SN55HVD233-SEP:航天級(jí)CAN收發(fā)器的卓越之選
在電子工程師的設(shè)計(jì)世界里,選擇一款合適的收發(fā)器至關(guān)重要,尤其是在面對(duì)嚴(yán)苛的輻射環(huán)境時(shí)。今天,我們就來(lái)深入了解一下德州儀器(TI)的SN55HVD233-SEP 3.3V耐輻射CAN收發(fā)器,看看它是如何在復(fù)雜環(huán)境中脫穎而出的。
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一、器件概述
SN55HVD233-SEP專(zhuān)為采用符合ISO 11898標(biāo)準(zhǔn)的控制器局域網(wǎng)(CAN)串行通信物理層的應(yīng)用而設(shè)計(jì)。作為CAN收發(fā)器,它在差分CAN總線和CAN控制器之間提供傳輸和接收能力,信令速度高達(dá)1Mbps。該器件專(zhuān)門(mén)用于非常嚴(yán)苛的輻射環(huán)境,具有交叉線保護(hù)、過(guò)壓保護(hù)、±16V接地失效保護(hù)和過(guò)熱(熱關(guān)斷)保護(hù)功能,可在–7V至12V的寬共模范圍內(nèi)運(yùn)行。
二、特性亮點(diǎn)
(一)輻射耐受性強(qiáng)
- 單粒子鎖定(SEL)抗擾度:在125°C下的抗擾度可達(dá)$43 MeV - cm^{2} / mg$,這意味著它在輻射環(huán)境中能保持穩(wěn)定的性能,減少單粒子事件對(duì)器件的影響。
- 總電離劑量(TID):每個(gè)晶圓批次的RLAT總電離劑量(TID)高達(dá)20krad(Si),在高達(dá)30krad(Si)的條件下無(wú)ELDRS,確保了器件在輻射環(huán)境下的長(zhǎng)期可靠性。
(二)增強(qiáng)型航天塑料封裝
- 受控基線:保證了產(chǎn)品質(zhì)量的穩(wěn)定性和一致性。
- 金線連接:提供了良好的電氣性能和可靠性。
- NiPdAu鉛涂層:增強(qiáng)了引腳的耐腐蝕性。
- 同一組裝和測(cè)試場(chǎng)所:便于質(zhì)量控制和追溯。
- 同一制造場(chǎng)所:進(jìn)一步確保了產(chǎn)品的質(zhì)量和一致性。
(三)寬溫度范圍和長(zhǎng)生命周期
- 支持軍用溫度范圍:可在–55°C至125°C的溫度范圍內(nèi)正常工作,適用于各種惡劣的環(huán)境條件。
- 延長(zhǎng)的產(chǎn)品生命周期:減少了產(chǎn)品更換和升級(jí)的頻率,降低了成本。
- 延長(zhǎng)的產(chǎn)品變更通知:讓工程師有足夠的時(shí)間應(yīng)對(duì)產(chǎn)品變更,避免設(shè)計(jì)上的風(fēng)險(xiǎn)。
(四)其他特性
- 簡(jiǎn)化原理圖:符合ISO 11898 - 2標(biāo)準(zhǔn),總線引腳故障保護(hù)大于±16V,總線引腳ESD保護(hù)大于±14kV HBM,提高了器件的安全性和可靠性。
- 低釋氣:采用增強(qiáng)型模具化合物實(shí)現(xiàn)低釋氣,適用于對(duì)氣體釋放有嚴(yán)格要求的應(yīng)用。
三、引腳配置和功能
| SN55HVD233-SEP共有8個(gè)引腳,每個(gè)引腳都有其特定的功能: | PIN | NAME | NO. | TYPE | DESCRIPTION |
|---|---|---|---|---|---|
| D | 1 | I | CAN transmit data input (LOW for dominant and HIGH for recessive bus states), also called TXD, driver input. | ||
| GND | 2 | GND | Ground connection. | ||
| Vcc | 3 | Supply | Transceiver 3.3 - V supply voltage. | ||
| R | 4 | O | CAN receive data output (LOW for dominant and HIGH for recessive bus states), also called RXD, receiver output. | ||
| LBK | 5 | I | Loopback mode input pin. | ||
| CANL | 6 | VO | Low - level CAN bus line. | ||
| CANH | 7 | V/O | High - level CAN bus line. | ||
| RS | 8 | I | Mode select pin: Tie to GND = high - speed mode, Strong pullup to Vcc = low power mode, 0 - 50kΩ pulldown to GND = slope control mode. |
四、電氣特性
(一)絕對(duì)最大額定值
| 了解器件的絕對(duì)最大額定值對(duì)于正確使用和保護(hù)器件至關(guān)重要。SN55HVD233-SEP的絕對(duì)最大額定值包括電源電壓、總線引腳電壓、輸入電壓、輸出電壓、工作結(jié)溫等參數(shù),具體如下: | 參數(shù) | 描述 | MIN | MAX | UNIT |
|---|---|---|---|---|---|
| Vcc | Supply voltage | - 0.3 | 7 | V | |
| Voltage at any bus pin (CANH or CANL) | - 16 | 16 | V | ||
| Voltage input, transient pulse, CANH and CANL, through 100Ω | - 100 | 100 | V | ||
| Vi | Input voltage, (D, RS, LBK) | - 0.5 | 7 | V | |
| Vo | Output voltage, (R) | - 0.5 | 7 | V | |
| lo | Receiver output current | - 10 | 10 | mA | |
| TJ | Operating junction temperature | 150 | °C | ||
| Tstg | Storage temperature | - 65 | 150 | °C |
(二)ESD額定值
靜電放電(ESD)是電子器件面臨的一個(gè)重要問(wèn)題。SN55HVD233-SEP具有良好的ESD防護(hù)能力,其CANH、CANL和GND引腳的HBM ESD額定值為+14000V,其他引腳為+4000V,所有引腳的CDM ESD額定值為+500V。
(三)推薦工作條件
| 為了確保器件的最佳性能,需要在推薦的工作條件下使用。SN55HVD233-SEP的推薦工作條件包括電源電壓、總線引腳電壓、輸入電壓、輸出電流、工作結(jié)溫等參數(shù),具體如下: | 參數(shù) | 描述 | MIN | NOM | MAX | UNIT |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Vcc | Supply voltage | 3 | 3.6 | V | ||
| Voltage at any bus pin (separately or common mode) | - 7 | 12 | V | |||
| VIH | High - level input voltage | D, LBK | 2 | 5.5 | V | |
| VL | Low - level input voltage | D, LBK | 0 | 0.8 | V | |
| VID | Differential input voltage | - 6 | 6 | V | ||
| Resistance from RS to ground for slope control | 0 | 50 | kΩ | |||
| VI(RS) | Input voltage at RS for standby | 0.75 Vcc | 5.5 | V | ||
| IoH | High - level output current | Driver | - 50 | mA | ||
| Receiver | - 10 | |||||
| loL | Low - level output current | Driver | 50 | mA | ||
| Receiver | 10 | |||||
| TJ | Operating junction temperature | - 55 | 125 | °C |
(四)熱信息
| 熱性能對(duì)于器件的可靠性和穩(wěn)定性至關(guān)重要。SN55HVD233-SEP的熱信息包括結(jié)到環(huán)境的熱阻、結(jié)到外殼(頂部)的熱阻、結(jié)到電路板的熱阻等參數(shù),具體如下: | 熱指標(biāo) | SN55HVD233 - SEP D(SOIC) 8 PINS | UNIT |
|---|---|---|---|
| RaJA | Junction - to - ambient thermal resistance | 112.6 | °C/W |
| Rauc(top) | Junction - to - case (top) thermal resistance | 47.1 | °C/W |
| RauB | Junction - to - board thermal resistance | 57.2 | °C/W |
| VJT | Junction - to - top characterization parameter | 7.4 | °C/W |
| VJB | Junction - to - board characterization parameter | 56.2 | °C/W |
五、工作模式
(一)RS引腳模式選擇
SN55HVD233-SEP的RS引腳(引腳8)具有三種運(yùn)行模式:高速、斜率控制或低功耗待機(jī)模式。
- 高速模式:將引腳8直接接地,驅(qū)動(dòng)器輸出晶體管將盡快開(kāi)啟和關(guān)閉,無(wú)上升和下降斜率限制,適用于對(duì)信號(hào)傳輸速度要求較高的應(yīng)用。
- 斜率控制模式:在引腳8連接接地的電阻器以調(diào)節(jié)上升和下降斜率。斜率控制可通過(guò)0Ω電阻器值進(jìn)行,以實(shí)現(xiàn)約38V/μs的單端壓擺率,所使用的電阻器值最高可達(dá)50kΩ,以實(shí)現(xiàn)約4V/μs的壓擺率。這種模式可以有效減少電磁干擾(EMI),適用于對(duì)EMI敏感的應(yīng)用。
- 低功耗待機(jī)模式:對(duì)引腳8施加高邏輯電平,SN55HVD233-SEP會(huì)進(jìn)入低電流待機(jī)(僅監(jiān)聽(tīng))模式,在此模式下,驅(qū)動(dòng)器將關(guān)斷并且接收器保持活動(dòng)狀態(tài),可降低功耗。
(二)環(huán)回模式
當(dāng)SN55HVD233-SEP的環(huán)回LBK引腳(引腳5)具有邏輯高電平時(shí),會(huì)將總線輸出和總線輸入置于高阻抗?fàn)顟B(tài),其余電路將保持工作狀態(tài),可用于驅(qū)動(dòng)器到接收器的回送和自診斷節(jié)點(diǎn)功能,且不會(huì)干擾總線。這種模式對(duì)于系統(tǒng)的調(diào)試和故障診斷非常有用。
(三)CAN總線狀態(tài)
在器件供電運(yùn)行期間,CAN總線具有兩種狀態(tài):顯性和隱性。
- 顯性狀態(tài):總線采用差分驅(qū)動(dòng)方式,D和R引腳相應(yīng)地置為邏輯低電平。
- 隱性狀態(tài):總線通過(guò)接收器的高電阻內(nèi)部輸入電阻器$R{IN}$偏置為$V{CC} / 2$,D和R引腳相應(yīng)地偏置為邏輯高電平。
六、應(yīng)用與設(shè)計(jì)
(一)應(yīng)用場(chǎng)景
SN55HVD233-SEP適用于多種應(yīng)用場(chǎng)景,特別是衛(wèi)星應(yīng)用。它可作為微處理器、FPGA或ASIC的主機(jī)CAN控制器與差分CAN總線之間的接口,支持近地軌道空間應(yīng)用、空間數(shù)據(jù)總線通信和控制、機(jī)載數(shù)據(jù)處理的衛(wèi)星遙測(cè)和遙控等。
(二)典型應(yīng)用設(shè)計(jì)
1. 設(shè)計(jì)要求
在進(jìn)行CAN總線設(shè)計(jì)時(shí),需要遵循一定的標(biāo)準(zhǔn)和要求。High - Speed ISO 11898標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了最大信令速率為1Mbps,最大總線長(zhǎng)度為40m,最大節(jié)點(diǎn)數(shù)為30,最大未端接短截線長(zhǎng)度為0.3m。電纜應(yīng)采用屏蔽或非屏蔽雙絞線,特性阻抗為120Ω,總線兩端應(yīng)使用120Ω電阻進(jìn)行端接,以防止信號(hào)反射。
2. 詳細(xì)設(shè)計(jì)步驟
- 總線長(zhǎng)度與信令速率的關(guān)系:總線長(zhǎng)度和信令速率之間存在一定的關(guān)系,一般來(lái)說(shuō),總線長(zhǎng)度越長(zhǎng),信令速率越低。例如,40m的總線長(zhǎng)度對(duì)應(yīng)的信令速率為1Mbps,100m對(duì)應(yīng)的信令速率為0.5Mbps,200m對(duì)應(yīng)的信令速率為0.25Mbps,500m對(duì)應(yīng)的信令速率為0.1Mbps,1000m對(duì)應(yīng)的信令速率為0.05Mbps。
- 斜率控制:通過(guò)在RS引腳(引腳8)連接接地的電阻器,可以調(diào)節(jié)SN55HVD233-SEP驅(qū)動(dòng)器輸出的上升和下降斜率。斜率控制可以有效減少EMI,提高信號(hào)質(zhì)量。
- 待機(jī)模式:當(dāng)對(duì)RS引腳施加高電平輸入(>0.75 $V_{CC}$)時(shí),電路進(jìn)入低電流、僅監(jiān)聽(tīng)的待機(jī)模式,驅(qū)動(dòng)器關(guān)斷,接收器保持活動(dòng)狀態(tài)。當(dāng)總線上出現(xiàn)顯性狀態(tài)的上升沿(總線差分電壓>900mV典型值)時(shí),本地控制器可以將電路從低功耗待機(jī)模式中喚醒。
(三)布局建議
1. 布局準(zhǔn)則
- 最小化短截線長(zhǎng)度:從節(jié)點(diǎn)插入到總線的短截線長(zhǎng)度應(yīng)盡量短,以減少信號(hào)反射和干擾。
- 總線負(fù)載、長(zhǎng)度和節(jié)點(diǎn)數(shù):ISO11898標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了數(shù)據(jù)速率、總線長(zhǎng)度、短截線長(zhǎng)度和節(jié)點(diǎn)數(shù)的最大值,但通過(guò)精心的網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì),可以延長(zhǎng)電纜長(zhǎng)度、增加短截線長(zhǎng)度和節(jié)點(diǎn)數(shù)。SN55HVD233-SEP具有高輸入阻抗和寬共模范圍,支持在單個(gè)總線段上連接多達(dá)120個(gè)收發(fā)器。
- CAN端接:使用與電纜特性阻抗相等的電阻對(duì)總線兩端進(jìn)行端接,以防止信號(hào)反射。應(yīng)盡量減少未端接的短截線長(zhǎng)度,以降低信號(hào)反射的影響。
2. 布局示例
文檔中提供了一個(gè)典型的電路板布局示例,展示了如何合理布置器件和布線,以確保信號(hào)的穩(wěn)定傳輸。
七、總結(jié)
SN55HVD233-SEP作為一款專(zhuān)為嚴(yán)苛輻射環(huán)境設(shè)計(jì)的CAN收發(fā)器,具有出色的輻射耐受性、多種保護(hù)功能和靈活的工作模式。它的高輸入阻抗和寬共模范圍使其適用于多種CAN總線應(yīng)用場(chǎng)景,特別是在衛(wèi)星等航天領(lǐng)域。在進(jìn)行設(shè)計(jì)時(shí),工程師需要根據(jù)實(shí)際需求選擇合適的工作模式和參數(shù),遵循布局準(zhǔn)則,以確保系統(tǒng)的可靠性和穩(wěn)定性。希望本文能為電子工程師在使用SN55HVD233-SEP進(jìn)行設(shè)計(jì)時(shí)提供一些有用的參考。你在使用類(lèi)似收發(fā)器的過(guò)程中遇到過(guò)哪些問(wèn)題呢?歡迎在評(píng)論區(qū)分享你的經(jīng)驗(yàn)和見(jiàn)解。
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SN55HVD233-SP 3.3 V CAN 收發(fā)器,SN55HVD233-SP
SN55HVD233-SEP 采用增強(qiáng)型航天塑料封裝且具有待機(jī)模式的耐輻射 3.3V CAN 收發(fā)器
SN55HVD251.SN65HVD251工業(yè)CAN總線收發(fā)器數(shù)據(jù)表
SN55HVD233-SP 3.3V 耐輻射 CAN 收發(fā)器數(shù)據(jù)表
SN65HVD233-HT 3.3-V CAN收發(fā)器數(shù)據(jù)表
采用增強(qiáng)型航天塑料的SN55HVD233-SEP 3.3V耐輻射CAN收發(fā)器數(shù)據(jù)表
SN65HVD233-EP 3.3-V CAN收發(fā)器數(shù)據(jù)表
SN55HVD233-SEP:航天級(jí)CAN收發(fā)器的卓越之選
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