最近接到一個平磨后晶背直接露出來的MOS管?？蛻裟沁呎f這顆芯片漏電了，希望我們幫忙看看問題出在哪。他們要求測試G-DS通路（柵極接正極，源極和漏極短在一起做負(fù)極），最大電壓20V，電流限制100μA。聽起來挺簡單，但其實這類樣品要特別小心，參數(shù)一大，樣品可能就“再也回不來了”。

第一步：IV測試，先摸清漏電程度

客戶說漏電，我們還是得先驗證一下。于是上設(shè)備跑了一下IV曲線。

致晟光電 iv曲線

結(jié)果一看，3.5V左右電流就沖上100μA，果然是漏得不輕。IV這一步其實是“摸底”階段，用來判斷后續(xù)熱測試能不能安全做。畢竟如果直接上高壓去跑熱點，很容易讓樣品漏電更嚴(yán)重，那就改變了樣品本身的失效。

第二步：熱點測試，看漏電點在哪

既然3.5V、100μA已經(jīng)能跑出明顯電流，那這個參數(shù)也差不多夠產(chǎn)生熱信號了。因為晶背是裸露的，熱量能很快傳到表面，所以我們就直接在這個參數(shù)下做熱點測試。

樣品在1倍鏡頭下的熱點情況

樣品比較小，我們跳過廣角鏡頭，直接用1倍鏡頭上。果然能看到晶背表面有一塊比較集中的熱點。這個階段，我們還順手做了測量，方便后續(xù)對比。

樣品在1倍鏡頭下的測量結(jié)果

然后切換到3倍鏡頭放大觀察。

樣品在3倍鏡頭下的熱點情況

不過由于晶背材質(zhì)的紅外透過率、折射率和表面粗糙度不同，鏡頭沒法透過去看內(nèi)部結(jié)構(gòu)，繼續(xù)放大倍率觀察也沒有明顯參照物。所以測試到這一步，我們就就再放大。

綜合IV結(jié)果和熱點分布，基本能確認(rèn)：

樣品確實存在漏電問題；

漏點集中在晶背某一小塊區(qū)域；

3.5V、100μA的參數(shù)就足以復(fù)現(xiàn)現(xiàn)象。

對于這類晶背暴露的MOS器件，最重要的就是控制測試條件。有時候電流上去一點，芯片就直接損壞，連“罪魁禍?zhǔn)住倍紱]法看了。

審核編輯 黃宇