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PolyZen系列產(chǎn)品在電路EOS防護(hù)中有哪些應(yīng)用

電子設(shè)計 ? 來源:郭婷 ? 作者:電子設(shè)計 ? 2019-01-10 09:53 ? 次閱讀
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LED應(yīng)用過程中的EOS故障

在LED的應(yīng)用過程中,我們會經(jīng)常遇到一種能夠?qū)е翷ED器件失效的EOS故障。EOS(electrical overstress)指的是過度電性應(yīng)力,當(dāng)電子元器件被施加的電流或者電壓超過該元器件最大的設(shè)計規(guī)范要求時,該元器件便會發(fā)生性能減弱,甚至于直接損壞的現(xiàn)象。

LED器件很容易受到EOS的損傷,這種損壞有時能夠直接擊壞器件造成失效,而有時失效則可能在EOS發(fā)生一段時間后才發(fā)生。電源輸出質(zhì)量的不穩(wěn)定,各種過電壓過電流的噪音,以及熱插入應(yīng)用使用中的突入電流現(xiàn)像等都是能夠產(chǎn)生EOS失效的諸多因素,這種EOS現(xiàn)像都屬于短時間的過負(fù)荷,在短時間內(nèi)(一般在一秒鐘內(nèi))LED受到尖峰電壓或者尖峰電流的沖擊,這種電壓或者電流的能量超過了LED的設(shè)計額定值,從而損傷LED器件。

本文將介紹一種保護(hù)LED器件,緩解EOS故障的方案,使用TE公司的PolyZen系列元器件將能夠有效的減輕EOS侵?jǐn)_,提高產(chǎn)品的可靠性。PolyZen系列元器件是具有纖薄外形的集成式過壓和過流保護(hù)器件,具有強(qiáng)大的電路保護(hù)功能,以幫助保護(hù)敏感的電子產(chǎn)品,避免因為過壓和過流失效而導(dǎo)致的代價昂貴的產(chǎn)品返修和質(zhì)保問題。PolyZen系列產(chǎn)品為電路板設(shè)計人員提供了方便的過壓過流保護(hù)器件,讓他們不再需要花費(fèi)大量的時間去集成并測試低效的分立器件及較昂貴的IC解決方案。

TE PolyZen集成保護(hù)方案提供可靠有效的過壓過流保護(hù)

TE電路保護(hù)部的PolyZen產(chǎn)品是獨(dú)立的表面貼裝器件,它集成了一個可供選擇齊納電壓(Vz)的精密齊納二極管,以及一個PolySwitch聚合物正溫度系數(shù)(PPTC)器件,產(chǎn)品原理圖如圖1所示。PolyZen系列適用于空間狹小的薄型緊湊型環(huán)境,它使用了具有熱保護(hù)功能的齊納二極管,以幫助保護(hù)電子產(chǎn)品避免電壓瞬變、反向偏置和錯誤的電源使用造成的失效。如圖2,PolyZen產(chǎn)品的典型應(yīng)用框圖,在故障狀態(tài)時,精密齊納二極管能快速有效的箝位電壓并分流故障電流,而PolySwitch PPTC組件則可以繼而快速的關(guān)斷過大的電流,從而幫助保護(hù)齊納二極管和下游電子組件。

PolyZen系列產(chǎn)品在電路EOS防護(hù)中有哪些應(yīng)用

PolyZen產(chǎn)品的典型故障響應(yīng)如圖3所示,圖例中選用的是一個集成了5.6V齊納電壓的PolyZen器件,在24V過壓條件(VIN)下,系統(tǒng)有10A的故障電流(IFLT)通過,PolyZen器件中的精密齊納二極管能夠快速的將輸出電壓(VOUT)箝位在5.6V附近,保護(hù)了負(fù)載電路,同時器件中的PPTC能夠快速的動作截斷電流,持續(xù)長久保護(hù)齊納二極管與整個電路。

PolyZen系列產(chǎn)品在電路EOS防護(hù)中有哪些應(yīng)用

如今PolyZen系列產(chǎn)品已經(jīng)有豐富的齊納二極管與PPTC集成組合方便實際應(yīng)用選擇。其小尺寸,獨(dú)立貼裝,多功能保護(hù)已經(jīng)成為過流過壓保護(hù)應(yīng)用中一種具備顯著性能與價格優(yōu)勢的創(chuàng)新型解決方案,超越了使用熔斷器、齊納二極管和其它無源組件的分立式解決方案。

如何使用PolyZen保護(hù)EOS

首先我們搭建一個基本測試平臺用來仿真產(chǎn)生EOS故障信號,整個測試平臺電路原理圖及實際測試圖如圖4,圖5所示,測試系統(tǒng)中使用Keithley Model 2410數(shù)字源表做為電壓源輸出,回路中串聯(lián)了一個開關(guān)用來通斷整個回路。另外我們選用了某知名公司的一款LED產(chǎn)品用來評價EOS故障對該產(chǎn)品的影響,該LED對于浪涌電流的額定承受能力如表1紅線框中所示,通過這個參數(shù),可以計算得到能夠?qū)е翷ED發(fā)生故障的瞬間能量如公式1:

I2tD = 22 x 0.016 x 0.05 = 0.0032(A2s) ------公式1

I:電流峰值,t:電流持續(xù)時間,D:電流占空比

這樣我們可以知道,如果測試系統(tǒng)電源輸出的瞬間尖峰信號能量超過了這個值,就有可能損傷LED器件。

PolyZen系列產(chǎn)品在電路EOS防護(hù)中有哪些應(yīng)用

PolyZen系列產(chǎn)品在電路EOS防護(hù)中有哪些應(yīng)用

我們開始試驗,如圖6所示,示波器捕捉了測試系統(tǒng)在起始工作時的瞬間電壓電流波形,尖峰電壓=4V,尖峰電流=1.5A,持續(xù)時間=340us.

PolyZen系列產(chǎn)品在電路EOS防護(hù)中有哪些應(yīng)用

圖6:Keithley源表產(chǎn)生的瞬間脈沖波形

這樣我們可以計算在該狀態(tài)下的EOS能量,由于該波形近似于三角波,所以我們可以根據(jù)公式2來計算它的能量:

0.5I2t = 0.5 x 0.152 x 0.00034 = 0.0038(A2s) ------公式2

I:電流峰值,t:電流持續(xù)時間

從公式2得到的數(shù)據(jù)來看,這個尖峰噪音的能量小于能損壞該款LED浪涌承受能力的額定值,所以在這種情況下該款LED是安全的,不過由于這次試驗我們使用的是Keithley的源表,它能夠提供高質(zhì)量的電源??梢姴捎酶哔|(zhì)量的電源可以避免EOS對LED的損傷。但在實際應(yīng)用中,如果采用高質(zhì)量的電源來防治EOS故障,我們就需要在LED電源的設(shè)計和應(yīng)用上花費(fèi)更多的精力與成本,這往往是不符合市場實際的。

所以考慮到如何去模擬實際應(yīng)用場合中可能會遇到的惡劣電源狀況,我們在圖4測試平臺的基礎(chǔ)上在電壓源的輸出端增加了一個220uF/450V的電容用來惡化EOS信號,原理電路及實際測試圖如圖7,圖8所示。在這組實驗中我們將考察PolyZen器件對EOS的改善,如圖7,我們選用了PolyZen系列中的一款器件ZEN056V130A24LS用來做EOS的保護(hù),這個PolyZen器件集成了一個5.6V的齊納二極管。

PolyZen系列產(chǎn)品在電路EOS防護(hù)中有哪些應(yīng)用

首先我們考察回路中沒有PolyZen器件保護(hù)的情況,合上開關(guān),示波器可以捕捉到如圖9所示的電流電壓瞬間脈沖波形。

PolyZen系列產(chǎn)品在電路EOS防護(hù)中有哪些應(yīng)用

圖9:Keithley源表產(chǎn)生的瞬間脈沖波形(增加電容惡化EOS)

尖峰電壓=23.2V,尖峰電流=12.8A,持續(xù)時間=200us.根據(jù)公式3,我們可以得到這個EOS的能量為0.054,這個值就超過了LED額定浪涌電流承受值。如果LED長時間的工作在這樣的電源下,LED的壽命將會減少,而且可能會出現(xiàn)直接損壞的情況。

0.5I2t = 0.5 x 23.22 x 0.0002 = 0.054(A2s) ------公式3

I:電流峰值,t:電流持續(xù)時間

我們繼續(xù)進(jìn)行實驗,如圖6,在這次試驗,我們在LED之前,并聯(lián)了一個PolyZen的器件,我們已經(jīng)介紹過PolyZen是一個過流過壓綜合保護(hù)的器件,它集成了一個性能優(yōu)良的齊納二極管,將能夠有效的箝位輸出電壓,分流故障電流,從而使得負(fù)載電路得到保護(hù)。在實際的測試中,我們得到了如圖10所示的尖峰電壓電流波形。

PolyZen系列產(chǎn)品在電路EOS防護(hù)中有哪些應(yīng)用

圖10:Keithley源表產(chǎn)生的瞬間脈沖波形(增加電容惡化EOS以及PolyZen保護(hù))

尖峰電壓=6.4V,尖峰電流=6.4A,持續(xù)時間=240us,這樣我們繼續(xù)計算這個EOS波形的能量,如公式4:

0.5I2t = 0.5 x 6.42 x 0.00024 = 0.0049(A2s) ------公式4

I:電流峰值,t:電流持續(xù)時間

我們可以看到PolyZen對于EOS的改善是非常顯著的,EOS的能量從0.054A2s降低到了0.0049A2s,PolyZen器件通過快速的箝位故障電壓,減小了故障電流,這樣就有效的改善了EOS故障。

我們使用PolyZen的器件再進(jìn)行一組實驗,這次我們將應(yīng)用一顆PolyZen的器件去保護(hù)兩顆LED,這在實際的應(yīng)用中會經(jīng)常遇到,該方案也具有更好的成本優(yōu)勢。由于我們需要保護(hù)的LED VF=3V,所以為保護(hù)兩顆LED,我們選用ZEN065V130A24LS來保護(hù)電路,它擁有一顆6.5V的齊納二極管。測試系統(tǒng)的框圖,及實際測試圖如圖11,圖12所示。

PolyZen系列產(chǎn)品在電路EOS防護(hù)中有哪些應(yīng)用

示波器捕捉到了如圖13的波形,尖峰電壓=7.4V,尖峰電流=1.5A,持續(xù)時間=400us,這樣我們可以計算這個EOS波形的能量,如公式5:

0.5I2t = 0.5 x 1.182 x 0.0004 = 0.00027(A2s) ------公式5

I:電流峰值,t:電流持續(xù)時間

這個EOS的能量已經(jīng)小于了公式1中計算所得可以導(dǎo)致LED故障的EOS能量,所以LED能夠在這樣的電源系統(tǒng)中安全工作。在這個應(yīng)用中,PolyZen器件完美的完成了EOS防護(hù)的工作,LED得到了良好的保護(hù)。

PolyZen系列產(chǎn)品在電路EOS防護(hù)中有哪些應(yīng)用

圖13:Keithley源表產(chǎn)生的瞬間脈沖波形(增加電容惡化EOS,一顆PolyZen器件保護(hù)兩顆LED)

PolyZen還能做些什么

從上面的實驗,我們已經(jīng)可以明確的得到結(jié)果,PolyZen器件能夠用來保護(hù)LED產(chǎn)品的EOS故障。另外PolyZen的能力還不限于此,PolyZen是一個過壓,過流的集成綜合保護(hù)器件,普通的TVS器件雖然也能夠箝位電壓,但是只能用作短時間脈沖的保護(hù),而PolyZen器件除了集成了一個高性能的齊納二極管,還集成了一個PPTC過流保護(hù)器件,這使得它可以有更廣泛的應(yīng)用。

我們知道當(dāng)過壓故障發(fā)生,箝位二極管被擊穿后,它的溫度將會隨著時間的增加而增加,如果故障沒有消除,或者有較長時間的過壓故障脈沖加載在電路上,我們就會需要大能量的TVS器件來保護(hù)電路,否則TVS器件本身也會被永久破壞,而大能量的TVS器件意味著更昂貴的價格,以及更大的封裝尺寸。PolyZen器件中集成的PPTC能夠快速有效的進(jìn)行過流保護(hù),在故障發(fā)生時,齊納管首先保護(hù),箝位電壓,它本身溫度上升,然后PPTC能夠被齊納管加熱,在很短的時間內(nèi)動作,成為高阻狀態(tài),這樣的話,整個電路的電流就能夠被限制住,而故障電壓會基本都由PPTC來承受,PPTC可以長時間的承受故障電壓,使PolyZen可以勝任一個長時間的持續(xù)過壓過流保護(hù)。PolyZen器件的這個獨(dú)特功能,使得它能夠以較小的封裝尺寸來承受更大的能量。

結(jié)束語

隨著市場對于節(jié)能低功耗的需求逐漸增加,LED已經(jīng)成為了新一代照明的趨勢,而LED在應(yīng)用過程當(dāng)中的EOS保護(hù)也越來越受到人們的重視,本文仿真了惡劣EOS信號的產(chǎn)生,并通過測試實際考察了它對LED器件的影響,繼而進(jìn)一步嘗試應(yīng)用了TE公司的PolyZen器件來抑制EOS,并得到了良好的測試結(jié)果。我們可以總結(jié)一下PolyZen器件在LED的EOS故障防護(hù)中的優(yōu)點:

1. 效果顯著的改善EOS能量,保護(hù)LED器件,延長LED器件壽命。

2. 降低LED電源設(shè)計的難度及成本。

3. 過流過壓多功能保護(hù),小尺寸封裝,大能量保護(hù),改善使用大功率TVS管做保護(hù)帶來的成本及空間上的壓力。

PolyZen器件的諸多優(yōu)點,使得它可以成為一種LED器件EOS故障防護(hù)中的理想解決方案。

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