威兆半導體推出的VSP007N07MS是一款面向 80V 中壓場景的 N 溝道增強型功率 MOSFET,采用 PDFN5x6 封裝,適配中壓大功率電源管理、DC/DC 轉換器等領域。
一、產品基本信息
- 器件類型:N 溝道增強型功率 MOSFET
- 核心參數(shù):
二、核心特性
- 5V 邏輯電平控制:適配 5V 邏輯驅動,簡化中壓大功率電路設計;
- VeriMOS? II 技術:兼具低導通電阻與快速開關特性,提升中壓電源能效;
- 高可靠性:通過 100% 雪崩測試,單脈沖雪崩能量達 68mJ,抗沖擊能力強;
- 高功率密度:PDFN5x6 封裝適配高集成度電路設計,散熱性能優(yōu)異;
- 環(huán)保合規(guī):滿足無鹵及 RoHS 標準,適配綠色電子制造。
三、關鍵電氣參數(shù)(\(T=25^\circ\text{C}\),除非特殊說明)
| 參數(shù) | 符號 | 數(shù)值(Rating) | 單位 |
|---|---|---|---|
| 漏源極擊穿電壓 | \(V_{DSS}\) | 80 | V |
| 柵源極電壓 | \(V_{GS}\) | ±20 | V |
| 二極管連續(xù)正向電流 | \(I_S\) | 65 | A |
| 連續(xù)漏極電流(\(V_{GS}=10V\)) | \(I_D\) | \(T=25^\circ\text{C}\): 65;\(T=100^\circ\text{C}\): 41 | A |
| 脈沖漏極電流 | \(I_{DM}\) | 260 | A |
| 單脈沖雪崩能量 | \(E_{AS}\) | 68 | mJ |
| 工作 / 存儲溫度范圍 | \(T_J、T_{STG}\) | -55~+150 | ℃ |
四、封裝與應用場景
- 封裝形式:PDFN5x6 表面貼裝封裝,包裝規(guī)格為 3000pcs / 卷;
- 典型應用:
五、信息來源
威兆半導體官方產品手冊(注:以上參數(shù)基于手冊標注整理,實際以最新版手冊為準。)
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