)下的芯片面積可以縮小 70%、降低電力消耗 60%,并增加頻率 30%。它依靠的是氬氟激光帶來(lái)的 193nm 深紫外線波長(zhǎng)來(lái)進(jìn)行蝕刻,因此可以在大致保持現(xiàn)有生產(chǎn)工具的前提下,將尺度縮小到 7nm。雖說(shuō)不同公司間的制程并沒(méi)有太大的可比性,但相對(duì)而言英特爾技術(shù)上卡在 10nm 已經(jīng)有不短的時(shí)間,目前最新的消息是要拖到 2019 年才能面世。臺(tái)積電的 7nm 制程能為 AMD 帶來(lái)多少相對(duì)優(yōu)勢(shì),也是相當(dāng)令人好奇的啊。

必須一提的是,AMD 這里似乎把命名弄的有點(diǎn)過(guò)度復(fù)雜。早前發(fā)布的第二代 Zen 處理器是小幅度改善的 GlobalFoundries 12LP 制程,這核心被命名為「Zen+」,而「Zen 2」則是預(yù)計(jì) 2019 年才會(huì)上市的產(chǎn)品。這里提到會(huì)采用 7nm 的應(yīng)該是指 Zen 2 核心,也就是可能是第三代的 Zen 處理器了。

至于顯卡的部份,AMD 并沒(méi)有說(shuō)明 7nm 技術(shù)何時(shí)會(huì)由機(jī)器學(xué)習(xí)的顯卡來(lái)到一般游戲顯卡上,但想必只是早晚的問(wèn)題而已。無(wú)論如何,Zen 和 Vega 顯然對(duì) AMD 的財(cái)務(wù)大有幫助,為其 2018 年第一季帶來(lái) 16.5 億美元的營(yíng)收和 8,100 萬(wàn)美元的利潤(rùn),和去年同期虧損 3,300 萬(wàn)美元相比,可是不小的進(jìn)步呢。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • amd
    amd
    +關(guān)注

    關(guān)注

    25

    文章

    5686

    瀏覽量

    140004
  • 臺(tái)積電
    +關(guān)注

    關(guān)注

    44

    文章

    5803

    瀏覽量

    176384
  • Zen處理器
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1

    文章

    29

    瀏覽量

    8974
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    龍騰半導(dǎo)體推出全新第三代超結(jié)MOSFET技術(shù)平臺(tái)

    今天,龍騰半導(dǎo)體正式交出答卷 -- 基于自主工藝路線開發(fā)的全新第三代(G3) 超結(jié) MOSFET技術(shù)平臺(tái)。
    的頭像 發(fā)表于 01-22 14:44 ?655次閱讀
    龍騰半導(dǎo)體推出全新<b class='flag-5'>第三代</b>超結(jié)MOSFET技術(shù)平臺(tái)

    行業(yè)快訊:第三代半導(dǎo)體駛?cè)肟燔嚨?,碳化硅器件成本有?b class='flag-5'>三年內(nèi)接近硅基

    行業(yè)快訊:第三代半導(dǎo)體駛?cè)肟燔嚨?,碳化硅器件成本有?b class='flag-5'>三年內(nèi)接近硅基
    的頭像 發(fā)表于 01-16 11:41 ?397次閱讀

    高頻交直流探頭在第三代半導(dǎo)體測(cè)試中的應(yīng)用

    高頻交直流探頭基于法拉第電磁感應(yīng)原理,具備高帶寬、高精度和高分辨率,適用于第三代半導(dǎo)體器件的動(dòng)態(tài)特性、柵極電流測(cè)量及開關(guān)損耗計(jì)算。
    的頭像 發(fā)表于 01-15 09:16 ?261次閱讀

    Neway第三代GaN系列模塊的生產(chǎn)成本

    Neway第三代GaN系列模塊的生產(chǎn)成本Neway第三代GaN系列模塊的生產(chǎn)成本受材料、工藝、規(guī)模、封裝設(shè)計(jì)及市場(chǎng)定位等多重因素影響,整體呈現(xiàn)“高技術(shù)投入與規(guī)?;当静⒋妗钡奶卣?。一、成本構(gòu)成:核心
    發(fā)表于 12-25 09:12

    開啟連接新紀(jì)元——芯科科技第三代無(wú)線SoC現(xiàn)已全面供貨

    搭載第三代無(wú)線SoC中的Secure Vault安全技術(shù)率先通過(guò)PSA 4級(jí)認(rèn)證
    的頭像 發(fā)表于 10-09 15:57 ?4.3w次閱讀

    基本半導(dǎo)體B3M平臺(tái)深度解析:第三代SiC碳化硅MOSFET技術(shù)與應(yīng)用

    基本半導(dǎo)體B3M平臺(tái)深度解析:第三代SiC碳化硅MOSFET技術(shù)與應(yīng)用 第一章:B3M技術(shù)平臺(tái)架構(gòu)前沿 本章旨在奠定對(duì)基本半導(dǎo)體(BASIC Semiconductor)B3M系列的技術(shù)認(rèn)知
    的頭像 發(fā)表于 10-08 13:12 ?801次閱讀
    基本半導(dǎo)體B3M平臺(tái)深度解析:<b class='flag-5'>第三代</b>SiC碳化硅MOSFET技術(shù)與應(yīng)用

    上海貝嶺發(fā)布第三代高精度基準(zhǔn)電壓源

    BLR3XX系列是上海貝嶺推出的第三代高精度基準(zhǔn)電壓源。具有高輸出精度、低功耗、低噪聲以及低溫度系數(shù)的特性。
    的頭像 發(fā)表于 07-10 17:48 ?1196次閱讀
    上海貝嶺發(fā)布<b class='flag-5'>第三代</b>高精度基準(zhǔn)電壓源

    電鏡技術(shù)在第三代半導(dǎo)體中的關(guān)鍵應(yīng)用

    第三代半導(dǎo)體材料,以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表,因其在高頻、高效率、耐高溫和耐高壓等性能上的卓越表現(xiàn),正在成為半導(dǎo)體領(lǐng)域的重要發(fā)展方向。在這些材料的制程中,電鏡技術(shù)發(fā)揮著不可或缺的作用
    的頭像 發(fā)表于 06-19 14:21 ?739次閱讀
    電鏡技術(shù)在<b class='flag-5'>第三代</b>半導(dǎo)體中的關(guān)鍵應(yīng)用

    尋跡智行第三代自研移動(dòng)機(jī)器人控制獲歐盟CE認(rèn)證

    尋跡智行第三代自研移動(dòng)機(jī)器人控制BR-300G獲歐盟CE認(rèn)證
    的頭像 發(fā)表于 06-12 13:47 ?619次閱讀
    尋跡智行<b class='flag-5'>第三代</b>自研移動(dòng)機(jī)器人控制<b class='flag-5'>器</b>獲歐盟CE認(rèn)證

    芯科科技第三代無(wú)線開發(fā)平臺(tái)SoC的大領(lǐng)先特性

    Silicon Labs(芯科科技)第三代無(wú)線開發(fā)平臺(tái)SoC代表了下一物聯(lián)網(wǎng)無(wú)線產(chǎn)品開發(fā)趨勢(shì),該系列產(chǎn)品升級(jí)了大功能特性:可擴(kuò)展性、輕松升級(jí)、頂尖性能,因而得以全面滿足未來(lái)物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)
    的頭像 發(fā)表于 06-04 10:07 ?1089次閱讀

    第三代半導(dǎo)體的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用領(lǐng)域

    隨著電子技術(shù)的快速發(fā)展,半導(dǎo)體材料的研究與應(yīng)用不斷演進(jìn)。傳統(tǒng)的硅(Si)半導(dǎo)體已無(wú)法滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)高效能和高頻性能的需求,因此,第三代半導(dǎo)體材料應(yīng)運(yùn)而生。第三代半導(dǎo)體主要包括氮化鎵(GaN
    的頭像 發(fā)表于 05-22 15:04 ?2473次閱讀

    瑞能半導(dǎo)體第三代超結(jié)MOSFET技術(shù)解析(1)

    隨著AI技術(shù)井噴式快速發(fā)展,進(jìn)一步推動(dòng)算力需求,服務(wù)電源效率需達(dá)97.5%-98%,通過(guò)降低能量損耗,來(lái)支撐高功率的GPU。為了抓住市場(chǎng)機(jī)遇,瑞能半導(dǎo)體先發(fā)制人,推出的第三代超結(jié)MOSFET,能全面滿足高效能需求。
    的頭像 發(fā)表于 05-22 13:58 ?922次閱讀
    瑞能半導(dǎo)體<b class='flag-5'>第三代</b>超結(jié)MOSFET技術(shù)解析(1)

    英飛凌發(fā)布第三代3D霍爾傳感TLE493D-x3系列

    近日,英飛凌的磁傳感門類再添新兵,第三代3D霍爾傳感TLE493D-x3系列在經(jīng)歷兩產(chǎn)品的迭代之后應(yīng)運(yùn)而生。
    的頭像 發(fā)表于 05-22 10:33 ?1543次閱讀
    英飛凌發(fā)布<b class='flag-5'>第三代</b>3D霍爾傳感<b class='flag-5'>器</b>TLE493D-x3系列

    能量密度提升15%!TDK第三代電池量產(chǎn)在即

    電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道?消息人士指出,日本 TDK 公司正加速推進(jìn)第三代硅陽(yáng)極電池的量產(chǎn)進(jìn)程,將出貨時(shí)間從原計(jì)劃的第三季度提前至 6 月底。 ? 這款電池的核心技術(shù)在于將負(fù)極材料由傳統(tǒng)石墨替換為硅材料
    的頭像 發(fā)表于 05-19 03:02 ?3283次閱讀

    恩智浦推出第三代成像雷達(dá)處理器S32R47系列

    恩智浦半導(dǎo)體發(fā)布采用16納米FinFET技術(shù)的新一S32R47成像雷達(dá)處理器,進(jìn)一步鞏固公司在成像雷達(dá)領(lǐng)域的專業(yè)實(shí)力。S32R47系列是第三代成像雷達(dá)處理器,性能比前代產(chǎn)品提升高達(dá)兩
    的頭像 發(fā)表于 05-12 15:06 ?8.9w次閱讀