功率半導(dǎo)體的N和P摻雜濃度技術(shù)探討
01
導(dǎo)率型號(hào)的符號(hào)上去的, 表示電導(dǎo)型號(hào)的符號(hào)上的, 用來表示摻雜水平。
- 和 P
表示具有比臨近區(qū)域更
摻雜水平的N和P層N+ 和 pr 表示具有比臨近區(qū)域更
摻雜水平的N和P層
02
N- 典型摻雜范圍 1012~1014/cm3
P- 典型摻雜范圍 1012~1014/cm3
03
N 典型摻雜范圍 1015~1018/cm3
P 典型摻雜范圍 1015~1018/cm3
041
N+ 典型摻雜范圍 1019~1021/cm3
P+ 典型摻雜范圍 1019~1021/cm3
一個(gè)功率器件在其內(nèi)部包含有一個(gè)弱摻雜N-區(qū)域
重?fù)诫sN++和P++層接近金屬化表面
審核編輯 黃宇
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功率半導(dǎo)體
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發(fā)表于 07-11 14:49
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模電200問
摻雜？
5、什么是N型半導(dǎo)體?什么是P型半導(dǎo)體?當(dāng)兩種半導(dǎo)體制作在一起時(shí)會(huì)產(chǎn)生什么現(xiàn)象?
6、P
發(fā)表于 04-07 10:21
《電子技術(shù)基礎(chǔ)》(模電+數(shù)電)教材配套課件PPT
的電阻率隨溫度變化很敏感,并隨摻雜濃度不同，具有正或負(fù)的電阻溫度系數(shù)(可做成溫度敏感元件，如熱敏電阻)。
3.光敏感性：光照能改變半導(dǎo)體的電阻率。 (可做成各種光敏元件，如光敏電阻、光敏二極管、光敏三極管
發(fā)表于 03-25 16:21
工商網(wǎng)監(jiān)
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