威兆半導(dǎo)體推出的VS3614AD是一款面向 30V 低壓場(chǎng)景的 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET，采用 TO-252 封裝，適配低壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器、同步整流、中功率負(fù)載開(kāi)關(guān)等領(lǐng)域。

一、產(chǎn)品基本信息

• 器件類型：N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET
• 核心參數(shù)：
  • 漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：30V，適配低壓供電場(chǎng)景；
  • 導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V\)時(shí)典型值5mΩ，\(V_{GS}=4.5V\)時(shí)典型值7.5mΩ，低壓場(chǎng)景下傳導(dǎo)損耗較低；
  • 連續(xù)漏極電流（\(I_D\)，\(V_{GS}=10V\)）：\(T=25^\circ\text{C}\)時(shí)75A，\(T=100^\circ\text{C}\)時(shí)降額為53A；
  • 脈沖漏極電流（\(I_{DM}\)）：300A（\(T=25^\circ\text{C}\)），滿足負(fù)載瞬時(shí)大電流需求。

二、核心特性

• 低導(dǎo)通電阻 + 高效率：5~7.5mΩ 的阻性表現(xiàn)，搭配快速開(kāi)關(guān)特性，提升低壓場(chǎng)景的能量轉(zhuǎn)換效率；
• 高可靠性：通過(guò) 100% 雪崩測(cè)試，單脈沖雪崩能量達(dá) 20mJ，感性負(fù)載開(kāi)關(guān)穩(wěn)定性強(qiáng)；
• 環(huán)保合規(guī)：滿足無(wú)鹵及 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，適配綠色電子制造。

三、關(guān)鍵電氣參數(shù)（\(T=25^\circ\text{C}\)，除非特殊說(shuō)明）

四、封裝與應(yīng)用場(chǎng)景

• 封裝形式：TO-252 表面貼裝封裝，包裝規(guī)格為 2500pcs / 卷，適配高密度、大電流的電路板設(shè)計(jì)；
• 典型應(yīng)用：
  • 30V 級(jí)低壓大電流 DC/DC 轉(zhuǎn)換器開(kāi)關(guān)管；
  • 低壓電源的同步整流回路；
  • 工業(yè)設(shè)備、消費(fèi)電子的中功率負(fù)載通斷管理。

五、信息來(lái)源

威兆半導(dǎo)體官方產(chǎn)品手冊(cè)（注：以上參數(shù)基于手冊(cè)標(biāo)注整理，實(shí)際應(yīng)用需以最新版手冊(cè)及器件批次測(cè)試數(shù)據(jù)為準(zhǔn)。）