威兆半導(dǎo)體推出的VS4020AS是一款面向 40V 低壓場景的 N 溝道增強型功率 MOSFET,采用小型封裝(圖中未明確具體型號,推測為 SOP 類小封裝),適配低壓小型電源管理、電機驅(qū)動等領(lǐng)域。
一、產(chǎn)品基本信息
- 器件類型:N 溝道增強型功率 MOSFET
- 核心參數(shù):
二、核心特性
- 超低導(dǎo)通電阻:基于溝槽工藝設(shè)計,10V 驅(qū)動下導(dǎo)通電阻僅 7.0mΩ,能效表現(xiàn)優(yōu)異;
- 高可靠性:通過 100% 雪崩測試,雪崩能量可達(dá) 100% 結(jié)溫,適配電機等重載場景;
- 快速開關(guān):開關(guān)速度快,反向雪崩特性優(yōu)化,提升電路穩(wěn)定性;
- 環(huán)保合規(guī):滿足 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),適配綠色電子制造。
三、關(guān)鍵電氣參數(shù)(\(T=25^\circ\text{C}\),除非特殊說明)
| 參數(shù) | 符號 | 數(shù)值(Rating) | 單位 |
|---|---|---|---|
| 漏源極擊穿電壓 | \(V_{DSS}\) | 40 | V |
| 柵源極電壓 | \(V_{GS}\) | ±20 | V |
| 二極管連續(xù)正向電流 | \(I_S\) | 28 | A |
| 連續(xù)漏極電流(接大散熱片,\(V_{GS}=10V\)) | \(I_D\) | \(T=25^\circ\text{C}\): 72;\(T=100^\circ\text{C}\): 42 | A |
| 脈沖漏極電流 | \(I_{DM}\) | 144 | A |
| 單脈沖雪崩能量 | \(E_{AS}\) | 88 | mJ |
| 工作 / 存儲溫度范圍 | \(T_J、T_{STG}\) | -55~+150 | ℃ |
四、封裝與應(yīng)用場景
- 封裝形式:小型表面貼裝封裝(推測為 SOP 類);
- 典型應(yīng)用:
- 40V 級低壓小型 DC/DC 轉(zhuǎn)換器;
- 低壓電機驅(qū)動電路;
- 消費電子、物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的低壓負(fù)載開關(guān)。
五、信息來源
威兆半導(dǎo)體官方產(chǎn)品手冊(注:以上參數(shù)基于手冊標(biāo)注整理,實際以最新版手冊為準(zhǔn)。)
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