在需要高速讀寫與數(shù)據(jù)永久保存的工業(yè)、汽車及高可靠性系統(tǒng)中，存儲器的選擇至關(guān)重要。MR2A08A-4Mb磁阻隨機(jī)存取存儲器（MRAM）憑借其SRAM兼容的性能、真正的非易失特性以及無限的讀寫耐久性，成為替代傳統(tǒng)Flash、SRAM或電池備份SRAM（BBSRAM）的理想方案。

MR2A08A磁阻隨機(jī)存取存儲器MRAM擁有超越20年的數(shù)據(jù)保存能力，且讀寫次數(shù)無限制，徹底解決了Flash的寫入壽命問題以及EEPROM的容量與速度瓶頸。MRAM內(nèi)置的寫保護(hù)機(jī)制可在電源異常時自動防止數(shù)據(jù)誤寫，保障了關(guān)鍵數(shù)據(jù)的安全。

MR2A08A MRAM提供3.3V工作電壓，并支持寬泛的溫度范圍選項(xiàng)，包括商用（0℃至+70℃）、工業(yè)（-40℃至+85℃）以及通過AEC-Q100 Grade 1認(rèn)證的車規(guī)級（-40℃至+125℃）溫度范圍。這確保了MRAM磁阻隨機(jī)存取存儲器在嚴(yán)苛環(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)行，適用于汽車電子、工業(yè)自動化、數(shù)據(jù)中心、醫(yī)療設(shè)備及航空航天等要求極高的領(lǐng)域。英尚微是Everspin的一級代理，代理Everspin各種高性能marm內(nèi)存芯片，如需了解更多產(chǎn)品，搜索英尚微電子網(wǎng)頁。

審核編輯 黃宇