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探索EVAL-2EP130R-PR評估板:IGBT與MOSFET隔離柵極驅(qū)動電源的理想之選

h1654155282.3538 ? 2025-12-19 16:20 ? 次閱讀
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探索EVAL-2EP130R-PR評估板:IGBTMOSFET隔離柵極驅(qū)動電源的理想之選

在電子工程領(lǐng)域,對于IGBT和MOSFET的隔離柵極驅(qū)動電源設(shè)計,合適的評估板至關(guān)重要。今天,我們就來深入了解一下Infineon的EiceDRIVER? Power EVAL - 2EP130R - PR評估板,看看它能為我們帶來哪些驚喜。

文件下載:Infineon Technologies EVAL-2EP130R-PR 評估板.pdf

一、評估板概述

1.1 適用對象與用途

這份用戶指南主要面向熟悉開環(huán)架構(gòu)隔離柵極驅(qū)動電源電氣工程師。EVAL - 2EP130R - PR評估板用于評估和測量2EP130R,可幫助工程師將其適配到各種開關(guān)的供電需求中,支持為兩個柵極驅(qū)動IC(如高端和低端柵極驅(qū)動IC)提供隔離電源電壓。不過要注意,該PCB和輔助電路并未針對最終客戶設(shè)計進(jìn)行優(yōu)化。

1.2 交付內(nèi)容

評估板的交付內(nèi)容包括一塊尺寸為90×37 mm2的EVAL - 2EP130R - PR評估板,以及三個用于在TR1位置進(jìn)行定制組裝的變壓器:

  • WE 750319375:TTR = 1.25:1,VDD = 15 V,DC = 33%,為IGBT提供+15 / -7.5 V。
  • WE 750319376:TTR = 1.5:1,VDD = 15 V,DC = 22%,為SiC MOSFET提供+15 / -4 V。
  • WE 750319377:TTR = 1.4:1,VDD = 15 V,DC = 14%,為SiC MOSFET提供+18 / -2.5 V。

1.3 主要特性

評估板為全橋變壓器驅(qū)動IC的評估提供了便利,具有以下特性:

  • 寬輸入電源范圍VVDD從5 V到20 V。
  • 輸出功率高達(dá)5 W(取決于占空比)。
  • 采用峰值整流拓?fù)涞碾p隔離輸出電源軌,占空比可調(diào)輸出電壓比。
  • 使用內(nèi)部振蕩器或外部脈沖寬度調(diào)制(PWM),寬頻率工作范圍從50 kHz到695 kHz。
  • 可調(diào)節(jié)過流閾值。
  • 電源輸出短路保護(hù)。
  • 過溫保護(hù)。
  • RDY狀態(tài)輸出指示正常運(yùn)行。

1.4 產(chǎn)品變體

EiceDRIVER? Power 2EP1xxR系列有多個產(chǎn)品變體,各有特點(diǎn): 產(chǎn)品名稱 頻率 占空比 平均過流保護(hù) 旁路輸入
2EP100R 66kHz或100 kHz 33%或50% Level4 no
2EP101R 50kHz或66kHz 12%或17% Level4 no
2EP110R 50 kHz或66 kHz 10%..50% Level4 no
2EP130R 50kHz..695 kHz 10%..50% Level 1 - 5 yes

所有產(chǎn)品變體引腳兼容,可在客戶特定設(shè)計中使用匹配的配置設(shè)置。EVAL - 2EP130R - PR預(yù)組裝了2EP130R,用于完整功能評估。

1.5 絕對最大額定值與推薦工作范圍

評估板的參數(shù)必須遵守絕對最大額定值,并在推薦工作范圍內(nèi)運(yùn)行。以下是部分關(guān)鍵參數(shù): 參數(shù) 符號 最小值 最大值 單位 備注/條件
電源電壓 VVDD 0 22 V 參考GND
正輸出電壓 Vvcci,Vvcc2 0 35 V 電容二極管電壓額定值限制,參考GND1/GND2
負(fù)輸出電壓 VEEL 'VE2 -35 0 V 受電容和二極管電壓額定值限制,參考GND1/GND2

二、系統(tǒng)與功能描述

2.1 2EP1xxR的峰值整流拓?fù)湓?/h3>

2EP1xxR的全橋功率級和峰值整流拓?fù)溆糜谔峁﹥蓚€隔離輸出電壓,每個變壓器輸出繞組支持正、負(fù)輸出電壓,正、負(fù)電壓之比由占空比定義。

  • 全橋變壓器驅(qū)動2EP130R:2EP130R根據(jù)配置的開關(guān)頻率和占空比(DC)對施加的電源電壓VVDD進(jìn)行斬波,OUT1和OUT2的開關(guān)模式相反,輸出電壓為$V{OUT 1,2}= pm V{V D D}$ ,占空比計算公式為$DC=frac{t{ON 1}}{t{PER}}$ 。
  • 串聯(lián)電容C1:串聯(lián)電容C1產(chǎn)生一個由占空比得出的偏移,穩(wěn)態(tài)運(yùn)行期間電容電壓$V{C 1}=V{VDD}left(1-frac{2 cdot DC}{100 %}right)$ ,它將對稱的峰值轉(zhuǎn)換為不對稱的峰值電壓$V{RPI}= pm V{VDD}+V_{C 1}$ 。
  • 變壓器及相關(guān)參數(shù):變壓器根據(jù)變壓器匝數(shù)比(TTR)將初級輸入電壓轉(zhuǎn)換到次級側(cè),$V{SEC}=frac{V{PRI}}{TTR}= pm frac{V{DD}}{TTR}+frac{V{C 1}}{TTR}$ ,$V_{C 1}$ 偏移電壓可防止變壓器飽和。
  • 峰值電流整流:考慮到峰值整流電路中的二極管,計算輸出電容電壓時要考慮次級變壓器電壓的極性。正輸出電壓$V{CCx}=left(frac{V{DD}}{TRR}+frac{V{C 1}}{TRR}-V{F}right)$ ,負(fù)輸出電壓$V{EEx}=-left(frac{V{DD}}{TRR}-frac{V{C 1}}{TRR}-V{F}right)$ 。但要注意,正、負(fù)電壓軌負(fù)載相等時,正、負(fù)半波電流可能不對稱,導(dǎo)致輸出電壓與計算值不同。

2.2 啟動步驟

2.2.1 先決條件

  • 為預(yù)期輸出電壓選擇變壓器和匹配的占空比配置電阻。
  • 在TR1位置組裝所選變壓器。
  • 在R3位置組裝所選占空比配置電阻。
  • 驗(yàn)證R1的OCset電平配置,默認(rèn)值為5。
  • 驗(yàn)證R2的開關(guān)頻率配置,默認(rèn)值為65 kHz,由內(nèi)部生成。

2.2.2 上電步驟

  • 將負(fù)載連接到X10/X11和X20/X21連接器的隔離變壓器輸出端子,注意極性,OUT1和OUT2的LED可作為最小基本負(fù)載。
  • 在X1/X2連接器的相應(yīng)端子上,在VDD和GND之間連接正電源電壓,根據(jù)輸出電壓計算選擇電壓。
  • RDY LED指示2EP130R的就緒狀態(tài)。施加電源電壓后,2EP130R進(jìn)行軟啟動,隔離輸出電壓升高,RDY狀態(tài)LED亮起。若未亮起,可能是變壓器驅(qū)動供電不正確、仍處于啟動模式或故障模式(過流或過熱)。

2.3 基于電阻的操作參數(shù)調(diào)整

2EP130R提供三個輸入引腳來配置開關(guān)頻率、占空比和平均過流保護(hù):

  • 電阻R1在OCSET引腳設(shè)置過流閾值,默認(rèn)值$R1 = 47500 Omega$ ,OCset電平為5。
  • 電阻R2在FREQ/BYP引腳設(shè)置頻率,默認(rèn)值$R2 = 698 Omega$ ,開關(guān)頻率為65 kHz。
  • 電阻R3在DC引腳設(shè)置占空比,默認(rèn)未組裝。

2.4 旁路模式操作

2EP130R支持旁路模式操作,在此模式下,它會跟隨FREQ/BYP引腳的外部脈沖寬度調(diào)制(PWM)信號來確定頻率和占空比。啟動期間,IC遵循內(nèi)部軟啟動序列,頻率和單個脈沖長度會與外部PWM信號有偏差,啟動期間施加的開關(guān)頻率應(yīng)保持恒定,變壓器驅(qū)動在啟動序列的最后時刻與該頻率同步。要在旁路模式下操作評估板,需將DC引腳的電阻R3改為0 Ω,移除FREQ/BYP引腳的電阻R2,并在R8位置組裝一個0 Ω電阻,將X2.BYP引腳連接到FREQ/BYP引腳。

2.5 SiC MOSFET電源示例

以獲得適合SiC MOSFET的輸出電壓為例,我們來看看如何計算和選擇參數(shù)。

  • 計算和選擇占空比:根據(jù)公式$DC=1-frac{V{CCx}+V{F}}{2 cdot V{F}+V{CCx}-V{EEx}}$ 計算占空比,計算結(jié)果需取整以兼容2EP,此例中計算得到$DC = 0.136$ ,選擇$DC{selected}=14%$ ,根據(jù)電阻選擇表,該占空比設(shè)置需要在DC引腳使用698 Ω的電阻。
  • 計算和選擇變壓器匝數(shù)比:根據(jù)公式$TTR=frac{2 cdot V{DD}}{2 cdot V{F}+V{CCx}-V{EEx}}$ 計算變壓器匝數(shù)比,此例中計算得到$TTR = 1.41$ ,選擇$TTR_{selected}=1.4$ ,接近Würth Elektronik變壓器(部件號750319377)的匝數(shù)比。
  • 驗(yàn)證選擇:計算得到的輸出電壓與目標(biāo)電壓進(jìn)行比較,$V{CC}=frac{2 cdot V{DD} cdotleft(1 - DC{selected}right)}{TTR{selected}}-V{F}=18.03V$ ,$V{EE}=frac{2 cdot V{DD} cdotleft(-DC{selected}right)}{TTR{selected}}+V{F}=-2.60V$ ,與目標(biāo)值偏差較小,但仍需驗(yàn)證選擇的正確性。

三、系統(tǒng)設(shè)計

3.1 原理圖

原理圖使用默認(rèn)電阻值進(jìn)行平均過流設(shè)置電平5和目標(biāo)開關(guān)頻率65 kHz的設(shè)計,默認(rèn)未組裝占空比調(diào)整電阻和變壓器。假設(shè)變壓器匝數(shù)比為1.4:1,占空比為14%,輸入電壓為15 V時,正輸出電壓約為18 V,負(fù)輸出電壓為 - 2.6 V。

3.2 布局

EVAL - 2EP130R - PR評估板尺寸約為$91 ×37 mm^{2}$ ,兩層PCB使用標(biāo)準(zhǔn)銅厚度1 oz,頂層用于布線,底層主要由三個GND平面組成,也可采用單層設(shè)計。

3.3 物料清單

完整的物料清單可在Infineon主頁的下載部分獲取,需要登錄憑證。以下是部分重要部件: S. No. Ref Designator 描述 制造商 制造商P/N 組裝情況
1 R1 RES SMD 47.5kO 125mW1%0805 Vishay CRCW080547K5FK Yes
1 R2 RES SMD 6980 125mW1%0805 Vishay CRCW0805698RFK Yes
1 R3 RES SMD 698 125mW1%0805 Vishay CRCW0805698RFK No
1 TR1 變壓器, 1 mH, 匝數(shù)比 1.4:1 Wurth Elektronik 750319377 r00 No
1 U1 用于IGBT和SiC MOSFET柵極驅(qū)動電源的全橋變壓器驅(qū)動器 Infineon 2EP130R Yes

3.4 連接器詳情

評估板上的連接器功能明確,如X1和X2用于輸入電源和信號,X10/X11和X20/X21用于輸出電源軌。 連接器 PIN 標(biāo)簽 功能
X1 X1.1 GND 初級輸入接地參考
X1 X1.2 VDD 變壓器驅(qū)動器2EP130R的輸入電源電壓
X2 X2.1 GND 初級輸入接地參考
X2 X2.2 VDD 變壓器驅(qū)動器2EP130R的輸入電源電壓
X2 X2.4 BYP 旁路操作模式的外部PWM輸入引腳
X2 X2.6 RDY 就緒狀態(tài)輸出引腳,開漏

四、系統(tǒng)性能

4.1 效率

效率測量記錄穩(wěn)態(tài)運(yùn)行期間的輸出電壓和電流,并與2EP輸入電壓和電流進(jìn)行比較。效率曲線會因輸入電壓、開關(guān)頻率、占空比和變壓器組件選擇等不同操作條件而變化。本次測量在15 V、80 kHz、12%占空比下,使用Würth Elektronik的變壓器750319377進(jìn)行。

4.2 啟動時的開關(guān)波形

啟動時,2EP1xxR先在啟動峰值電流模式下運(yùn)行,達(dá)到目標(biāo)占空比且未觸發(fā)峰值電流限制時,將開關(guān)頻率與配置頻率同步,達(dá)到目標(biāo)頻率后,釋放RDY引腳表示啟動成功。

4.3 輸出電壓的啟動行為

RDY信號短暫跟隨輸入電源電壓VDD,直到內(nèi)部欠壓鎖定(UVLO)電路激活并將RDY信號拉至GND電平,內(nèi)部啟動階段結(jié)束后,2EP1xxR釋放RDY信號。

4.4 輸出電壓紋波

由于所選占空比的原因,VCCx的輸出電壓紋波幅度較高。在兩個輸出電平的負(fù)載恒定的情況下,2EP1xxR需要在比VEEx輸出電容更短的時間內(nèi)為VCCx輸出電容充電。本次測量顯示了約30 mA負(fù)載電流下的輸出紋波。

五、附加信息

5.1 可訂購部件編號

評估板 OPN 描述
EVAL - 2EP130R - PR EVAL2EP130RPRTOBO1 帶峰值整流和3個變壓器的2EP130R板
EVAL - 2EP130R - PR - SiG EVAL2EP130RPRSICTOBO1 用于SiC MOSFET的帶峰值整流的2EP130R板
EVAL - 2EP130R - VD EVAL2EP130RVDTOBO1 用于IGBT的帶倍壓器的2EP130R板

5.2 兼容的柵極驅(qū)動器評估板

評估板 OPN 描述
EVAL - 1ED3121MX12H EVAL1ED3121MX12HTOBO1 1ED3121MX12H板 -2300 V,5.5A,5.7kV(rms) 帶單獨(dú)輸出
EVAL - 1ED3122MX12H EVAL1ED3122MX12HTOBO1 1ED3122MX12H板 -2300 V, 10 A, 5.7 kv(rms) 帶有源米勒鉗位
EVAL - 1ED3124MX12H EVAL1ED3124MX12HTOB01 1ED3124MX12H板 -2300 V,14A, 5.7 kV(rms) 帶單獨(dú)輸出

綜上所述,EVAL - 2EP130R - PR評估板為IGBT和MOSFET的隔離柵極驅(qū)動電源設(shè)計提供了全面的解決方案。它具有豐富的功能和靈活的配置選項,能夠滿足不同的設(shè)計需求。不過在使用過程中,我們也需要注意其絕對最大額定值和推薦工作范圍,以及一些安全預(yù)防措施。希望通過本文的介紹,能讓大家對這款評估板有更深入的了解,在實(shí)際設(shè)計中發(fā)揮其最大的作用。你在使用類似評估板時遇到過哪些問題呢?歡迎在評論區(qū)分享交流。

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