電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道，近日，昕原半導(dǎo)體（上海）有限公司發(fā)生工商變更，新增海南云鋒基金中心（有限合伙）、新力投資控股有限公司等為股東。企查查顯示，昕原半導(dǎo)體（上海）有限公司成立于2019年10月，法定代表人為XIANG ZHANG，現(xiàn)由上海聯(lián)和投資有限公司、MEMRIS Asia Pacific Limited及上述新增股東等共同持股。

昕原半導(dǎo)體成立于2019年，專注于ReRAM新型存儲(chǔ)技術(shù)及相關(guān)芯片產(chǎn)品的研發(fā)，涵蓋AI存算一體（Computing in Memory, CIM）IP及大模型加速方案、高性能/高可靠的系統(tǒng)級(jí)存儲(chǔ)（System-on-Memory, SoM）芯片、先進(jìn)制程嵌入式存儲(chǔ)（Embedded memory, eReRAM）三大應(yīng)用領(lǐng)域，并已經(jīng)在存儲(chǔ)芯片、存算IP、高性能MCU等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了商用出貨和交付。

作為國(guó)內(nèi)ReRAM商業(yè)化領(lǐng)軍企業(yè)，公司掌握一體化閉環(huán)技術(shù)能力，覆蓋器件材料、工藝制程、芯片設(shè)計(jì)、IP設(shè)計(jì)和中試量產(chǎn)等諸多環(huán)節(jié)。昕原半導(dǎo)體采用Fab-lite模式，利用自主建設(shè)的先進(jìn)制程 ReRAM中試后道生產(chǎn)線，不斷打磨核心工藝，加速迭代優(yōu)化，以支持新型存儲(chǔ)技術(shù)的不斷演進(jìn)、創(chuàng)新和快速商用化，并與CMOS工藝和常規(guī)Foundry材料兼容，實(shí)現(xiàn)快速量產(chǎn)。

公司團(tuán)隊(duì)擁有多年的半導(dǎo)體行業(yè)經(jīng)驗(yàn)，多次成功創(chuàng)業(yè)經(jīng)驗(yàn)，管理能力強(qiáng)，成熟全面，聚集了世界一流的跨領(lǐng)域團(tuán)隊(duì)：存儲(chǔ)工藝團(tuán)隊(duì)、存儲(chǔ)設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)、SoC設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)、FAB團(tuán)隊(duì)，高效實(shí)現(xiàn)新型存儲(chǔ)技術(shù)的垂直整合、生態(tài)構(gòu)建和商用化。

AI應(yīng)用進(jìn)入大模型時(shí)代后，數(shù)據(jù)的傳輸量成幾何倍增，存儲(chǔ)帶寬已經(jīng)成為傳統(tǒng)AI芯片發(fā)展最嚴(yán)重的瓶頸。

昕原的ATOM (AI Thruster Optimized Memory) 產(chǎn)品系列，利用ReRAM兼容先進(jìn)工藝的特性將存儲(chǔ)和計(jì)算單元融為一體，從而獲得較原來(lái)數(shù)十倍的帶寬、性能以及能效比的提升。ATOM的存儲(chǔ)容量和算力均靈活可配，是端側(cè)，邊緣側(cè)和云端最理想的大模型加速方案。

昕原的URM（Ultra Reliable Memory）是基于ReRAM的獨(dú)立式存儲(chǔ)芯片，具備寬溫、抗輻照、高性能等特性，URM具備-40℃~125℃寬溫工作范圍，符合AECQ-100 Grade1要求高性能與低功耗：URM讀取速度高達(dá)800MB/s，且功耗只有同速率的NOR Flash的1/4，是汽車、工業(yè)、航天等領(lǐng)域最佳的存儲(chǔ)解決方案。