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DDR5設(shè)計(jì)指南(二):什么是CAMM2?

KiCad ? 來(lái)源:KiCad ? 作者:KiCad ? 2025-10-28 11:15 ? 次閱讀
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本文將詳細(xì)介紹 CAMM2 及其布線規(guī)范。

什么是 CAMM2?

CAMM2 的全稱是Compression Attached Memory Module 2,是由 JEDEC (固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)) 正式采納并發(fā)布的新一代內(nèi)存模組標(biāo)準(zhǔn)(標(biāo)準(zhǔn)代號(hào)為JESD318),于 2023 年 12 月發(fā)布。它旨在取代已在筆記本電腦和小型 PC 中使用了超過(guò) 25 年的SO-DIMM標(biāo)準(zhǔn)。

CAMM2 的主要特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì):

  1. 更薄、更節(jié)省空間:CAMM2 模組的設(shè)計(jì)非常纖薄,它平貼在主板上,而不是像 SO-DIMM 那樣傾斜插入。與 SO-DIMM 相比,它可以節(jié)省高達(dá) 57% 的厚度和顯著的主板面積,這對(duì)于制造更輕薄的筆記本電腦至關(guān)重要。

  2. 實(shí)現(xiàn) LPDDR 內(nèi)存的模組化:這是 CAMM2 最大的突破之一。傳統(tǒng)上,LPDDR (低功耗內(nèi)存) 因其信號(hào)要求,幾乎總是直接焊接在主板上,導(dǎo)致用戶無(wú)法升級(jí)。CAMM2 標(biāo)準(zhǔn)(特別是 LPDDR5/5X CAMM2)首次實(shí)現(xiàn)了低功耗內(nèi)存的可插拔和可更換,兼顧了 LPDDR 的低功耗和高性能,以及模組化升級(jí)的靈活性。

  3. 更高的性能和帶寬:由于模組直接平貼在主板上,內(nèi)存顆粒與 CPU 之間的信號(hào)路徑更短、更直接。這減少了信號(hào)干擾,使其能夠支持比 SO-DIMM 更高的內(nèi)存頻率和數(shù)據(jù)速率。

  4. 支持雙通道:單個(gè) CAMM2 模組就可以支持雙通道內(nèi)存配置。而在 SO-DIMM 時(shí)代,實(shí)現(xiàn)雙通道通常需要安裝兩條內(nèi)存條。這簡(jiǎn)化了主板設(shè)計(jì),并能在有限空間內(nèi)提供更高的數(shù)據(jù)吞吐量。

  5. 兩種版本:JESD318 標(biāo)準(zhǔn)定義了兩種 CAMM2:

  • DDR5 CAMM2:針對(duì)需要高性能的主流筆記本和臺(tái)式機(jī)。

  • LPDDR5/5X CAMM2:針對(duì)需要極致輕薄和低功耗的筆記本電腦。 這兩種模組的引腳定義不同,不能混用,以確保系統(tǒng)安全。

SODIMM vs CAMM2

引腳設(shè)計(jì)

傳統(tǒng) SODIMM 金手指接觸設(shè)計(jì)暴露在環(huán)境中,會(huì)導(dǎo)致 SODIMM氧化

wKgZPGkANmKAPFXeAAjii9zF96U525.png

新 CAMM2 壓縮觸點(diǎn)引腳設(shè)計(jì)平直且短,并封裝在一個(gè)圓柱體內(nèi)。

wKgZPGkANmiAVI2kAATEUsElFTU903.png

CAMM PCB 阻擋圓柱體頂部 (模組),主板 PCB 阻擋圓柱體底部 。

wKgZPGkANmiACsJrAAEYAb0lD6A077.pngwKgZPGkANmmAbkmjAAGyRy-W558574.png

新的 CAMM2 壓縮觸點(diǎn)設(shè)計(jì):

  • 在環(huán)境保護(hù)方面的巨大改進(jìn)

  • 從根本上降低 EMC

  • 隱藏式觸點(diǎn)尖端,大大降低損壞風(fēng)險(xiǎn)

  • 成熟的連接器技術(shù)和引腳間距,可多源供應(yīng)。

wKgZPGkANmmAZ-rmAAXLOXP4yD0421.png

CAMM2 設(shè)計(jì)有望消除內(nèi)存重插的需求。

CAMM 近觀

Dell 原始 CAMM 版本

  • 616 個(gè)引腳

  • 73.90 x 14.65 x 2.87 mm

  • 兩個(gè)安裝孔

wKgZPGkANmmAOrixAAWOD3KmFmU955.png

JEDEC CXXX 版本

  • 644 個(gè)引腳,無(wú)接地屏蔽

  • 78.00 x 17.00 x 1.00 mm

  • 主要用于 LPDDR5 CAMM

wKgZPGkANmmAYhSXAAQoLLOmvAE244.png

JEDEC CAMM2 版本

  • 356 個(gè)引腳 + 112 個(gè)接地屏蔽 (結(jié)構(gòu) A)

  • 78.00 x 17.00 x 2.87 mm

  • 3 個(gè)用于 DDR5 的安裝孔

  • 3 個(gè)用于 LPDDR5 的安裝孔

wKgZPGkANmqAAFnhAASwFEAnuVg677.pngwKgZPGkANmqAVJ1FAAEKaQhR0Dc661.png

DDR5 CAMM2

wKgZPGkANmqAGmvsAAyJSste-fM734.pngLPDDR5/5X CAMM2wKgZPGkANmqAbtFZAApUnUms2os240.pngLayout 理念wKgZPGkANmuAYvRPAAFqGZPIgvs110.png

DDR5 外形規(guī)格

wKgZPGkANmuAQC_KAAf6GO83IR0635.png

LPDDR5 外形規(guī)格

wKgZPGkANmuAEumDAAUDsu4ilWw822.pngwKgZPGkANmuAfLwbAAX_PVIWI5E215.png

通過(guò) LPDDR5 silicon stacking 實(shí)現(xiàn) 16, 32, 64GB 容量

wKgZPGkANmyACQujAAMmxitg5VE224.png

美光率先推出基于 LPDDR5X 的 LPCAMM2 內(nèi)存,轉(zhuǎn)變 PC 用戶體驗(yàn)

Layout 要求

wKgZPGkANmyAaMVEAAZE8jXvn-o816.png

DDR5 Pinout

wKgZPGkANmyAHH8RAAJsdldl2w8636.jpg

LPDDR5 Pinout

wKgZPGkANmyAXz-tAAOMhCPvY-U856.png

單通道 VS 雙通道

主板 PCB CAMM 安裝

wKgZPGkANm2AKsj2AAMTGY4mRU8390.png

層疊

多種因素影響模塊堆疊結(jié)構(gòu)的定義,模塊供應(yīng)商會(huì)與 PCB 供應(yīng)商一起,根據(jù)材料特性、材料可用性、電氣性能和成本等多種因素來(lái)定義其堆疊結(jié)構(gòu)。

DDR5 CAMM2 14 層層疊:

wKgZPGkANm2ARvjFAAC4QIUpp1I983.png

DDR5 CAMM2 16 層層疊:

wKgZPGkANm2AAYvHAACCjdw1hBw895.png

DDR5 及 LPDDR5 CAMM2 10 層層疊:

wKgZPGkANm2AGvThAACCga4oYmw745.png

DDR5 CAMM2 12 層層疊:

wKgZPGkANm2AFiYyAACAHmBN3dg869.png

模塊拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)

wKgZPGkANm2AVXxSAAiEJZzTfvs509.png

16GB 雙通道,32GB 雙通道及LPDDR5

wKgZPGkANm2AFWadAABTn529kKM320.png

16GB DC:8顆 DRAM 頂層和底層各4顆

wKgZPGkANm6AQKk9AABLzNztr7M243.png

32GB DC:16顆 DRAM 頂層12顆,底層4顆

wKgZPGkANm6AOft9AAB4deqE_oI176.png

LPDDR5:頂層4顆DRAM

wKgZPGkANm6AVoo3AAXmt4Jzuak556.png

64GB 雙通道及 64GB 單通道

線長(zhǎng)匹配(Length Matching)

CAMM2 DDR5 線長(zhǎng)匹配規(guī)范:16GB 雙通道:wKgZPGkANm6AF3ztAARr0x6wlxY147.png32GB 雙通道:wKgZPGkANm6AaOeFAAU-JoMBwW4074.png64GB 雙通道:wKgZPGkANm-AJg6EAAV5ERD2QZw986.pngwKgZPGkANm-AVjlEAALzL9VwqHE383.png64GB 單通道:wKgZPGkANm-AXC2aAAV4G49OY9U440.pngwKgZPGkANm-AXwuIAAMZ_RXoeqo864.pngLPDDR5:wKgZPGkANnCAGPJOAAS8wbonLGE876.png偏移(Offset)

與 SoDIMM 不同,CAMM2 引腳不是線性的。因此,需要額外的調(diào)諧來(lái)匹配連接到路徑下游 1-5 毫米的走線。

如果這些走線在模塊側(cè)反向遇到相同數(shù)量的額外長(zhǎng)度,那么增加的長(zhǎng)度將是必要的兩倍。

wKgZPGkANnCAAy65AAW2F-j3aAw581.png解決方案:實(shí)現(xiàn)一個(gè)在長(zhǎng)度匹配時(shí)應(yīng)用的偏移量。在 CPU 一側(cè),將 CA[0] 增加5mm,然后與時(shí)鐘匹配。在模塊一側(cè),從 CA[0] 減去5mm,然后與它的時(shí)鐘匹配。這樣可以使整體長(zhǎng)度匹配,但實(shí)際增加的長(zhǎng)度較少。wKgZPGkANnCAQu-BAAP9b-AX_LQ846.png

信號(hào)完整性

串?dāng)_(Crosstalk)仿真是消除串?dāng)_的最終檢查。現(xiàn)在 PCB 設(shè)計(jì)軟件包開始提供價(jià)格合理的仿真選項(xiàng),以便在設(shè)計(jì)時(shí)進(jìn)行仿真。以下是為消除串?dāng)_的DDR5 仿真規(guī)則:
  • 間距
  • 線長(zhǎng)匹配
  • 走線寬度
  • 接地屏蔽
  • 接地過(guò)孔
  • 溝槽(MOATS)
間距(Spacing)

消除串?dāng)_的關(guān)鍵部分。這些 DDR5 規(guī)則未作為標(biāo)準(zhǔn)記錄。

走線最小間距建議:

? 時(shí)鐘-時(shí)鐘=> .25 mm

? 時(shí)鐘到 CA => .3 mm

? CA 到 CA => .15 mm

? DQ 到 DQS => .18 mm

? DQ 到 DQ => .18 mm

  • 字節(jié)到字節(jié) => .3 mm

  • WCK 到 DQ => .375 mm

  • WCK 到 DQS => .375 mm

  • 子通道到子通道 => .5 mm

間距越大越好!

最小化走線平行的區(qū)域。即使是很小的中斷也有助于減少串?dāng)_。

wKgZPGkANnCAZ6DYAAVi3gYbVbE899.png線長(zhǎng)匹配(Length Matching)
  • 主板上或帶有板載內(nèi)存的長(zhǎng)度匹配取決于 SoC。

  • 如果在模組上,必須符合 JEDEC CAMM2 通用標(biāo)準(zhǔn)。

  • 線長(zhǎng)匹配的詳情已在上文中介紹。

走線寬度(Trace Width)

走線寬度對(duì)于匹配目標(biāo)阻抗非常重要。實(shí)際寬度取決于電路板層疊結(jié)構(gòu)。

DDR5 目標(biāo)是:

  • DQ/CA/CS => 40 Ohm

  • DQS => 75 Ohm

  • 時(shí)鐘 =>

    • 主板上 75 Ohm

    • 模塊上從時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器到 DRAM 45 Ohm

LPDDR5:

  • DQ/CA/CS => 40 Ohm

  • DQS/CLK => 75 Ohm

  • WCK => 65 Ohm

接地屏蔽(Ground Shielding)
  • 接地屏蔽對(duì)高速線路非常重要。

  • 每條高速線路的上方和下方都應(yīng)有接地平面。

  • 相鄰接地平面應(yīng)至少覆蓋高速線路一個(gè)走線寬度。

  • 在緊密走線之間有少量接地平面可以顯著減少串?dāng)_。

接地過(guò)孔(Ground Vias)
  • 盡可能將接地過(guò)孔放置在所有信號(hào)縫合過(guò)孔附近,盡可能一對(duì)一。

  • 策略性放置的接地過(guò)孔可以將信號(hào)的串?dāng)_降低多達(dá) 15 mV

  • 所有差分對(duì)周圍以及層變化處都需要接地過(guò)孔。

溝槽(Moats)
  • 溝槽是圍繞高速線路的參考平面中的任何斷裂。

  • 打開所有參考平面以突出顯示可能的溝槽非常重要。

  • 走線絕不能進(jìn)入過(guò)孔周圍的間隙,特別是當(dāng)它們合并到一個(gè)空隙中時(shí)。

  • 需要在高速線路周圍的上下層設(shè)置接地參考平面,確保包圍每個(gè)走線段。

wKgZPGkANnGAPIxLAAT51BMRGp8899.png一個(gè)字節(jié)的仿真結(jié)果wKgZPGkANnGACEgzAAeL0LB7zPo244.png

總結(jié)(Lessons Learned)

  • 對(duì)不同設(shè)計(jì)階段中的不斷變化持開放態(tài)度。

  • 沒有什么是固定不變的,始終考慮所有的布局和連接選項(xiàng)。

  • 在開始布線之前輸入您的層疊約束,即使是初步的。

  • 在調(diào)線長(zhǎng)之前,利用可用的 DRAM 交換引腳選項(xiàng)來(lái)縮短走線長(zhǎng)度。

  • 記住永遠(yuǎn)不要在 nibble(半字節(jié)) 之外交換 DDR5 引腳。

  • 使您的連接盡可能短。

  • 在調(diào)線長(zhǎng)之前,始終添加 SoC 封裝長(zhǎng)度并打開 Z 軸。

  • 首先調(diào)時(shí)鐘的長(zhǎng)度。

  • 不要忘記您的接地過(guò)孔,因?yàn)樗鼈円院蠛茈y添加。

  • 在表層高速走線之間添加接地參考平面和屏蔽。

  • 遠(yuǎn)離溝槽,以避免串?dāng)_。

  • 質(zhì)疑規(guī)范和規(guī)則是可以的。

  • 最重要的是永不放棄!


文中的部分圖片和內(nèi)容引用自 Charlene McCauly 以及 Terrie Duffy 的 “設(shè)計(jì)者眼中的 DDR5” 報(bào)告

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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