電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 2025年10月27日，瀾起科技正式宣布，已完成DDR5第四子代寄存時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器芯片（RCD04）的量產(chǎn)。據(jù)瀾起科技介紹，RCD04芯片是高性能服務(wù)器及數(shù)據(jù)中心內(nèi)存系統(tǒng)的核心組件，數(shù)據(jù)傳輸速率最高可達(dá)7200MT/s，較上一代產(chǎn)品提升超過(guò)12.5%。

在電源管理方面，RCD04芯片通過(guò)優(yōu)化電源分配和動(dòng)態(tài)調(diào)整電壓，實(shí)現(xiàn)了在更高傳輸速率下的功耗優(yōu)化。這不僅降低了數(shù)據(jù)中心的運(yùn)營(yíng)成本，還提高了系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。同時(shí)，先進(jìn)的信號(hào)處理技術(shù)確保了信號(hào)在高速傳輸過(guò)程中的完整性和準(zhǔn)確性，為大規(guī)模數(shù)據(jù)中心的穩(wěn)定運(yùn)行提供了堅(jiān)實(shí)保障。

RCD04芯片符合JEDEC DDR5RCD04標(biāo)準(zhǔn)，采用雙通道內(nèi)存架構(gòu)和1.1V VDD電壓，支持雙通道1:2命令/地址/控制信號(hào)輸入的寄存緩沖，內(nèi)部集成PLL時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)模塊，每通道輸出5對(duì)差分時(shí)鐘信號(hào)。這些特性使得RCD04芯片能夠輕松應(yīng)對(duì)新一代服務(wù)器平臺(tái)對(duì)內(nèi)存速率和帶寬不斷攀升的需求，為人工智能、機(jī)器學(xué)習(xí)等高要求工作負(fù)載提供了強(qiáng)大的內(nèi)存支持。

在RCD04芯片之前，瀾起科技已經(jīng)成功量產(chǎn)了DDR5第二子代和第三子代RCD芯片，為內(nèi)存接口芯片領(lǐng)域的技術(shù)迭代奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。

瀾起科技推出的DDR5第二子代RCD芯片（RCD02），最高支持5600MT/s速率，符合JEDEC DDR5RCD02標(biāo)準(zhǔn)。該芯片采用雙通道內(nèi)存架構(gòu)和1.1V VDD電壓，為數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用提供了更高容量、更低功耗的內(nèi)存解決方案。RCD02芯片的成功量產(chǎn)，標(biāo)志著瀾起科技在DDR5內(nèi)存接口芯片領(lǐng)域的技術(shù)實(shí)力得到了初步驗(yàn)證。

緊接著，瀾起科技又成功推出了DDR5第三子代RCD芯片（RCD03），最高支持6400MT/s速率，符合最新的JEDEC DDR5RCD03標(biāo)準(zhǔn)。RCD03芯片在RCD02的基礎(chǔ)上，進(jìn)一步提升了內(nèi)存數(shù)據(jù)訪問(wèn)的速度和穩(wěn)定性，滿足了新一代服務(wù)器平臺(tái)對(duì)容量、帶寬、訪問(wèn)延遲等內(nèi)存性能的更高要求。這一技術(shù)突破，不僅鞏固了瀾起科技在內(nèi)存接口芯片領(lǐng)域的領(lǐng)先地位，也為后續(xù)RCD04芯片的研發(fā)奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。

瀾起科技表示，2025年上半年公司業(yè)績(jī)大幅增長(zhǎng)，主要受益于AI產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)，行業(yè)需求旺盛，公司的DDR5內(nèi)存接口及模組配套芯片出貨量顯著增長(zhǎng)，且第二子代和第三子代RCD芯片出貨占比增加，推動(dòng)公司內(nèi)存接口及模組配套芯片銷售收入大幅增長(zhǎng)。

瀾起科技自2004年成立以來(lái)，一直致力于為云計(jì)算和數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域提供高性能、低功耗的芯片解決方案。公司表示，未來(lái)將持續(xù)深化與全球服務(wù)器及內(nèi)存模組廠商的合作，全力推動(dòng)基于 DDR5 第四子代技術(shù)的產(chǎn)品快速落地商用。