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光譜橢偏術(shù)在等離子體光柵傳感中的應(yīng)用:參數(shù)優(yōu)化與亞皮米級(jí)測(cè)量精度

Flexfilm ? 2025-12-03 18:05 ? 次閱讀
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基于衍射的光學(xué)計(jì)量方法(如散射測(cè)量術(shù))因精度高、速度快,已成為周期性納米結(jié)構(gòu)表征的關(guān)鍵技術(shù)。在微電子與生物傳感等前沿領(lǐng)域,對(duì)高性能等離子體納米結(jié)構(gòu)(如金屬光柵)的精確測(cè)量提出了迫切需求,然而現(xiàn)有傳統(tǒng)光學(xué)模型(如有效介質(zhì)近似)往往難以準(zhǔn)確描述其復(fù)雜的光學(xué)響應(yīng),這限制了相關(guān)器件在尺寸計(jì)量與高靈敏度傳感中的應(yīng)用。Flexfilm全光譜橢偏儀可以非接觸對(duì)薄膜的厚度折射率的高精度表征,廣泛應(yīng)用于薄膜材料、半導(dǎo)體和表面科學(xué)等領(lǐng)域。

本研究采用反射模式光譜橢偏儀測(cè)量電子束光刻制備的金光柵,結(jié)合有限元法建模,通過優(yōu)化光柵參數(shù)(關(guān)鍵尺寸、周期等)和測(cè)量參數(shù)(波長(zhǎng)、入射角等),顯著提升了尺寸測(cè)量與傳感靈敏度,最終實(shí)現(xiàn)關(guān)鍵尺寸、覆蓋層厚度的皮米級(jí)檢測(cè),折射率檢測(cè)限低至約10??RIU,為等離子體衍射結(jié)構(gòu)的高精度計(jì)量提供了有效方案。

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實(shí)驗(yàn)方法

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(a)制備在熔融石英基底上的—維金質(zhì)光柵三維示意圖;(b)所制備的不同關(guān)鍵尺寸金質(zhì)光柵結(jié)構(gòu)的掃描電子顯微鏡圖像

在玻璃基底上制備了周期Λ=200nm、厚度 dg= 60nm、線寬(關(guān)鍵尺寸CD)分別為70、90、110及130nm的一維金質(zhì)光柵。

制備采用自上而下工藝:先在基底上沉積鉻粘附層與金層,再濺射鉻硬掩模,接著通過電子束光刻定義圖形,并經(jīng)過離子刻蝕將圖案依次轉(zhuǎn)移至鉻掩模和金層,最終去除殘留鉻層。

光柵尺寸參數(shù)通過JCMsuite有限元求解器進(jìn)行設(shè)計(jì)優(yōu)化,目標(biāo)為最大化 p光和 s光反射系數(shù)間的振幅比 Ψ 與相位差 Δ 的變化。使用橢偏儀在 60°–75° 入射角范圍內(nèi)進(jìn)行測(cè)量。檢測(cè)限(LOD)通過Python調(diào)用JCMsuite包進(jìn)行計(jì)算。

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結(jié)果與討論

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光譜擬合與模型比較

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(a)和(b)展示了入射面垂直于光柵線條時(shí),在 Φ=70°、CD=70nm、dg=60條件下測(cè)量和有限元模擬的Ψ和Δ光譜;(c)和(d)代表了所制備光柵樣品(具有不同CD值,單位為nm)在 Φ=70°和 dg=60條件下測(cè)量的Ψ和Δ光譜

EMA模型將光柵視為混合了金與空氣折射率的均勻?qū)?/strong>,其適用前提是特征尺寸遠(yuǎn)小于波長(zhǎng)(準(zhǔn)靜態(tài)極限)。計(jì)算表明,未考慮各向異性是導(dǎo)致標(biāo)準(zhǔn)BEMA模型失效的主因。各向異性BEMA模型在波長(zhǎng)大于600nm(λ/Λ≈0.3)時(shí)與測(cè)量結(jié)果吻合較好,但在更短波長(zhǎng)處偏差增大。

檢測(cè)限分析與參數(shù)靈敏度

測(cè)量值的不確定度可通過重復(fù)測(cè)量的標(biāo)準(zhǔn)偏差評(píng)估。模型參數(shù)的測(cè)量靈敏度則采用檢測(cè)限概念進(jìn)行分析,通過計(jì)算 Ψ 和 Δ 對(duì)各參數(shù) P 的偏導(dǎo)數(shù)fΨ=?Ψ/?P與 fΔ=?Δ/?P,并結(jié)合測(cè)量噪聲 σ{Ψ,Δ},得到LODP(Ψ,Δ)=σΨ,Δ/fΨ,Δ

覆蓋層厚度與環(huán)境折射率檢測(cè)限

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檢測(cè)限圖:(a,b)針對(duì)覆蓋層厚度 d(dg=60dg=60 nm,CD=110nm,不同 ΛΛ 值);(c,d)針對(duì)環(huán)境折射率 na(Λ=200,CD=110nm, Φ=70°,不同 dg值);(e,f)針對(duì)環(huán)境折射率 na(Λ=200,CD=110nm, dg=60,不同Φ值)。各子圖分別基于(a,c,e)Ψ 和(b,d,f)Δ計(jì)算得出

對(duì)于na,基于 Δ 計(jì)算的LODn優(yōu)于基于 Ψ 的結(jié)果,最佳值可達(dá)約10??RIU(dg=55nm時(shí))。最佳靈敏度區(qū)域位于400–500nm波段,并隨 dg 或 Φ 增大略向長(zhǎng)波方向移動(dòng)。對(duì)于覆蓋層厚度d,LODd同樣顯示出 Δ 遠(yuǎn)優(yōu)于 Ψ 的特點(diǎn),靈敏度達(dá)皮米量級(jí)。若將折射率靈敏度轉(zhuǎn)換為質(zhì)量靈敏度(例如對(duì)于蛋白質(zhì)層,n≈1.45),利用DeFeijter公式估算的表面質(zhì)量密度檢測(cè)限可達(dá)約10??g/cm2(10pg/mm2)。

光柵尺寸參數(shù)的檢測(cè)限

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在 Λ=200、Φ=70°、dg=60nm條件下,(a)Ψ和(b)Δ在波長(zhǎng)-關(guān)鍵尺寸(λ-CD)平面上的映射圖。(c)LODΨ(CD)和(d)LODΔ(CD)分別根據(jù)(a)和(b)計(jì)算得出的映射圖。在(c)和(d)中,z軸范圍被拉伸(非自動(dòng)縮放)以更好地顯示,超出截?cái)嘀档膮^(qū)域顯示為白色

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在 Λ=200、Φ=70°、dg=45nm條件下,(a)Ψ 和(b)Δ 在波長(zhǎng)-關(guān)鍵尺寸(λ-CD)平面上的映射圖。(c)LODΨ(CD)和(d)LODΔ(CD)分別根據(jù)(a)和(b)計(jì)算得出的映射圖。在(c)和(d)中,z軸范圍被拉伸(非自動(dòng)縮放)以更好地顯示,超出截?cái)嘀档膮^(qū)域顯示為白色

光柵自身尺寸參數(shù)(Λ,CD,dg)的測(cè)量靈敏度也可用相同方法評(píng)估。測(cè)量結(jié)果顯示在固定Λ、Φ和dg條件下,Ψ 和 Δ 在λ-CD平面上的二維映射,以及據(jù)此計(jì)算的LODCD圖譜。圖譜中可見明顯的共振特征,對(duì)應(yīng)系統(tǒng)中激發(fā)的光學(xué)模式。在某些區(qū)域(如CD≈80nm、λ≈620nm附近;CD≈70nm、λ≈590nm附近),基于Δ的LODCD顯示出亞皮米級(jí)的極高靈敏度,這些波長(zhǎng)與金的局域表面等離子體共振密切相關(guān)。

圖譜的精細(xì)結(jié)構(gòu)及LOD值的巨大變化(跨越超過5個(gè)數(shù)量級(jí))凸顯了靈敏度對(duì)參數(shù)空間的強(qiáng)烈依賴。比較dg=45nm與60nm的圖譜發(fā)現(xiàn),光柵厚度的增加會(huì)引起共振位置偏移與展寬,表明幾何尺寸對(duì)等離子體耦合與衍射效應(yīng)有顯著影響。

本研究成功開發(fā)了二維有限元模型,用于計(jì)算金光柵的光譜橢偏響應(yīng),計(jì)算結(jié)果與電子束光刻制備的光柵的光譜橢偏測(cè)量結(jié)果具有良好的一致性。實(shí)測(cè)光譜與計(jì)算光譜之間的差異無法通過參數(shù)擬合完全消除,這表明光柵可能存在線邊緣粗糙度、側(cè)壁角度等缺陷,或者二維模型在描述該類結(jié)構(gòu)時(shí)存在一定局限性。基于有限元模型計(jì)算得到的檢測(cè)限顯示,對(duì)相位敏感的光譜橢偏參數(shù)(Δ)具有更優(yōu)的檢測(cè)性能,覆蓋層厚度和關(guān)鍵尺寸(CD)的檢測(cè)限達(dá)到皮米級(jí),折射率的檢測(cè)限為10??。除了在非克列奇曼構(gòu)型中展現(xiàn)出的高靈敏度外,研究還證實(shí)了優(yōu)化光柵參數(shù)和測(cè)量參數(shù)對(duì)于獲得最佳靈敏度的重要性。后續(xù)將計(jì)劃通過在光柵上開展進(jìn)一步測(cè)量,深入揭示相關(guān)靈敏度數(shù)值。

Flexfilm全光譜橢偏儀

flexfilm

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全光譜橢偏儀擁有高靈敏度探測(cè)單元光譜橢偏儀分析軟件,專門用于測(cè)量和分析光伏領(lǐng)域中單層或多層納米薄膜的層構(gòu)參數(shù)(如厚度)和物理參數(shù)(如折射率n、消光系數(shù)k)

  • 先進(jìn)的旋轉(zhuǎn)補(bǔ)償器測(cè)量技術(shù):無測(cè)量死角問題。
  • 粗糙絨面納米薄膜的高靈敏測(cè)量:先進(jìn)的光能量增強(qiáng)技術(shù),高信噪比的探測(cè)技術(shù)。
  • 秒級(jí)的全光譜測(cè)量速度:全光譜測(cè)量典型5-10秒。
  • 原子層量級(jí)的檢測(cè)靈敏度:測(cè)量精度可達(dá)0.05nm。

Flexfilm全光譜橢偏儀能非破壞、非接觸地原位精確測(cè)量超薄圖案化薄膜的厚度、折射率,結(jié)合費(fèi)曼儀器全流程薄膜測(cè)量技術(shù),助力半導(dǎo)體薄膜材料領(lǐng)域的高質(zhì)量發(fā)展。

原文參考:《Spectroscopic Ellipsometry of Plasmonic Gratings?Ideal Parameters for Sensing and Subpicometer Measurement Uncertainty》

*特別聲明:本公眾號(hào)所發(fā)布的原創(chuàng)及轉(zhuǎn)載文章,僅用于學(xué)術(shù)分享和傳遞行業(yè)相關(guān)信息。未經(jīng)授權(quán),不得抄襲、篡改、引用、轉(zhuǎn)載等侵犯本公眾號(hào)相關(guān)權(quán)益的行為。內(nèi)容僅供參考,如涉及版權(quán)問題,敬請(qǐng)聯(lián)系,我們將在第一時(shí)間核實(shí)并處理。

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