AGMSEMI 推出的 AGM40P150C 是一款面向 40V 低壓超大功率場景的 P 溝道增強型功率 MOSFET，采用 TO-220 封裝，適配負載開關、電池保護等領域。

一、產品基本信息

• 器件類型：P 溝道增強型功率 MOSFET（溝槽工藝）
• 核心參數(shù)：
  • 漏源極擊穿電壓（VDSS?）：-40V（P 溝道，電壓為負），適配低壓供電場景；
  • 導通電阻（RDS(ON)?）：3.0mΩ（VGS?=?10V），低壓場景下傳導損耗低；
  • 連續(xù)漏極電流（ID?）：TC?=25°C時 - 148A、TC?=100°C時 - 104A（負號對應 P 溝道電流方向），承載能力極強；
  • 脈沖漏極電流（IDM?）：-592A（TC?=25°C），可應對瞬時超大電流沖擊。

二、核心特性

• 先進溝槽工藝：高集成度設計，兼具低導通電阻與快速開關特性；
• 低柵極電荷：開關損耗小，提升電路能效；
• 高可靠性：通過 100% 雪崩測試、100% VDSS? 測試，單脈沖雪崩能量達 847mJ，抗沖擊能力強；
• TO-220 封裝：直插封裝散熱性能優(yōu)異，適配大功率電路。

三、關鍵電氣參數(shù)（TC?=25°C，除非特殊說明）

四、封裝與應用場景

• 封裝形式：TO-220 直插封裝，包裝規(guī)格為 1000pcs / 卷；
• 典型應用：
  • 40V 級低壓大功率負載開關；
  • 電池保護系統(tǒng)；
  • 同步整流電路；
  • 電機驅動系統(tǒng)。

五、信息來源

AGMSEMI 官方數(shù)據(jù)手冊（注：以上參數(shù)基于手冊標注整理，實際以最新版資料為準。）