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三菱電機亮相2025中國電源學(xué)會學(xué)術(shù)年會

三菱電機半導(dǎo)體 ? 來源:三菱電機半導(dǎo)體 ? 2025-11-17 17:12 ? 次閱讀
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2025年11月7-10日,第四屆中國電力電子與能量轉(zhuǎn)換大會暨展覽會、中國電源學(xué)會第二十八屆學(xué)術(shù)年會(CPEEC&CPSSC 2025)在深圳國際會展中心盛大啟幕。作為集學(xué)術(shù)研討、技術(shù)展示、專項競賽、獎項評選于一體的行業(yè)頂級交流平臺,大會在全球電源與電力電子領(lǐng)域極具影響力與號召力,被視為反映產(chǎn)業(yè)技術(shù)發(fā)展方向的重要平臺之一。本屆盛會展覽面積突破1萬平方米,匯聚全球140余家領(lǐng)域領(lǐng)軍企業(yè),吸引超5000名專業(yè)觀眾齊聚一堂,共探綠色轉(zhuǎn)型背景下的產(chǎn)業(yè)新機遇。三菱電機以鉆石合作伙伴身份重磅出席,全方位展現(xiàn)其在電力電子領(lǐng)域的深厚技術(shù)積淀與前瞻創(chuàng)新實力。

專題講座

主題:功率半導(dǎo)體芯片與模塊的創(chuàng)新技術(shù)

年會首日,17場高質(zhì)量專題講座同步開講,匯聚海內(nèi)外行業(yè)杰出專家分享前沿洞見。三菱電機功率器件制作所首席專家多留谷政良博士受邀發(fā)表題為《功率半導(dǎo)體芯片與模塊的創(chuàng)新技術(shù)》的主題報告,引發(fā)全場高度關(guān)注。

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報告中,多留谷博士深入解析三菱電機第8代IGBT芯片、第3代RC-IGBT芯片的核心結(jié)構(gòu)與先進(jìn)電氣特性——其創(chuàng)新技術(shù)可精準(zhǔn)優(yōu)化開關(guān)損耗與散熱性能,為高功率設(shè)備高效運行提供核心支撐;同時詳解最新一代平面柵及溝槽柵SiC-MOSFET的結(jié)構(gòu)設(shè)計與電氣表現(xiàn),重點探討器件開關(guān)穩(wěn)定性與魯棒性的提升路徑;此外,還揭秘了針對體二極管性能衰退問題的新型工藝突破,展示多款面向電動汽車應(yīng)用的裸片產(chǎn)品,并系統(tǒng)闡述面向多領(lǐng)域的創(chuàng)新功率模塊及底層先進(jìn)技術(shù),為行業(yè)技術(shù)升級提供極具價值的新思路。

工業(yè)報告會

主題:針對xEV的功率模塊與功率芯片解決方案

年會次日的工業(yè)報告會上,三菱電機機電(上海)有限公司黃紅光經(jīng)理發(fā)表《針對xEV的功率模塊與功率芯片解決方案》專題演講,聚焦新能源汽車產(chǎn)業(yè)痛點,傳遞技術(shù)破局之道。

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演講中,黃紅光經(jīng)理詳細(xì)介紹三菱電機專為xEV打造的功率模塊與芯片整體解決方案,重點推介全新壓注模封裝車規(guī)級SiC MOSFET功率模塊J3系列的產(chǎn)品理念、核心特點及性能優(yōu)勢;同時深度解讀三菱電機車規(guī)級SiC芯片的技術(shù)發(fā)展趨勢,深入剖析新一代溝槽柵SiC-MOSFET芯片的技術(shù)亮點與全系列產(chǎn)品布局,為新能源汽車電力系統(tǒng)的高效化、小型化升級提供有力支撐。

精彩展臺現(xiàn)場

在展示區(qū)域,三菱電機攜11款核心產(chǎn)品強勢登場,覆蓋變頻家電、牽引電力、工業(yè)&新能源、電動汽車四大核心應(yīng)用領(lǐng)域,以硬核產(chǎn)品矩陣直觀呈現(xiàn)技術(shù)落地成果,吸引了眾多參會者駐足交流。

變頻家電領(lǐng)域

H/A Inverter

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? 全新發(fā)售的Compact DIPIPM,專為變頻家電及工業(yè)設(shè)備研發(fā),創(chuàng)新拓展工作溫度范圍,有效突破冬季寒冷地區(qū)變頻空調(diào)的應(yīng)用限制,助力變頻技術(shù)在極端環(huán)境下實現(xiàn)更廣泛普及,提升終端產(chǎn)品適配性。

? 首款面向大容量家電的SiC SLIMDIP功率半導(dǎo)體模塊(空調(diào)及家電用SLIMDIP系列全SiC DIPIPM與混合SiC DIPIPM),內(nèi)置專為SLIMDIP封裝優(yōu)化的SiC-MOSFET芯片,可顯著提升產(chǎn)品輸出功率,賦能大容量家電實現(xiàn)高效能、小型化升級。

工業(yè)&新能源領(lǐng)域

Industry·Renewable

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? 第8代IGBT模塊憑借技術(shù)革新實現(xiàn)功率密度大幅提升:采用分段式溝槽柵結(jié)構(gòu),并在芯片背面創(chuàng)新應(yīng)用載流子控制等離子體層設(shè)計,通過優(yōu)化芯片厚度,實現(xiàn)功率損耗的顯著降低,為工業(yè)設(shè)備、新能源發(fā)電系統(tǒng)提供高能效解決方案。

電動汽車領(lǐng)域

EV/HEV

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? 主驅(qū)逆變器專用J3系列SiC-MOSFET功率半導(dǎo)體模塊,涵蓋半橋結(jié)構(gòu)T-PM模塊與全橋結(jié)構(gòu)HEXA模塊,憑借高可靠性、高散熱能力的核心優(yōu)勢,有效降低熱阻并助力逆變器小型化,同步減少電感量配置;模塊內(nèi)置高可靠性SiC-MOSFET芯片,進(jìn)一步實現(xiàn)產(chǎn)品高緊湊性與高能量密度,為電動汽車?yán)m(xù)航能力的大幅提升提供核心動力支撐。

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Compact DIPIPM系列PSS30/50SF1F6模塊

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SiC DIPIPM系列產(chǎn)品

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第8代IGBT模塊(NX封裝)

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J3系列T-PM模塊和全橋結(jié)構(gòu)的J3系列HEXA模塊

此次盛會,三菱電機不僅以技術(shù)演講傳遞前沿理念,更以實景產(chǎn)品展示落地成果,與全球行業(yè)同仁深度探討電力電子技術(shù)的未來發(fā)展趨勢,推動產(chǎn)業(yè)資源的深度融合與協(xié)同創(chuàng)新。面向綠色能源轉(zhuǎn)型的時代浪潮,三菱電機將持續(xù)以技術(shù)創(chuàng)新為核心驅(qū)動力,攜手行業(yè)伙伴共繪電力電子產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展藍(lán)圖,開啟功率電子應(yīng)用的全新篇章。

<關(guān)于三菱電機>

三菱電機創(chuàng)立于1921年,是全球知名的綜合性企業(yè)。截止2025年3月31日的財年,集團營收55217億日元(約合美元368億)。作為一家技術(shù)主導(dǎo)型企業(yè),三菱電機擁有多項專利技術(shù),并憑借強大的技術(shù)實力和良好的企業(yè)信譽在全球的電力設(shè)備、通信設(shè)備、工業(yè)自動化、電子元器件、家電等市場占據(jù)重要地位。尤其在電子元器件市場,三菱電機從事開發(fā)和生產(chǎn)半導(dǎo)體已有69年。其半導(dǎo)體產(chǎn)品更是在變頻家電、軌道牽引、工業(yè)與新能源、電動汽車、模擬/數(shù)字通訊以及有線/無線通訊等領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。

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原文標(biāo)題:三菱電機亮相CPEEC&CPSSC 2025 以創(chuàng)新技術(shù)共筑電力電子產(chǎn)業(yè)新生態(tài)

文章出處:【微信號:三菱電機半導(dǎo)體,微信公眾號:三菱電機半導(dǎo)體】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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