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新潔能 NCE40P70K高性能P 溝道功率 MOSFET,助力高電流場(chǎng)景高效運(yùn)行

南山電子 ? 2026-01-06 17:03 ? 次閱讀
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由新潔能(NCE)推出的NCE40P70K是一款高性能P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET。該器件采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)設(shè)計(jì),旨在提供極低的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))與低柵極電荷特性,特別適用于需要處理大電流負(fù)載的電子電路應(yīng)用中。NCE40P70K憑借其優(yōu)異的電氣性能和穩(wěn)定的質(zhì)量表現(xiàn),成為電源管理及功率開(kāi)關(guān)領(lǐng)域的理想選擇。

南山電子自2020年起成為新潔能(NCE)的正式授權(quán)代理商,代理其MOSFET、IGBT全系列產(chǎn)品,我們致力于為客戶提供專業(yè)的產(chǎn)品服務(wù)與解決方案。如需獲取最新產(chǎn)品信息,請(qǐng)聯(lián)系南山電子官網(wǎng)在線客服。

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核心電氣參數(shù):

NCE40P70K在設(shè)計(jì)上注重平衡功率損耗與電流處理能力,其主要規(guī)格指標(biāo)如下:

  • 漏源電壓 (VDS):-40V
  • 連續(xù)漏極電流 (ID):-70A
  • 脈沖漏極電流 (IDM):-200A
  • 導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)):最大值 10mΩ @ VGS=-10V(典型值為 7.5mΩ)
  • 柵源電壓 (VGS):±20V
  • 最大功耗 (PD):130W

典型應(yīng)用領(lǐng)域:

采購(gòu)信息:

  • 封裝:TO-252-2L;
  • 包裝方式:?330mm編帶包裝:
  • 最小包裝量:2.5k/盤(pán)
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