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蘭州大學(xué)最新AM:界面錨定技術(shù)實現(xiàn)高效n-i-p鈣鈦礦微型組件效率超24%

美能光伏 ? 2025-11-28 09:03 ? 次閱讀
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鈣鈦礦太陽能電池雖在實驗室小面積電池中取得了超過27%的驚人效率,但在向大面積模組推廣時,其性能出現(xiàn)顯著衰減。這一瓶頸的核心在于鈣鈦礦與電子傳輸層(如SnO?)之間的“埋底界面”。在放大制備過程中,該界面缺陷加劇、非輻射復(fù)合顯著增強(qiáng),導(dǎo)致嚴(yán)重的載流子損失,從而制約了模組的效率與穩(wěn)定性。美能鈣鈦礦復(fù)合式MPPT測試儀采用AAA級LED太陽光模擬器作為老化光源,可通過多種方式對電池進(jìn)行控溫并控制電池所處的環(huán)境氛圍,進(jìn)行長期的穩(wěn)定性能測試。

本研究提出了一種創(chuàng)新的界面工程策略:采用一種綠色、水溶性的四磺酸基卟啉分子(ZnTPPS) 作為界面修飾層。該分子設(shè)計巧妙,能通過其兩側(cè)的磺酸基團(tuán),分別與SnO?層的Sn原子和鈣鈦礦中的Pb離子形成穩(wěn)固的化學(xué)配位,如同“分子錨”一樣垂直固定在界面,有效鈍化缺陷。同時,該分子具有強(qiáng)大的固有偶極矩(10.12 D),能在界面處建立內(nèi)置電場,顯著促進(jìn)電子的提取與傳輸。這項工作為攻克鈣鈦礦光伏技術(shù)規(guī)?;瘧?yīng)用中的界面難題,提供了一條高效且環(huán)境友好的解決路徑。

解決方案:綠色卟啉分子設(shè)計


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a) 卟啉分子結(jié)構(gòu)式;b) 卟啉分子的靜電勢分布圖;c) 結(jié)合能計算和電荷密度差分圖;修飾前后SnO?的d) Sn 3d和e) O 1s 的XPS譜圖;修飾前后鈣鈦礦(PVSK)的f)Pb 4f 、g)I 3d 的XPS譜圖;h, i)FTIR光譜

為解決這一難題,本研究設(shè)計了一種名為ZnTPPS的水溶性四磺酸基卟啉分子作為界面“橋梁”。該分子的核心優(yōu)勢在于:

雙面錨定:其四個磺酸基團(tuán)中的兩個與SnO?表面的Sn原子牢固結(jié)合,另外兩個則與鈣鈦礦中的Pb離子配位,從而垂直錨定在界面,像“分子膠水”一樣緊密連接兩層。

強(qiáng)偶極矩:磺酸基的強(qiáng)吸電子特性,與鋅離子中心形成顯著的電勢差,賦予分子高達(dá)10.12 D的強(qiáng)固有偶極矩。這如同在界面建立了一個內(nèi)置電場,極大地促進(jìn)了電子從鈣鈦礦向SnO?的快速提取與傳輸。

實驗設(shè)計與材料制備


ZnTPPS 的設(shè)計與優(yōu)勢

ZnTPPS 通過乙酸鋅與 TPPS 的金屬化反應(yīng)制備,其最大特點(diǎn)是水溶性優(yōu)異—— 四個磺酸基團(tuán)使其可通過水溶液工藝輕松修飾 SnO?表面,避免了傳統(tǒng)有機(jī)修飾劑依賴有機(jī)溶劑的環(huán)境問題。

為驗證ZnTPPS的優(yōu)勢,研究以自由堿卟啉(H?TPPS)、未磺化卟啉(ZnTPP)及其他金屬化卟啉(CuTPPS、NiTPPS)作為對照,結(jié)果顯示:Zn(II)的全充滿 d1?構(gòu)型能促進(jìn)軌道極化與電荷離域,而 Cu(II)(d?)、Ni(II)(d?)會產(chǎn)生局域電子態(tài),反而抑制電荷傳輸。

電池與組件制備流程

太陽能電池制備:先將氟摻雜氧化錫(FTO)玻璃基板用丙酮、去離子水、異丙醇依次超聲清洗;通過 CBD 法沉積致密 SnO? ETL,隨后用 ZnTPPS 水溶液進(jìn)行表面修飾;鈣鈦礦前驅(qū)體(含 PbI?、FAI、MACl 等)通過兩步旋涂成膜,經(jīng)退火后形成鈣鈦礦層;

再沉積 MeO-PEAI 表面鈍化層與 Spiro-OMeTAD 空穴傳輸層(HTL),穩(wěn)定性測試中則用無 Li-TFSI 的 PEDOT:CuPC 雜化 HTL 替代;最后熱蒸發(fā)金電極,并旋涂抗反射涂層,所有步驟均在受控氣氛(20-25℃,濕度 < 20%)下完成。

太陽能組件制備:基礎(chǔ)流程與電池一致,額外增加三步激光刻蝕(P1 刻蝕 FTO、P2 刻蝕鈣鈦礦與 HTL 以暴露 FTO、P3 分離金屬與功能層),實現(xiàn)多個電池單元的串聯(lián)

實驗結(jié)果與核心機(jī)制

理論計算和實驗表征共同揭示了ZnTPPS的工作機(jī)制和卓越效果:

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a) 未修飾SnO?和b)ZnTPPS修飾后SnO?的SEM圖像;c) 未修飾SnO?薄膜和d) ZnTPPS修飾后SnO?薄膜的AFM圖像;e)未修飾SnO?薄膜和f) ZnTPPS修飾后SnO?薄膜的C-AFM分析;g)修飾前后SnO?薄膜的透射光譜;h)在修飾前后SnO?薄膜上的接觸角測試

SnO?層優(yōu)化:XPS和FTIR光譜直接證明了ZnTPPS與SnO?和鈣鈦礦均形成了穩(wěn)定的化學(xué)配位,有效鈍化了界面缺陷。電子電池的測試表明,界面陷阱密度從3.14×101? cm?3大幅降至1.27×101? cm?3。

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a) 從器件中剝離埋底界面的示意圖;b) 從未修飾SnO?和c) 從ZnTPPS修飾SnO?上剝離的鈣鈦礦薄膜底面SEM圖像;d) 修飾前后鈣鈦礦薄膜形成過程的原位GIWAXS測量;e) 未修飾基底和f) ZnTPPS修飾基底上鈣鈦礦薄膜的2D GIWAXS圖(X射線入射角0.3°);g) 從薄膜頂部測量和h) 從ETL側(cè)測量的PL光譜;i) 電子器件的電流-電壓曲線

鈣鈦礦結(jié)晶改善:ZnTPPS修飾提高了SnO?薄膜的平整度和導(dǎo)電性,并增強(qiáng)了其表面潤濕性,引導(dǎo)鈣鈦礦形成更均勻、結(jié)晶質(zhì)量更高的薄膜。原位GIWAXS顯示,修飾后鈣鈦礦的結(jié)晶過程更緩慢、可控,最終獲得晶粒更大、缺陷更少的活性層。

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不同ψ角下,a)SnO?上鈣鈦礦薄膜和b)SnO?/ZnTPPS上鈣鈦礦薄膜的GIXRD圖譜;c)對應(yīng)衍射峰(2θ)的殘余應(yīng)變隨sin2ψ的變化關(guān)系;d)未修飾SnO?和e)ZnTPPS修飾后SnO?的表面電勢圖;f)在未修飾SnO?和g)在ZnTPPS修飾SnO?上沉積鈣鈦礦薄膜后的表面電勢圖;h)器件中各層的能級示意圖;i)修飾前后SnO?的UPS譜圖

優(yōu)化能級:KPFM和UPS測試表明,ZnTPPS的強(qiáng)偶極矩優(yōu)化了SnO?與鈣鈦礦之間的能級對齊,降低了電子注入勢壘,從而提升了電荷分離效率,抑制了復(fù)合。

緩解應(yīng)變:GIXRD分析發(fā)現(xiàn),ZnTPPS修飾還有助于釋放鈣鈦礦薄膜在生長過程中產(chǎn)生的拉伸應(yīng)力,轉(zhuǎn)變?yōu)楦€(wěn)定的壓應(yīng)力,提升了電池的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性。

卓越的性能與穩(wěn)定性

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a) 不同光強(qiáng)下,SnO?和ZnTPPS修飾SnO?基底上鈣鈦礦薄膜的QFLS圖;b) 基于QFLS-光強(qiáng)關(guān)系繪制的偽J-V曲線;c) 計算的SnO?和SnO?/ZnTPPS基底上鈣鈦礦薄膜的QFLS圖;d) 器件的暗態(tài)I-V曲線;e) Mott-Schottky分析;f) EIS譜圖;g, i) ZnTPPS/SnO?界面和h, j) ZnTPPS/鈣鈦礦界面的的電荷密度差分(Δρ)映射圖及其沿z軸的積分剖面圖。k, l) 界面的局域態(tài)密度(LDOS)圖

基于此策略制備的電池實現(xiàn)了破紀(jì)錄的效率:

小面積電池(<0.1 cm2)?的最高效率達(dá)到26.66%

大面積迷你模組(21.54 cm2)的效率達(dá)到24.49%(并獲得23.95%的獨(dú)立認(rèn)證),這是目前n-i-p結(jié)構(gòu)模組的最高效率之一。其填充因子超過84%,同樣處于頂尖水平。

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a) 器件的截面SEM圖像;b) 最佳性能PSCs的正向(FS)和反向(RS)掃描J-V曲線;c) 6 × 6 cm2 鈣鈦礦模組(8個子電池)照片;d) 相同曝光時間下,在有無ZnTPPS處理的SnO?基底上鈣鈦礦薄膜的PL mapping圖;e) 最佳PSM的電流-電壓(I-V)曲線;f) PSM的效率演變(與文獻(xiàn)對比);g) 在1個太陽光模擬照射下連續(xù)進(jìn)行1537小時的最大功率點(diǎn)(mpp)跟蹤

更重要的是,ZnTPPS修飾帶來了顯著的穩(wěn)定性提升。在連續(xù)1500小時的最大功率點(diǎn)跟蹤測試后,采用穩(wěn)健空穴傳輸層的修飾電池仍能保持90%的初始效率,遠(yuǎn)優(yōu)于未修飾電池的70%,展現(xiàn)出優(yōu)異的運(yùn)行耐久性。

本研究提出了一種基于ZnTPPS 的界面工程策略,通過“雙重配位 + 強(qiáng)偶極矩”的協(xié)同機(jī)制,有效解決了 n-i-p 鈣鈦礦電池規(guī)模化的界面難題:既實現(xiàn)了SnO?/ 鈣鈦礦界面的缺陷鈍化,又增強(qiáng)了載流子傳輸效率,最終使小面積電池 PCE 達(dá) 26.66%、大面積組件PCE 達(dá) 24.49%(認(rèn)證 23.95%),且具備優(yōu)異的長期穩(wěn)定性。該策略不僅環(huán)境友好(水溶液加工)、可規(guī)?;?,還為鈣鈦礦光電電池的界面設(shè)計提供了通用思路,有望推動鈣鈦礦光伏技術(shù)從實驗室走向?qū)嶋H應(yīng)用。

鈣鈦礦復(fù)合式MPPT測試儀

Millennial Solar


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美能鈣鈦礦復(fù)合式MPPT測試儀采用A+AA+級LED太陽光模擬器作為老化光源,以其先進(jìn)的技術(shù)和多功能設(shè)計,為鈣鈦礦太陽能電池的研究提供了強(qiáng)有力的支持。

  • 3A+光源,光源壽命10000h+,真實還原各場景實際光照條件

可選配恒溫恒濕箱,滿足IS0S標(biāo)準(zhǔn)

多型號電子負(fù)載可選,多通道獨(dú)立運(yùn)行

不同波段光譜輸出可調(diào):7.350-400nm/400-750nm/750-1150nm均獨(dú)立可控

美能鈣鈦礦復(fù)合式MPPT測試儀主要應(yīng)用于成品鈣鈦礦單結(jié),疊層成品電池穩(wěn)定性測試。由于鈣鈦礦電池的輸出特性易受光照、溫度等環(huán)境因素影響,其最大功率點(diǎn)會頻繁波動。MPPT控制器通過實時追蹤并鎖定最大功率點(diǎn),能確保系統(tǒng)始終以最優(yōu)功率輸出。這不僅能最大化發(fā)電量,還能提升整個光伏系統(tǒng)的工作穩(wěn)定性和經(jīng)濟(jì)性。

原文參考:Green Porphyrin Interface Anchoring Enables >24% Efficiency in n-i-p Perovskite Solar Minimodules

*特別聲明:「美能光伏」公眾號所發(fā)布的原創(chuàng)及轉(zhuǎn)載文章,僅用于學(xué)術(shù)分享和傳遞光伏行業(yè)相關(guān)信息。未經(jīng)授權(quán),不得抄襲、篡改、引用、轉(zhuǎn)載等侵犯本公眾號相關(guān)權(quán)益的行為。內(nèi)容僅供參考,若有侵權(quán),請及時聯(lián)系我司進(jìn)行刪除。

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