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TPL0102-100 雙路 256 抽頭非易失性數(shù)字電位器產(chǎn)品總結(jié)

科技綠洲 ? 2025-11-19 11:33 ? 次閱讀
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TPL0102配備兩個(gè)線(xiàn)性錐形數(shù)字電位器(DPOT),共有256個(gè)擦拭位置。 每個(gè)電位器既可作為三端子電位器,也可以作為兩端子電阻器使用。這 TPL0102-100的端到端電阻為100 kΩ。

TPL0102配備非易失性存儲(chǔ)器(EEPROM),可用于存儲(chǔ)擦刷 位置。這很有好處,因?yàn)橛晁⑽恢眉词乖跀嚯姇r(shí)也會(huì)被存儲(chǔ),且 開(kāi)機(jī)后會(huì)自動(dòng)恢復(fù)??梢栽L(fǎng)問(wèn)TPL0102的內(nèi)部寄存器 使用 I^2^C接口

TPL0102提供14針MicroQFN和14針TSSOP封裝,規(guī)格如下 溫度范圍為-40°C至85°C。
*附件:tpl0102-100.pdf

特性

  • 兩個(gè)分辨率為256位的電位器
  • 非易失性存儲(chǔ)器存儲(chǔ)擦拭設(shè)置
  • 100 kΩ 端到端電阻(TPL0102-100)
  • 對(duì)雨刷設(shè)置的快速啟動(dòng)響應(yīng)時(shí)間:
    <100微秒
  • ±0.5 低壓分壓器 INL,±0.25 低壓分壓
    器 DNL)
  • 4 ppm/°C 比值溫度系數(shù)
  • 我^2^C兼容串行接口
  • 2.7 V 至 5.5 V 單電源工作
  • ±2.25 V至±2.75 V雙電源
  • 工作溫度范圍為–40°C至
    85°C
  • 關(guān)機(jī)模式
  • 根據(jù)JESD 22測(cè)試的ESD性能
    • 2000-V人體模型(A114-B,II類(lèi))
    • 1000伏充電設(shè)備型號(hào)(C101)
  • 應(yīng)用
    • 可調(diào)增益放大器與偏移修剪
    • 可調(diào)節(jié)電源
    • 設(shè)定點(diǎn)閾值的精確校準(zhǔn)
    • 傳感器修剪與校準(zhǔn)
    • 機(jī)械電位器更換

參數(shù)
image.png

TPL0102-100 是德州儀器(TI)推出的雙路線(xiàn)性數(shù)字電位器,核心優(yōu)勢(shì)為非易失性存儲(chǔ)、高線(xiàn)性度與靈活的工作模式,適配增益調(diào)節(jié)、校準(zhǔn)、電源調(diào)整等場(chǎng)景,可替代機(jī)械電位器實(shí)現(xiàn)數(shù)字化控制。

一、核心產(chǎn)品參數(shù)

1. 基礎(chǔ)性能指標(biāo)

  • 分辨率與精度 :每路 256 級(jí)抽頭分辨率,電壓分配模式下積分非線(xiàn)性(INL)±0.5 LSB、差分非線(xiàn)性(DNL)±0.25 LSB;比率溫度系數(shù)低至 4 ppm/°C,通道間電阻匹配度 0.1%。
  • 電阻特性 :端到端電阻 100 kΩ(公差 ±20%),抽頭電阻(RWL/RHW)按線(xiàn)性規(guī)律分布(0~99.61 kΩ);端子電阻最大 200 Ω,抽頭電阻最大 100 Ω,泄漏電流最大 1 μA。
  • 存儲(chǔ)與響應(yīng) :內(nèi)置 EEPROM 非易失性存儲(chǔ),掉電后保持抽頭位置,上電恢復(fù)時(shí)間<100 μs;EEPROM 擦寫(xiě)壽命 10 萬(wàn)次,數(shù)據(jù)保留時(shí)間 100 年(85°C)。
  • 功耗與供電 :?jiǎn)坞娫?2.7 5.5V 或雙電源 ±2.25 ±2.75V 供電;待機(jī)電流典型值 0.2 μA,掉電電流最大 1 μA,非易失性寫(xiě)入電流 200 μA。

2. 環(huán)境與封裝

  • 工作溫度:工業(yè)級(jí)范圍(-40°C 至 85°C);
  • 封裝形式:提供 14 引腳 TSSOP(5.00mm×4.40mm)與 14 引腳 MicroQFN(2.00mm×2.00mm)兩種封裝,符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),ESD 防護(hù)等級(jí)為 HBM±2000V、CDM±1000V。

二、關(guān)鍵功能特性

1. 工作模式

  • 電壓分配模式 :三端使用(H/L/W),輸出電壓與抽頭位置成正比(VW ? =(VH?**?VL ? )**× D /256),支持 0~VDD 寬范圍電壓分配。
  • 可變電阻模式 :兩端使用(H-W 或 L-W),未使用端子可懸空或接抽頭,電阻值隨抽頭位置線(xiàn)性調(diào)節(jié)。
  • 關(guān)斷模式 :通過(guò)寄存器配置使 H 端高阻,降低功耗,適配低功耗場(chǎng)景。

2. 控制與存儲(chǔ)

  • 通信接口:I2C 兼容串行接口,支持標(biāo)準(zhǔn)模式(100 kHz)與快速模式(400 kHz),通過(guò) A0/A1/A2 引腳可配置 8 種設(shè)備地址,支持多器件級(jí)聯(lián)。
  • 寄存器配置:包含 volatile(WRA/WRB)與非易失性(IVRA/IVRB)寄存器,可單獨(dú)修改抽頭位置或存儲(chǔ)至 EEPROM;訪(fǎng)問(wèn)控制寄存器(ACR)支持模式切換與寫(xiě)入狀態(tài)監(jiān)控。

3. 信號(hào)特性

  • 帶寬:電壓分配模式下 229 kHz,可變電阻模式下 54 kHz;總諧波失真(THD)僅 0.03%,串?dāng)_抑制能力 - 82 dB,信號(hào)完整性?xún)?yōu)異。

三、應(yīng)用與設(shè)計(jì)要點(diǎn)

1. 典型應(yīng)用場(chǎng)景

  • 模擬電路校準(zhǔn):傳感器校準(zhǔn)、閾值電壓調(diào)整、放大器增益微調(diào);
  • 電源與信號(hào)調(diào)理:可調(diào)電源輸出、濾波器參數(shù)配置、音量 / 亮度數(shù)字化控制;
  • 工業(yè)控制:替代機(jī)械電位器,實(shí)現(xiàn)設(shè)備參數(shù)的可編程、可存儲(chǔ)調(diào)節(jié)。

2. 硬件設(shè)計(jì)建議

  • 供電與去耦 :電源引腳(VDD/VSS)需就近放置 0.1 μF 陶瓷電容 + 1~10 μF 鉭電容去耦,優(yōu)先采用單電源 5V 供電以獲得最佳線(xiàn)性度;
  • 布局規(guī)范:模擬信號(hào)路徑(H/L/W 引腳)遠(yuǎn)離數(shù)字電路時(shí)鐘線(xiàn),I2C 總線(xiàn)(SDA/SCL)需串聯(lián)上拉電阻(阻值根據(jù)總線(xiàn)電容計(jì)算),且走線(xiàn)盡量短;
  • 模式選型:增益調(diào)節(jié)優(yōu)先用可變電阻模式,電壓分壓 / 校準(zhǔn)優(yōu)先用電壓分配模式,需長(zhǎng)期保存參數(shù)時(shí)需將抽頭位置寫(xiě)入非易失性寄存器。

3. 編程與配置

  • 抽頭控制:通過(guò) I2C 寫(xiě)入 8 位抽頭代碼(0x00~0xFF),直接修改 volatile 寄存器(即時(shí)生效)或同時(shí)寫(xiě)入非易失性寄存器(掉電保存);
  • 地址配置:A0/A1/A2 引腳接 VDD/GND 組合配置 7 位從地址(基礎(chǔ)地址 0x50~0x57),支持 8 個(gè)器件共總線(xiàn);
  • 狀態(tài)監(jiān)控:通過(guò) ACR 寄存器的 WIP 位判斷非易失性寫(xiě)入狀態(tài),避免寫(xiě)入過(guò)程中中斷操作。

四、產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)與選型適配

  • 核心優(yōu)勢(shì):雙路獨(dú)立工作,非易失性存儲(chǔ)無(wú)需重復(fù)校準(zhǔn),高線(xiàn)性度與低溫度系數(shù)保證長(zhǎng)期穩(wěn)定性,小封裝適配緊湊布局;
  • 選型適配:優(yōu)先用于需要數(shù)字化調(diào)節(jié)與參數(shù)保存的場(chǎng)景;若需更高分辨率可選擇 TPL0401(1024 級(jí)),若需單路產(chǎn)品可選擇 TPL0101,若需汽車(chē)級(jí)認(rèn)證可考慮 TPL0102-Q1 系列。
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