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MEMS知多少

西斯特精密加工 ? 2025-11-19 17:35 ? 次閱讀
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了解概念

MEMS全稱Micro-Electro-Mechanical System,即微機電系統(tǒng)。

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MEMS與IC的不同

加工對象不同


MEMS

主要針對微機電系統(tǒng)進行加工制造,對象涵蓋微傳感器、微執(zhí)行器等,例如微加速度計、微陀螺儀,注重機械結(jié)構(gòu)與電子電路的集成,實現(xiàn)微型化的機械運動和傳感功能。

IC

聚焦于半導(dǎo)體材料(如硅等)來制造集成電路,像CPU、存儲芯片等,核心是構(gòu)建晶體管等電子元件,并實現(xiàn)復(fù)雜的電路連接以具備特定的邏輯運算、存儲等功能。

工藝復(fù)雜度不同


MEMS

除了有類似半導(dǎo)體的光刻、刻蝕等常規(guī)步驟外,因要制造出高深寬比的微結(jié)構(gòu)和懸臂結(jié)構(gòu),往往還需增加如犧牲層工藝等特殊步驟,整體復(fù)雜度較高且不同器件間工藝差異可能較大。

IC

側(cè)重于在半導(dǎo)體襯底上構(gòu)建多層、高精度的電子電路結(jié)構(gòu),雖工藝步驟繁多但相對標(biāo)準(zhǔn)化程度較高,尤其是大規(guī)模生產(chǎn)同類型芯片時,可按成熟流程高效開展。

材料不同

MEMS

除常用的硅材料外,還會使用多種材料,如壓電材料(用于實現(xiàn)機械能和電能轉(zhuǎn)換)、金屬材料(構(gòu)建電極、連接等)等,不同功能結(jié)構(gòu)采用不同材料組合。

IC

主要以硅等半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ),輔以少量的金屬(用于布線等)、絕緣材料(實現(xiàn)隔離)等,材料種類相對較為集中,重點是利用半導(dǎo)體的電學(xué)特性構(gòu)建電路。

MEMS產(chǎn)品類別

MEMS 傳感器按感知物理量分為五大類別

01

力學(xué)傳感器

感知力、壓力、加速度等力學(xué)信號,是應(yīng)用最廣的類別。

典型產(chǎn)品:加速度計(手機橫豎屏切換)、陀螺儀(手機游戲姿態(tài)控制)、壓力傳感器(電子血壓計)。

02

聲學(xué)傳感器

將聲音信號(機械振動)轉(zhuǎn)化為電信號。

典型產(chǎn)品:MEMS 麥克風(fēng)(耳機、手機錄音)、MEMS 揚聲器(微型音響設(shè)備)。

03

光學(xué)傳感器

檢測光的強度、波長、相位等光學(xué)特性。

典型產(chǎn)品:MEMS 紅外傳感器(體溫槍)、MEMS 微鏡(投影儀、激光雷達)。

04

磁學(xué)傳感器

感知磁場強度和方向。

典型產(chǎn)品:MEMS 磁強計(手機指南針、導(dǎo)航定位輔助)。

05

環(huán)境傳感器

檢測溫度、濕度、氣體等環(huán)境參數(shù),部分依賴微機械結(jié)構(gòu)實現(xiàn)。

典型產(chǎn)品:MEMS 溫濕度傳感器智能家居)、MEMS 氣體傳感器(空氣質(zhì)量檢測儀)。


不同 MEMS 傳感器及其典型應(yīng)用場景的對照表:

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MEMS晶圓的選擇

不同類型的 MEMS 傳感器根據(jù)其性能要求和工作原理,會采用不同的晶圓材料和結(jié)構(gòu)。

01

加速度計和陀螺儀

加速度計和陀螺儀通常采用單晶硅晶圓、SOI晶圓,利用硅的壓阻效應(yīng)或電容變化來檢測加速度和角速度。

02

壓力傳感器

單晶硅晶圓是壓力傳感器的常用選擇,通過壓阻效應(yīng)將壓力轉(zhuǎn)換為電信號。對于一些需要在高溫或惡劣環(huán)境下工作的壓力傳感器,會采用SiC晶圓,其禁帶寬度大,能耐受 500℃以上高溫。此外,SOI 晶圓也可用于壓力傳感器,實現(xiàn)三維結(jié)構(gòu)的精準(zhǔn)定義。

03

聲學(xué)傳感器

SOI 晶圓可用于聲學(xué)傳感器(包括麥克風(fēng)和揚聲器等)

04

光學(xué)傳感器

SOI晶圓是光學(xué)傳感器常用的襯底,帶有薄膜的空腔型 SOI 硅片可用于超聲波換能器。

05

諧振器

可采用全系列的鍵合SOI晶圓或帶內(nèi)置圖案的晶圓作為諧振器的襯底。


對于簡單結(jié)構(gòu)、無特殊空間或材料集成需求的MEMS器件,可直接在單晶圓上完成制造,而多層結(jié)構(gòu)集成、異質(zhì)材料集成、需要形成封閉空腔的MEMS器件,晶圓必定需要依賴鍵合工藝實現(xiàn)核心功能。


MEMS封裝切割要點

MEMS封裝過程中,對晶圓的切割,核心是在不損傷微機械結(jié)構(gòu)的前提下,實現(xiàn)高精度、低應(yīng)力的分離。傳統(tǒng)IC晶圓切割有顯著區(qū)別的是,MEMS器件含有懸空結(jié)構(gòu)、薄膜或空腔,切割過程中的應(yīng)力、污染稍有不慎就會導(dǎo)致器件失效。


劃片刀為接觸式切割,適用于多數(shù)硅基MEMS晶圓,比如MEMS麥克風(fēng)。因為切割時產(chǎn)生較大機械應(yīng)力,所以需配合高壓冷卻液,防止結(jié)構(gòu)污染或熱損傷。必要時可采用分步切割,先切淺槽再切透,減少單次切割的應(yīng)力沖擊。對于結(jié)構(gòu)脆弱的MEMS晶圓,需要采用非接觸式的激光切割。

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