在Asia-Pacific Conference on Silicon Carbide and Related Materials (APCSCRM 2025) 上,Soitec 的寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)品設(shè)計(jì)經(jīng)理 Eric Guiot 代表 Soitec 分享了我們在碳化硅(SiC)技術(shù)方面的最新進(jìn)展。
隨著可再生能源基礎(chǔ)設(shè)施的迅速發(fā)展,寬禁帶半導(dǎo)體正成為推動能源轉(zhuǎn)型的關(guān)鍵技術(shù)。APCSCRM作為亞太地區(qū)的重要行業(yè)與學(xué)術(shù)交流平臺,為芯片制造商、產(chǎn)業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者和研究專家提供了寶貴的合作與洞察機(jī)會。
在此次大會上,Eric Guiot 進(jìn)行了技術(shù)分享,分享的主題為《SmartSiC 工程化襯底:解決 SiC 功率器件雙極退化的可靠方案》。這一創(chuàng)新技術(shù)展示了 Soitec 如何通過SmartSiC 工程化材料,助力行業(yè)突破性能瓶頸,推動下一代高效、可靠的 SiC 功率器件發(fā)展。
Soitec 將持續(xù)以創(chuàng)新材料推動功率電子的未來,與全球生態(tài)系統(tǒng)共同構(gòu)建更可持續(xù)的能源基礎(chǔ)設(shè)施。
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原文標(biāo)題:Soitec 受邀亮相 APCSCRM 2025
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