引言

常見(jiàn)的片內(nèi)濾波器的設(shè)計(jì)帶寬都上兆赫茲，而幾十千赫茲帶寬的濾波器大多采用片外無(wú)源器件來(lái)實(shí)現(xiàn)。原因是低頻濾波器的時(shí)間常數(shù)巨大，在芯片內(nèi)占據(jù)大量的芯片面積。

在片內(nèi)實(shí)現(xiàn)巨大時(shí)間常數(shù)的通常辦法是采取大電阻小電容結(jié)合方式。因?yàn)榇箅娮杩衫瞄_(kāi)關(guān)電容技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)。以前采用開(kāi)關(guān)電容技術(shù)實(shí)現(xiàn)的濾波器有兩個(gè)明顯缺陷：其一是開(kāi)關(guān)電容在信號(hào)通路中會(huì)引入大量噪聲，從而直接導(dǎo)致濾波器的線性度不高；其二是開(kāi)關(guān)電容的時(shí)鐘頻率必須和后續(xù)的ADC頻率嚴(yán)格一致，否則會(huì)導(dǎo)致丟碼。

本文仍采用開(kāi)關(guān)電容技術(shù)，但不放在信號(hào)通路中，而是將其放到控制電路中。其主通路中的電阻采用R-MOS結(jié)構(gòu)，阻值可由控制電路精確調(diào)節(jié)。這樣既利用了開(kāi)關(guān)電容可精確實(shí)現(xiàn)大電阻的功能，也消除了前面提到的2個(gè)缺陷，故可實(shí)現(xiàn)連續(xù)時(shí)間濾波器較高的線性度。

1 濾波器結(jié)構(gòu)

該濾波器的整體結(jié)構(gòu)如圖l所示。整體結(jié)構(gòu)共3級(jí)，每一級(jí)為High-Q Opamp-R-C的二階帶通濾波器，通過(guò)級(jí)聯(lián)形成一個(gè)6階的Chebvshev I型濾波器。濾波器的整體傳遞函數(shù)如下：

為了降低電路的復(fù)雜度。圖l中的所有電阻均采用同一阻值，這樣，整個(gè)濾波器只需要一個(gè)控

由于該電阻的值隨PVT的變化很大，因此，為了使濾波器的頻響特性不受PVT變化的影響，則要求電阻值不隨PVT變化。為此，需要討論如何保證電阻值不隨PVT改變而改變。

2 精確電阻處理

精確電阻由控制電路部分實(shí)現(xiàn)，其控制電路結(jié)構(gòu)如圖2所示。其中開(kāi)關(guān)S1和S2可由兩相不交疊時(shí)鐘φ1和φ2分別控制，以對(duì)電容進(jìn)行周期性充放電，從而使等效電阻；MOS管M工作在線性區(qū)，其電阻如下：

通過(guò)RM和R可得到Ri的值。當(dāng)Ri>Req，積分器呈正積分特性，運(yùn)放的輸出電壓增大，VGS變大，RM變小，Ri變小。

圖2中R的作用是降低MOS管漏端的電壓，讓MOS管工作在線性區(qū)，以提高電阻RM的線性度。

圖l中的電阻Ri和圖2中的電阻Ri相同，它們都由控制信號(hào)VCtrl控制。圖1中的時(shí)間常數(shù)如下：

其中，T是時(shí)鐘周期，Ci為積分電容，C為等效電阻電容。為了提高電容匹配度，C和Ci應(yīng)采用同一單位電容組合，這樣，式(3)可變?yōu)椋?/p>

圖4所示為濾波器的線性度測(cè)試結(jié)果，它的輸入為間隔10 kHz的兩個(gè)帶內(nèi)單頻點(diǎn)信號(hào)，信號(hào)幅度為500 mVpp，輸出用示波器檢測(cè)。線性度測(cè)試結(jié)果為43 dB，可見(jiàn)，這種設(shè)計(jì)方案具有很高的線性度。

4 結(jié)束語(yǔ)

由于本文所設(shè)計(jì)的濾波器的時(shí)間常數(shù)只跟頻率和電容比值有關(guān)。因此只要改變時(shí)鐘頻率，就可以改變?yōu)V波器的中心頻率。另外，利用本文的方法，還可以將濾波器做在芯片里面，這樣，采用開(kāi)關(guān)電容技術(shù)，其芯片的面積只需增加很小一部分。目前，本芯片已在SMIC0.18μm工藝下已開(kāi)始流片量產(chǎn)。