在半導(dǎo)體與電子元器件領(lǐng)域，“可靠性” 始終是核心命題 —— 哪怕封裝材料中微量的 Cl?、Na?等雜質(zhì)離子，都可能在長(zhǎng)期使用中引發(fā)鋁布線(xiàn)腐蝕、銀電極遷移，最終導(dǎo)致設(shè)備故障。而東亞合成研發(fā)的 IXE/IXEPLAS 無(wú)機(jī)離子捕捉劑，正是針對(duì)這一痛點(diǎn)的 “防護(hù)利器”。

IXE-100離子捕捉劑

不同于傳統(tǒng)防護(hù)方案，IXE/IXEPLAS 系列憑借獨(dú)特的離子交換機(jī)制實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)防護(hù)：對(duì)于 Cl?、Br?等陰離子，IXE 中的 OH 基會(huì)通過(guò) “R-OH+A?→R-A+OH?” 的反應(yīng)主動(dòng)捕捉；針對(duì) Na?、Ag?、Cu2?等陽(yáng)離子，不同成分的型號(hào)（如 Sb 系 IXE-300、Zr 系 IXE-100）也能通過(guò)對(duì)應(yīng)交換作用完成截留。更關(guān)鍵的是，這類(lèi)捕捉劑突破了環(huán)境限制 —— 即便在 100℃以上高溫（部分型號(hào)耐溫達(dá) 600℃）、低水分甚至強(qiáng)輻射環(huán)境中，仍能穩(wěn)定發(fā)揮性能，完美適配電子元器件從生產(chǎn)到服役的全周期需求。

IXE選型

在 IC 封裝場(chǎng)景的實(shí)測(cè)中，其效果尤為顯著：在雙酚環(huán)氧樹(shù)脂中添加 2.0 份 IXE-600 或 IXEPLAS-B1，經(jīng) 121℃、20 小時(shí)高壓蒸煮試驗(yàn)后，Cl?萃取濃度大幅降低；針對(duì)鋁布線(xiàn)的專(zhuān)項(xiàng)測(cè)試顯示，添加 IXEPLAS-A1 的樣品，在 130℃、85% RH、20V 的嚴(yán)苛條件下，電阻值幾乎無(wú)上升，徹底避免了 “離子腐蝕導(dǎo)致電阻異常” 的行業(yè)難題。

抑制鋁布線(xiàn)的腐蝕和遷移實(shí)驗(yàn)

對(duì)于追求高可靠性的 IC 設(shè)計(jì)與制造企業(yè)而言，IXE/IXEPLAS 無(wú)疑為封裝材料升級(jí)提供了 “精準(zhǔn)除雜 + 環(huán)境耐受” 的雙重保障。

如需了解更多產(chǎn)品內(nèi)容，可聯(lián)系深圳市智美行科技有限公司（盧小姐：郵箱：andrea@zmx-sz.com;電話(huà)：19282779468），獲取免費(fèi)樣品！

審核編輯 黃宇