11月25日，安森美（onsemi）采用TOLL封裝的 5mOhm /750V SiC Combo JFET UG4SC075005L8S憑借卓越的性能和創(chuàng)新的設計，榮獲2025年全球電子成就獎（World Electronics Achievement Awards, 簡稱WEAA）年度功率半導體/驅(qū)動器產(chǎn)品獎，彰顯了安森美在第三代半導體領域技術(shù)領導地位和市場優(yōu)勢。

隨著AI算力芯片功耗的持續(xù)飆升，服務器電源供應單元（PSU）在功率密度方面面臨嚴峻挑戰(zhàn)，必須在有限空間內(nèi)實現(xiàn)更大的功率輸出，這要求PSU在功率器件選型與系統(tǒng)拓撲架構(gòu)上尋求根本性的突破。

UG4SC075005L8S將一顆750V SiC JFET 和一顆低壓Si MOSFET集成在單個TOLL封裝中，形成獨特的Combo JFET結(jié)構(gòu)。與標準共源共柵結(jié)構(gòu)相比，SiC Combo JFET通過驅(qū)動實現(xiàn)更低的導通電阻 RDS(ON)、可完全控制開關速度，以及具備結(jié)溫檢測能力。

UG4SC075005L8S在AI PSU設計中廣受青睞，有力支持下一代20 kW系統(tǒng)。其創(chuàng)新的Combo架構(gòu)、高能效、高可靠性及系統(tǒng)友好性，可精準應對AI領域大電流、高功率場景的核心需求。

UG4SC075005L8S具有多個優(yōu)勢：

超低導通電阻RDS(ON)：得益于先進的SiC JFET技術(shù)，UG4SC075005L8S的導通電阻低至5mOhm，可顯著降低導通損耗，提高能效。

更高的峰值電流Idm：該器件具備高峰值電流，這對于要求高穩(wěn)健性和大電流穿越能力的電路保護應用至關重要，是實現(xiàn)相關保護功能的理想選擇。

低熱阻RθJC：采用銀燒結(jié)裸片貼裝技術(shù)，其界面導熱性能比多數(shù)焊接材料提高了六倍，即使在更小的裸片尺寸下，也實現(xiàn)了相同甚至更低的結(jié)至外殼熱阻RθJC。這對于保持較低的結(jié)溫，進而確保更高的可靠性至關重要。

此外，該產(chǎn)品具備出色的速度可控性，通過調(diào)節(jié)關斷速度有效減少電壓過沖，強化短路保護能力，并適用于多路并聯(lián)應用，在開關損耗與動態(tài)電流之間實現(xiàn)良好平衡。其結(jié)構(gòu)簡單、壽命長且無參數(shù)漂移問題，同時兼容成熟的硅基晶體管驅(qū)動器，無需專用驅(qū)動電路，大大簡化系統(tǒng)設計并加速產(chǎn)品開發(fā)進程。

展望未來，安森美將始終以技術(shù)創(chuàng)新為核心驅(qū)動力，深耕寬禁帶半導體等關鍵賽道，不斷突破性能極限與應用邊界。