威兆半導(dǎo)體推出的VS3508AP-K是一款面向 - 30V 低壓場(chǎng)景的 P 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET，支持 5V 邏輯電平控制，適配低壓負(fù)電源切換、負(fù)載開(kāi)關(guān)等領(lǐng)域。

一、產(chǎn)品基本信息

• 器件類(lèi)型：P 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET
• 核心參數(shù)：
  • 漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：-30V，適配低壓負(fù)電源場(chǎng)景；
  • 導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=-10V\)時(shí)典型值8.8mΩ，\(V_{GS}=-4.5V\)時(shí)典型值16mΩ，低壓場(chǎng)景下?lián)p耗較低；
  • 連續(xù)漏極電流（\(I_D\)，\(V_{GS}=-10V\)）：\(T=25^\circ\text{C}\)時(shí)-50A（負(fù)號(hào)代表 P 溝道電流方向），\(T=100^\circ\text{C}\)時(shí)降額為-32A；
  • 脈沖漏極電流（\(I_{DM}\)）：-200A（\(T=25^\circ\text{C}\)），滿(mǎn)足瞬時(shí)大電流需求。

二、核心特性

• 5V 邏輯電平控制：適配 5V 邏輯驅(qū)動(dòng)，無(wú)需額外電平轉(zhuǎn)換，簡(jiǎn)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)；
• 低導(dǎo)通電阻：8.8~16mΩ 阻性表現(xiàn)，降低低壓負(fù)電源場(chǎng)景的傳導(dǎo)損耗；
• 高可靠性：通過(guò) 100% 雪崩測(cè)試，單脈沖雪崩能量達(dá) 56mJ，感性負(fù)載開(kāi)關(guān)場(chǎng)景穩(wěn)定性強(qiáng)；
• 環(huán)保合規(guī)：滿(mǎn)足無(wú)鹵及 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，適配綠色電子制造。

三、關(guān)鍵電氣參數(shù)（\(T=25^\circ\text{C}\)，除非特殊說(shuō)明）

四、封裝與應(yīng)用場(chǎng)景

• 封裝形式：PDFN5x6 表面貼裝封裝，包裝規(guī)格為 3000pcs / 卷，適配高密度電路板設(shè)計(jì)；
• 典型應(yīng)用：
  • 低壓負(fù)電源切換電路；
  • 電池供電系統(tǒng)的電源路徑管理；
  • 中功率負(fù)載的負(fù)電源通斷控制。

五、信息來(lái)源

威兆半導(dǎo)體官方產(chǎn)品手冊(cè)（注：以上參數(shù)基于手冊(cè)標(biāo)注整理，實(shí)際應(yīng)用需以最新版手冊(cè)及器件批次測(cè)試數(shù)據(jù)為準(zhǔn)。）