onsemi EVBUM2901G-EVB評估板設計用于HOT溫度測試和可變脈寬調(diào)制（PWM）生成。onsemi EVBUM2901G-EVB支持使用兼容子卡測試擊穿電壓高達1200V的分立SiC和Si封裝。該電路板將實驗室級PWM發(fā)生器、熱源和+5V輸出集成到一個緊湊的設計中，由一個12V適配器（已包括）供電，從而以精簡的設置實現(xiàn)了高效可靠的測試。

數(shù)據(jù)手冊：*附件：onsemi EVBUM2901G-EVB 評估板數(shù)據(jù)手冊.pdf

特性

• 熱阻低的熱板印刷電路板
• 爐盤溫度調(diào)節(jié)（OFF、125°C、150°C、175°C）
• 10pulse PWM發(fā)生器（5V，頻率30kHz，脈寬0.2s至10s）
• 與離散雙脈沖測試儀完全兼容
• 附帶電源適配器
• 使用led指示燈和顯示屏的直觀界面

概述

onsemi熱板和雙脈沖信號發(fā)生器評估板技術(shù)解析

核心特性

1. 熱板系統(tǒng)

• ?熱板溫度控制?：具備四檔溫控（關閉、125°C、150°C、175°C）
• ?低熱阻PCB設計?：確保高效熱傳導
• ?NTC溫度傳感?：采用4.7kW NTC熱敏電阻，溫度范圍100°C-200°C
• ?抗飽和比例-積分控制器?：通過30kHz開關頻率的變占空比控制加熱電阻

2. 雙脈沖信號發(fā)生器

• ?10脈沖PWM輸出?：5V電平，固定頻率30kHz
• ?脈沖寬度可調(diào)?：0.2ms至10ms范圍內(nèi)連續(xù)可調(diào)
• ?安全延時機制?：生成前3秒延時，生成后2秒延時
• ?SMA輸出接口?：提供標準的射頻信號輸出

技術(shù)架構(gòu)詳解

控制系統(tǒng)架構(gòu)

評估板采用?STM32 NUCLEO F303K8?作為主控制器，通過：

• 線性LDO電源：提供+8V、+8Vref和+5V 1A輸出
• 電壓轉(zhuǎn)換芯片：MC74LVX4245實現(xiàn)電平轉(zhuǎn)換
• 直觀用戶界面：LED指示燈和128x64 LCD顯示屏

電源管理系統(tǒng)

• ?輸入電源?：AC/DC 12V 40VA適配器（標配）
• ?多路輸出?：
  +8V：控制處理器供電
  +5V：外部分立DPT電源供應
  +8Vref：參考電壓源

保護機制

• ?熱板連接檢測?：軟件檢測熱板連接狀態(tài)
• ?自動狀態(tài)復位?：檢測到斷開連接時溫度設置恢復默認關閉狀態(tài)
• ?操作安全鎖定?：脈沖生成過程中START按鈕自動禁用

應用操作指南

設備啟動流程

1. ?準備工作?
   • 確認所有電源關閉
   • 檢查高壓電源連接、柵極電阻、子卡連接
   • 確保熱板與被測器件間安裝導熱墊
2. ?上電操作?
   • 將230VAC/12VDC適配器接入控制板
   • 連接230VAC電網(wǎng)
   • 驗證電源指示燈正常點亮
3. ?功能測試?
   • 使用START按鈕進行測試脈沖生成
   • 檢查柵源電壓是否符合VEE定義
   • 確認脈沖寬度設置為0.2ms

熱板安裝規(guī)范

• ?安裝方式?：使用高溫尼龍螺絲M3x15mm（標配）
• ?安裝扭矩?：0.05-0.2 Nm
• ?熱傳導優(yōu)化?：推薦粘貼導熱墊以提高熱量分布均勻性

實測性能驗證

溫度控制精度

熱成像測試顯示：

• NTC實測溫度與設定溫度高度吻合
• 被測器件封裝溫度與設定溫度極為接近
• 設計確保了不同封裝器件測試條件的一致性

雙脈沖測試表現(xiàn)

在150°C高溫條件下：

• 開關波形穩(wěn)定，無顯著振蕩
• VDS、ID、VGS波形清晰
• 支持800V直流電壓、70A電流測試條件

安全注意事項

?高溫警告?：熱板和子卡在運行中溫度可達175°C，存在燙傷風險！操作時必須：

• 僅觸摸用戶按鈕進行操作
• 熱板連接/斷開操作必須在控制板上電前完成
• 停止加熱后需等待數(shù)分鐘冷卻