半導(dǎo)體風(fēng)口已來(lái)，測(cè)試技術(shù)如何應(yīng)對(duì)？

在物聯(lián)網(wǎng)、毫米波、硅光子、人工智能等技術(shù)的推動(dòng)下，國(guó)家大力發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)正迎來(lái)新一輪發(fā)展機(jī)遇。2018年3月28日，財(cái)政部等四部門發(fā)布了《關(guān)于集成電路生產(chǎn)企業(yè)有關(guān)企業(yè)所得稅政策問(wèn)題的通知》，規(guī)定符合條件的集成電路生產(chǎn)企業(yè)，最多可享受“五免五減半”企業(yè)所得稅。2018年4月25日，工信部表示國(guó)家集成電路（IC）產(chǎn)業(yè)投資基金正在募集第二期資金。國(guó)家對(duì)半導(dǎo)體行業(yè)投入真金白銀的扶持。

而在需求端，智慧家居、智能汽車、智慧工業(yè)等概念如火如荼，智能手機(jī)的激烈競(jìng)爭(zhēng)導(dǎo)致手機(jī)廠商亟待在集成電路和傳感器方面實(shí)現(xiàn)創(chuàng)新和突破，這些中國(guó)集成電路企業(yè)的客觀環(huán)境讓半導(dǎo)體企業(yè)看到美好前景的同時(shí)，也對(duì)半導(dǎo)體器件在性能、產(chǎn)能等方面提出了更高的要求。如何大幅度加快研發(fā)進(jìn)度，縮短產(chǎn)品進(jìn)入市場(chǎng)的時(shí)間，如何提高半導(dǎo)體器件的測(cè)試效率，有效降低測(cè)試成本，是所有半導(dǎo)體從業(yè)公司重點(diǎn)關(guān)注的問(wèn)題。

在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)大發(fā)展的同時(shí)，作為半導(dǎo)體行業(yè)關(guān)鍵一環(huán)的半導(dǎo)體測(cè)試需求也將日益復(fù)雜。隨著產(chǎn)品集成度提升，一方面，傳統(tǒng)ATE量產(chǎn)測(cè)試難以滿足需求；另一方面，需要借鑒實(shí)驗(yàn)室數(shù)據(jù)才能完成的量產(chǎn)測(cè)試，而將產(chǎn)線和實(shí)驗(yàn)室數(shù)據(jù)做一致性比對(duì)將耗費(fèi)大量人力、時(shí)間。NI大中華區(qū)總經(jīng)理陳健忠指出：“當(dāng)前半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展的主流即高集成度，產(chǎn)品發(fā)展強(qiáng)調(diào)SoC (System on Chip)和系統(tǒng)級(jí)封裝（SiP），高集成度進(jìn)一步導(dǎo)致測(cè)試復(fù)雜性的提高；同時(shí)，實(shí)驗(yàn)室測(cè)試和量產(chǎn)測(cè)試中間的分界愈發(fā)模糊，半導(dǎo)體測(cè)試領(lǐng)域融合成趨勢(shì)，推動(dòng)跨界勢(shì)在必行！”

目前，全行業(yè)無(wú)不在努力對(duì)標(biāo)芯片更高性能、更小尺寸、更低成本的要求，努力打好創(chuàng)新技術(shù)攻堅(jiān)突破戰(zhàn)，而這也使半導(dǎo)體行業(yè)從業(yè)者面臨更加殘酷的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)以及更加迫切的技術(shù)突破需求，半導(dǎo)體測(cè)試技術(shù)亟待突破！

如何獲取更多技術(shù)突破思路，可能只是一場(chǎng)論壇的距離。

NI半導(dǎo)體測(cè)試技術(shù)創(chuàng)新論壇，關(guān)注探討如何在實(shí)驗(yàn)室V&V驗(yàn)證、晶圓及封裝測(cè)試中進(jìn)一步降低成本、提高上市時(shí)間，針對(duì)RFIC、ADC等混合信號(hào)芯片，探討如何通過(guò)PXI平臺(tái)化方法降低從實(shí)驗(yàn)室到量產(chǎn)的測(cè)試成本、以及提高測(cè)試效率等。論壇亮點(diǎn)議題如下：

議題一、從實(shí)驗(yàn)室測(cè)試臺(tái)到量產(chǎn)ATE，NI平臺(tái)化方法突圍半導(dǎo)體測(cè)試市場(chǎng)

芯片復(fù)雜度和集成度在近年逐漸攀升，高集成度芯片讓測(cè)試項(xiàng)目變得更加復(fù)雜，SiP等新封裝形式也需要用新的測(cè)試手段來(lái)應(yīng)對(duì)。針對(duì)不論是實(shí)驗(yàn)室V&V，到晶圓級(jí)測(cè)試，再到封裝測(cè)試，平臺(tái)化測(cè)試系統(tǒng)方法開(kāi)啟了全新思路。本議題講討論如何通過(guò)平臺(tái)化方法降低測(cè)試成本，提升效率，讓芯片測(cè)試不再困難。

議題二、5G NR射頻前端及毫米波IC測(cè)試技術(shù)

現(xiàn)代的射頻前端模塊越來(lái)越多地將更多模塊（如功率放大器，低噪聲放大器（LNA），雙工器和天線開(kāi)關(guān)）封裝到單個(gè)組件中。而前端模塊對(duì)多模多頻段的支持也增加了整個(gè)測(cè)試的復(fù)雜性。

NI提供從射頻前端模塊測(cè)試，分立射頻元件，射頻收發(fā)機(jī)到射頻MCU的領(lǐng)先RFIC測(cè)試解決方案?；谀K化平臺(tái)設(shè)計(jì)，NI RFIC解決方案能輕松實(shí)現(xiàn)從實(shí)驗(yàn)室特征分析到量產(chǎn)測(cè)試的快速轉(zhuǎn)換，大幅減少測(cè)試時(shí)間和成本。NI自早期的5G原型探索設(shè)計(jì)以來(lái)深度參與合作的NI 繼續(xù)為商用化5G芯片保駕護(hù)航，從已經(jīng)sub-6GHz到毫米波，我們也將同時(shí)深入探討5G NR測(cè)試關(guān)鍵技術(shù)，包括sub-6GHz 射頻前端測(cè)試技巧，毫米波OTA、波束成形測(cè)試等。

議題三、GIT全球儀器： 基于模塊化儀器的系統(tǒng)級(jí)PA驗(yàn)證方案

對(duì)于RF芯片，PA（功率放大器）是主導(dǎo)RF性能的關(guān)鍵部件。 設(shè)計(jì)公司必須完全了解PA的系統(tǒng)級(jí)行為，尤其是針對(duì)于EVM和ACPR。 PA驗(yàn)證系統(tǒng)支持WiFi 802.11a / b / g / n / ac / ax和LTE的系統(tǒng)級(jí)測(cè)試。 在本議題中，我們將探討PA測(cè)試的高級(jí)技巧，并演示GIT全球儀器開(kāi)發(fā)的SPTS-SEMI平臺(tái)，可以幫助用戶快速設(shè)置所有測(cè)試項(xiàng)目，并作為單個(gè)測(cè)試計(jì)劃保存，以便將來(lái)重復(fù)使用。 此外，SPTS-SEMI支持DEVM（動(dòng)態(tài)EVM）測(cè)量和DPD（數(shù)字預(yù)失真）功能。 DEVM用于評(píng)估PA在啟用時(shí)以低EVM輸出RF信號(hào)的速度。 通過(guò)DPD測(cè)量，它可以展示PA的EVM和ACPR性能以滿足系統(tǒng)要求。

議題四、高精度、高速ADC/DAC關(guān)鍵測(cè)試技術(shù)

高精度、高速數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換芯片測(cè)試對(duì)于測(cè)試儀器的成本居高不下，價(jià)格昂貴的信號(hào)源和測(cè)試時(shí)間一直無(wú)法得到有效的平衡。本議題將介紹如何巧用儀器，模塊化儀器方法將儀器有效整合，通過(guò)PXI高精度同步與定時(shí)技術(shù)及高性能儀器，并在軟件上快速實(shí)現(xiàn)INL、DNL及動(dòng)態(tài)特性分析，快速實(shí)現(xiàn)實(shí)驗(yàn)室ADC/DAC芯片搭建。

議題五、博達(dá)微科技：基于機(jī)器學(xué)習(xí)的參數(shù)化測(cè)試與分析系統(tǒng)

博達(dá)微自主研發(fā)的基于深度學(xué)習(xí)算法的behavior-aware（行為感知）的測(cè)試技術(shù)和信號(hào)穩(wěn)定時(shí)間預(yù)測(cè)技術(shù)應(yīng)用于半導(dǎo)體參數(shù)化測(cè)試系統(tǒng)FS Pro（基于NI的SMU模塊），實(shí)現(xiàn)智能測(cè)試方案，實(shí)現(xiàn)最快的IV / CV測(cè)試與表征，最快的1 / f噪聲測(cè)量，最簡(jiǎn)單的基于模塊化結(jié)構(gòu)的可重配置設(shè)計(jì)，以及最簡(jiǎn)單的基于統(tǒng)一軟件平臺(tái)的測(cè)試控制與管理。