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選型手冊:VSP007N07MS N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

深圳市首質誠科技有限公司 ? 2026-01-04 16:26 ? 次閱讀
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威兆半導體推出的VSP007N07MS是一款面向 80V 中壓場景的 N 溝道增強型功率 MOSFET,采用 PDFN5x6 封裝,適配中壓大功率電源管理、DC/DC 轉換器等領域。

一、產品基本信息

  • 器件類型:N 溝道增強型功率 MOSFET
  • 核心參數(shù)
    • 漏源極擊穿電壓(\(V_{DSS}\)):80V,適配中壓供電場景;
    • 導通電阻(\(R_{DS(on)}\)):\(V_{GS}=10V\)時 8.0mΩ、\(V_{GS}=4.5V\)時 9.0mΩ,中壓場景下傳導損耗低;
    • 連續(xù)漏極電流(\(V_{GS}=10V\)):\(T=25^\circ\text{C}\)時 65A、\(T=100^\circ\text{C}\)時 41A,承載能力極強;
    • 脈沖漏極電流(\(I_{DM}\)):260A(\(T=25^\circ\text{C}\)),可應對瞬時超大電流沖擊。

二、核心特性

  • 5V 邏輯電平控制:適配 5V 邏輯驅動,簡化中壓大功率電路設計;
  • VeriMOS? II 技術:兼具低導通電阻與快速開關特性,提升中壓電源能效;
  • 高可靠性:通過 100% 雪崩測試,單脈沖雪崩能量達 68mJ,抗沖擊能力強;
  • 高功率密度:PDFN5x6 封裝適配高集成度電路設計,散熱性能優(yōu)異;
  • 環(huán)保合規(guī):滿足無鹵及 RoHS 標準,適配綠色電子制造。

三、關鍵電氣參數(shù)(\(T=25^\circ\text{C}\),除非特殊說明)

參數(shù)符號數(shù)值(Rating)單位
漏源極擊穿電壓

\(V_{DSS}\)

80V
柵源極電壓

\(V_{GS}\)

±20V
二極管連續(xù)正向電流

\(I_S\)

65A
連續(xù)漏極電流(\(V_{GS}=10V\))

\(I_D\)

\(T=25^\circ\text{C}\): 65;\(T=100^\circ\text{C}\): 41

A
脈沖漏極電流

\(I_{DM}\)

260A
單脈沖雪崩能量

\(E_{AS}\)

68mJ
工作 / 存儲溫度范圍

\(T_J、T_{STG}\)

-55~+150

四、封裝與應用場景

  • 封裝形式:PDFN5x6 表面貼裝封裝,包裝規(guī)格為 3000pcs / 卷;
  • 典型應用
    • 80V 級中壓大功率 DC/DC 轉換器;
    • 儲能系統(tǒng)、工業(yè)設備的中壓超大電流負載開關
    • 高功率電源管理系統(tǒng)的核心功率開關。

五、信息來源

威兆半導體官方產品手冊(注:以上參數(shù)基于手冊標注整理,實際以最新版手冊為準。)

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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