FHA40T65A作為一款場N溝道溝槽柵截止型IGBT單管,采用TO-3PN封裝,使用Trench Field stop Ⅱ technology 和通過優(yōu)化工藝,來獲得極低的 VCEsat 飽和壓降,并在導通損耗和關斷損耗(Eoff)之間做出來良好的權衡。
不僅廣泛用于高頻車載正玄波AC220V逆變器、光伏逆變器等逆變器電路,而且還可用于戶外儲能電源、UPS、變頻器、電焊機和工業(yè)縫紉機等各類硬開關。
該IGBT單管不僅能代換仙童FGH40N60SFD型號使用,而且產(chǎn)品具備良好的短路性能,為電機驅(qū)動領域處理突發(fā)事件提供充足的裕量。

FHA40T65A在上述電路設計中的特點
1、高電壓電流適配能力:650V的集電極-發(fā)射極電壓(VCES)與80A連續(xù)集電極電流(IC@Tc=25℃),適用于高頻逆變器、UPS、電焊機及中高開關頻率變頻器等硬開關應用。
2、低飽和壓降,高能效表現(xiàn):VCEsat典型值低至1.51V@IC=40A, Tj=25℃,最大不超過1.85V,有效降低導通損耗,提升系統(tǒng)效率。
3、優(yōu)良的開關性能:總開關損耗(Ets)典型值為1.7mJ@25℃,結(jié)合低柵極電荷(Qg=110nC) 與短拖尾電流,適用于中高頻開關拓撲。
4、高可靠性設計:
內(nèi)置快恢復二極管,反向恢復時間(trr)低至97ns@IF=20A;
具備正溫度系數(shù),支持多管并聯(lián);
短路耐受時間達3μs,系統(tǒng)魯棒性強;
符合RoHS標準,工作結(jié)溫范圍-55℃至+175℃。

FHA40T65A核心參數(shù)的匹配適用
該器件為溝槽柵場截止型IGBT單管,主要參數(shù)如下:
集電極-發(fā)射極電壓(VCES):650 V
連續(xù)集電極電流(IC):40A(Tc=100℃)
飽和壓降(VCEsat):1.51 V(Tj=25℃)
總開關損耗(Etotal):1.7 mJ(Tc=25℃)
結(jié)到殼熱阻(Rth(j-c)):0.5 °C/W
總柵極電荷(Qg):110 nC
封裝形式:TO-3PN

FHA40T65A是一款性能全面、封裝適用廣的IGBT單管,特別適用于高頻車載正玄波AC220V逆變器、光伏逆變器、儲能電源、UPS、變頻器、電焊機和工業(yè)縫紉機等各類硬開關。飛虹半導體作為國內(nèi)功率器件重要供應商,不僅提供各類型IGBT單管、IGBT單管、三極管等標準型號,還支持定制化需求,并已實現(xiàn)與多家廠商的穩(wěn)定合作。
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原文標題:為何逆變器電路設計選擇TO-3PN封裝?40A電流、650V國產(chǎn)IGBT單管揭秘答案
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