仁懋電子(MOT)推出的MOT4025G是一款互補(bǔ)增強(qiáng)型 MOSFET,集成 N 溝道與 P 溝道管,憑借 40V 耐壓、超低導(dǎo)通電阻及優(yōu)異開(kāi)關(guān)特性,適用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)、DC-DC 轉(zhuǎn)換器等大功率場(chǎng)景。以下從器件特性、電氣參數(shù)、應(yīng)用場(chǎng)景等維度展開(kāi)說(shuō)明。
一、產(chǎn)品基本信息
- 器件類(lèi)型:互補(bǔ)增強(qiáng)型 MOSFET(N 溝道 + P 溝道)
- 耐壓規(guī)格:漏源極耐壓(\(V_{DS}\))均為40V
- 導(dǎo)通電阻:
- N 溝道:\(V_{GS}=10V\)時(shí)典型17mΩ,\(V_{GS}=4.5V\)時(shí)典型22mΩ;
- P 溝道:\(V_{GS}=-10V\)時(shí)典型29mΩ,\(V_{GS}=-4.5V\)時(shí)典型34mΩ。
二、核心特性
- 先進(jìn)溝槽單元設(shè)計(jì):采用超級(jí) trench 結(jié)構(gòu),大幅降低導(dǎo)通電阻,提升電流密度,適配大電流功率轉(zhuǎn)換;
- 互補(bǔ)架構(gòu)優(yōu)勢(shì):N 溝道與 P 溝道管協(xié)同工作,簡(jiǎn)化電機(jī)驅(qū)動(dòng)、DC-DC 轉(zhuǎn)換器的拓?fù)湓O(shè)計(jì);
- 低熱阻與高可靠性:結(jié)到殼熱阻(\(R_{JC}\))3.6℃/W,保障大功耗工況下的結(jié)溫控制,工作溫度范圍-55~+150℃;
- 高頻開(kāi)關(guān)適配:動(dòng)態(tài)電容(輸入、輸出、反向傳輸電容)優(yōu)化,開(kāi)關(guān)時(shí)間(導(dǎo)通延遲、上升 / 下降時(shí)間)達(dá)納秒級(jí),適合高頻 PWM 控制。
三、關(guān)鍵電氣參數(shù)(\(T_c=25^\circ\text{C}\),除非特殊說(shuō)明)
| 參數(shù) | 符號(hào) | N 溝道 | P 溝道 | 單位 |
|---|---|---|---|---|
| 連續(xù)漏極電流(\(I_D\)) | 28A(\(T_c=25^\circ\text{C}\))19.8A(\(T_c=100^\circ\text{C}\)) | -15A(\(T_c=25^\circ\text{C}\))-10.6A(\(T_c=100^\circ\text{C}\)) | A | |
| 脈沖漏極電流(\(I_{DM}\)) | 70A | -60A | A | |
| 最大功耗(\(P_D\)) | 35W | 35W | W | |
| 柵源極電壓(\(V_{GS}\)) | ±20V | ±20V | V | |
| 閾值電壓(\(V_{GS(th)}\)) | \(V_{GS(th)}\) | 1.0~2.0V | -2.0~-1.0V | V |
| 動(dòng)態(tài)電容(典型值) | \(C_{iss}\)/\(C_{oss}\)/\(C_{rss}\) | 964pF/109pF/96pF | - | pF |
| 開(kāi)關(guān)時(shí)間(典型值) | 導(dǎo)通延遲 / 上升時(shí)間 / 關(guān)斷延遲 / 下降時(shí)間 | 5.5ns/14ns/5ns/24ns | - | ns |
四、應(yīng)用場(chǎng)景
- 電機(jī)驅(qū)動(dòng):利用互補(bǔ)架構(gòu)實(shí)現(xiàn)電機(jī)的正反轉(zhuǎn)控制,低導(dǎo)通電阻特性降低驅(qū)動(dòng)損耗,提升電機(jī)效率;
- DC-DC 轉(zhuǎn)換器:在同步整流、降壓 / 升壓拓?fù)渲凶鳛橹鏖_(kāi)關(guān)管,高頻開(kāi)關(guān)特性與低損耗設(shè)計(jì)提升電源轉(zhuǎn)換效率。
五、信息來(lái)源
仁懋電子(MOT)官方產(chǎn)品手冊(cè)(注:以上參數(shù)基于手冊(cè)標(biāo)注整理,實(shí)際應(yīng)用需以最新版手冊(cè)及器件批次測(cè)試數(shù)據(jù)為準(zhǔn)。)
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
MOSFET
+關(guān)注
關(guān)注
151文章
9678瀏覽量
233647 -
MOS
+關(guān)注
關(guān)注
32文章
1743瀏覽量
100761 -
仁懋電子
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
193瀏覽量
523
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
LT4606SQO互補(bǔ)增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書(shū)
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT4606SQO互補(bǔ)增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書(shū).pdf》資料免費(fèi)下載
發(fā)表于 02-28 17:41
?0次下載
LTH004FK互補(bǔ)增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書(shū)
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LTH004FK互補(bǔ)增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書(shū).pdf》資料免費(fèi)下載
發(fā)表于 03-04 17:11
?0次下載
LTH004FP互補(bǔ)增強(qiáng)型功率MOSFET(N和P溝道)規(guī)格書(shū)
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LTH004FP互補(bǔ)增強(qiáng)型功率MOSFET(N和P溝道)規(guī)格書(shū).pdf》資料免費(fèi)下載
發(fā)表于 03-01 16:33
?0次下載
LTH004SQ 40V互補(bǔ)增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書(shū)
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LTH004SQ 40V互補(bǔ)增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書(shū).pdf》資料免費(fèi)下載
發(fā)表于 03-01 16:32
?0次下載
LT8649SY 20V互補(bǔ)增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書(shū)
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT8649SY 20V互補(bǔ)增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書(shū).pdf》資料免費(fèi)下載
發(fā)表于 03-26 16:11
?0次下載
MOT4913J N+N 增強(qiáng)型 MOSFET 技術(shù)解析:參數(shù)、特性與應(yīng)用場(chǎng)景
解析,為工程師的選型與設(shè)計(jì)提供技術(shù)參考。一、產(chǎn)品基本定位與結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)MOT4913J是一款N+N增強(qiáng)型MOSFET,采用PDFN3X3封裝形式,內(nèi)部集成兩個(gè)獨(dú)立的N
選型手冊(cè):MOT1793G P 溝道功率 MOSFET 晶體管
仁懋電子(MOT)推出的MOT1793G是一款面向-100V低壓大電流場(chǎng)景的P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借超低導(dǎo)通電阻、18A大電流承載能力及PDFN小型化封裝,廣泛適用于DC/D
選型手冊(cè):MOT3920J 雙 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
仁懋電子(MOT)推出的MOT3920J是一款雙N溝道增強(qiáng)型MOSFET,憑借30V耐壓、超低導(dǎo)通電阻及優(yōu)異的高頻開(kāi)關(guān)特性,適用于DC/DC轉(zhuǎn)換器、高頻開(kāi)關(guān)電路及同步整流等場(chǎng)景。一、產(chǎn)
選型手冊(cè):MOT2914J 雙 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
仁懋電子(MOT)推出的MOT2914J是一款雙N溝道增強(qiáng)型MOSFET,憑借20V耐壓、超低導(dǎo)通電阻及優(yōu)異的高頻開(kāi)關(guān)特性,適用于DC/DC轉(zhuǎn)換器、高頻開(kāi)關(guān)電路及同步整流等場(chǎng)景。一、產(chǎn)
選型手冊(cè):MOT3650J N+P 增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管
仁懋電子(MOT)推出的MOT3650J是一款N+P增強(qiáng)型MOSFET,集成N溝道與P溝道單元,憑借超低導(dǎo)通電阻、低柵極電荷特性,適用于計(jì)算設(shè)備電源管理、負(fù)載開(kāi)關(guān)、快速無(wú)線(xiàn)充電、電機(jī)驅(qū)
選型手冊(cè):MOT4633G 互補(bǔ)增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管
仁懋電子(MOT)推出的MOT4633G是一款N+P互補(bǔ)增強(qiáng)型MOSFET,集成N溝道與P溝道單元,憑借先進(jìn)溝槽設(shè)計(jì)、低導(dǎo)通電阻及低熱阻特性
選型手冊(cè):MOT6929G N+N 增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管
仁懋電子(MOT)推出的MOT6929G是一款N+N增強(qiáng)型MOSFET,集成兩顆N溝道單元,憑借60V耐壓、低導(dǎo)通電阻及高電流承載能力,適用于電動(dòng)工具電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電動(dòng)汽車(chē)機(jī)器人等大功率開(kāi)
選型手冊(cè):MOT3712G P 溝道功率 MOSFET 晶體管
仁懋電子(MOT)推出的MOT3712G是一款P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借-30V耐壓、低導(dǎo)通電阻及高電流承載能力,適用于PWM應(yīng)用、負(fù)載開(kāi)關(guān)、電源管理等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器
選型手冊(cè):MOT4025G 互補(bǔ)增強(qiáng)型 MOSFET
評(píng)論