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CPO量產(chǎn)再加速,高塔半導(dǎo)體推新型CPO代工平臺

Hobby觀察 ? 來源:電子發(fā)燒友網(wǎng) ? 作者:梁浩斌 ? 2025-11-21 08:46 ? 次閱讀
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電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道 CPO量產(chǎn)繼續(xù)加速,最近Tower Semiconductor 高塔半導(dǎo)體宣布,將其成熟的 300mm 晶圓鍵合技術(shù)拓展至硅光子(SiPho)與硅鍺雙極互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(SiGe BiCMOS)工藝領(lǐng)域,正式推出支持光電共封裝(CPO)的新型代工技術(shù)。

這項技術(shù)依托多年堆疊式背照式(BSI)圖像傳感器量產(chǎn)經(jīng)驗,實現(xiàn)異構(gòu) 3D-IC 集成,并獲得 Cadence 設(shè)計工具全方位支持,將為數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域的高性能緊湊系統(tǒng)需求提供核心解決方案。

Tower 的新型 CPO 技術(shù)核心,是將原本用于堆疊 BSI 圖像傳感器的 300mm 晶圓鍵合技術(shù)進(jìn)行跨領(lǐng)域升級,其關(guān)鍵突破體現(xiàn)在三方面:

l實現(xiàn) SiPho(光子集成電路 PIC)與 SiGe(電子集成電路 EIC)的晶圓級堆疊,打造全集成 3D-IC 產(chǎn)品,將不同工藝的專用功能整合為單一高密度芯片。
l突破圖像傳感領(lǐng)域局限,首次將多工藝設(shè)計套件(PDK)協(xié)同的晶圓級 3D 集成技術(shù),應(yīng)用于 CPO 等新興場景,滿足緊湊化、高性能的系統(tǒng)需求。
l保持高精度對準(zhǔn)與高可靠性,依托 200mm 和 300mm 晶圓的大規(guī)模堆疊生產(chǎn)經(jīng)驗,確保異構(gòu)集成的穩(wěn)定性與量產(chǎn)可行性。

這項技術(shù)通過光電芯片直接堆疊,縮短信號傳輸路徑,降低損耗與延遲,在更小尺寸內(nèi)實現(xiàn)更高功能集成與數(shù)據(jù)處理能力;集成化設(shè)計減少外部組件與互連環(huán)節(jié),既降低物料與組裝成本,又能有效控制系統(tǒng)功耗。而更重要的是在量產(chǎn)可行性上,是基于成熟的堆疊傳感器生產(chǎn)工藝,無需從零搭建技術(shù)體系,具備快速規(guī)?;涞氐膬?yōu)勢。

目前該工藝已經(jīng)成功驗證該晶圓鍵合工藝的精密對準(zhǔn)與高可靠性。同時為降低客戶設(shè)計門檻,高塔半導(dǎo)體與 Cadence深度合作,構(gòu)建了完整的異構(gòu)集成設(shè)計生態(tài)?;?Cadence Virtuoso Studio 開發(fā)專屬設(shè)計流程,支持多工藝技術(shù)的協(xié)同仿真與驗證,實現(xiàn)單一環(huán)境下的全流程設(shè)計。兼容高塔半導(dǎo)體的 SiGe BiCMOS 與 SiPho 工藝設(shè)計套件,設(shè)計師可完成布局、連接檢查、全芯片仿真等所有操作,大幅提升復(fù)雜芯片的首次流片成功率。目前該參考設(shè)計流程已正式向客戶開放,為 CPO 產(chǎn)品快速研發(fā)提供技術(shù)支撐。

踏入2025年,CPO技術(shù)落地似乎開始進(jìn)入加速階段。

今年年初,臺積電與博通在3nm工藝上的CPO關(guān)鍵技術(shù)微環(huán)調(diào)制器(MRM)調(diào)試成功,預(yù)計2025年初可以交付樣品,并有望在下半年實現(xiàn)1.6Tbps光電器件的量產(chǎn)。微環(huán)調(diào)制器是一種基于微環(huán)諧振器(Micro-Ring Resonator, MRR)的光學(xué)調(diào)制設(shè)備,它利用了光在微小環(huán)形波導(dǎo)中的共振效應(yīng)來實現(xiàn)對光信號的操控。這種技術(shù)能夠有效提高發(fā)射器效率,提高數(shù)據(jù)傳輸速率。

而博通此前也展示了使用CPO技術(shù)的51.2T交換機(jī)系統(tǒng),其中包含8個6.4T的FR4光引擎。單個光引擎中包含64通道的PIC與EIC芯片,driver/TIA采用CMOS工藝,單通道信號速率為100Gbps。這些系統(tǒng)采用了FOWLP封裝方案以降低成本并提高良率,博通計劃在2025年第二季度推出其首款CPO交換機(jī)。

英特爾在2024年的OFC大會上展示了其最新的光學(xué)計算互連OCI方案進(jìn)展,OCI芯粒集成了硅光子集成電路,包括片上激光器和光放大器、與電子集成電路,支持高達(dá)4Tbps的雙向數(shù)據(jù)傳輸速率,與第五代PCIe兼容。

目前英特爾的OCI芯粒支持每個方向上64個通道的32Gbps數(shù)據(jù)傳輸,傳輸距離可達(dá)100米(盡管由于飛行時間延遲,實際應(yīng)用可能限制在幾十米以內(nèi)),使用八對光纖,每對攜帶八個密集波分復(fù)用(DWDM)波長。共封裝解決方案的能效也非常高,每比特僅消耗5pJ,相比之下,可插拔光收發(fā)模塊大約為15pJ/bit。

Marvell在2024OFC大會上也推出了其最新的6.4T 3D封裝硅光引擎,包含32條電光混合通道,單通道的信號速率為200Gbps。單個通道還集成了驅(qū)動器、調(diào)制器、TIA、光電探測器、MUX和DEMUX,其中TIA和驅(qū)動器采用了3D封裝集成技術(shù)。該光引擎支持從1.6T到6.4T以及更高帶寬的應(yīng)用。

而目前高塔半導(dǎo)體的CPO工藝推出,也意味著CPO的規(guī)模量產(chǎn)正在加速。
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