存儲器粗略的可以分為
1.非揮發(fā)性存儲器，如NAND、NOR Flash，數(shù)據(jù)在掉電后不會丟失。這類存儲器通常速度比較慢，可以做資料和大數(shù)據(jù)存儲。

2.揮發(fā)性存儲器，如DRAM、SRAM。它們通常速度較快，但數(shù)據(jù)在掉電后會丟失，通常被用作程序存儲器、數(shù)據(jù)緩存(buffer)。

3.新一代的存儲器：如ReRAM,MRAM,FRAM等，他們的特點是結合了上述兩種存儲器的優(yōu)點：運行速度快，掉電不丟失。目前，他們的一些局限在于容量還不能做得很大，所以還無法實現(xiàn)DRAM或NAND能實現(xiàn)的容量密度；或者再單位bit的成本，還無法與傳統(tǒng)存儲器競爭。

4.PSRAM：pseudo SRAM，偽SRAM。它具有類SRAM的接口協(xié)議：給出地址、讀、寫命令，就可以實現(xiàn)存取，不像DRAM需要memory controller來控制內(nèi)存單元定期數(shù)據(jù)刷新，因此結口簡單；但它的內(nèi)核是DRAM架構：1T1C一個晶體管一個電容構成存儲cell，而傳統(tǒng)SRAM需要6T即六個晶體管構成一個存儲cell。由此結合，他可以實現(xiàn)類SRAM的接口有可實現(xiàn)較大的存儲容量。

新的串行pSRAM能有效改善傳統(tǒng)隨機存取記憶體的問題，并具有以下優(yōu)點：
1.更大的帶寬：串行PSRAM以八路串行接口之規(guī)格，在200MHz Double-data-rate的速率，其數(shù)據(jù)帶寬大于3Gbps。

2.更高的容量：串行PSRAM容量為64M，比其他現(xiàn)行市面上的串行接口隨機存取記憶體的記憶容量大很多。

3.更低的成本：串行PSRAM採用先進的DRAM技術，有效地壓縮芯片體積，故串行PSRAM生產(chǎn)成本接近DRAM成本。

4.更小的尺寸：串行PSRAM的低引腳數(shù)封裝與傳統(tǒng)隨機存取記憶體(RAM)相較之下，更具尺寸小、成本低等優(yōu)勢。

5.應用介面簡單：因為新型的設計技術，串行PSRAM不需要更新週期(Refresh Cycle)，與DRAM需要更新不同，故串行PSRAM介面較傳統(tǒng)隨機存取記憶體(RAM)更為簡單。

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審核編輯 黃宇